osram ir ld 274
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
|
Original
|
q62703q1031q62703q1819q62703q1820osram ir ld 274 |
PDF
|
|
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4257 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse
|
Original
|
720-sfh4257-z4257-z |
PDF
|
GPLY6880
Abstract: sideled OHF04132
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4255 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit sehr hoher Ausgangsleistung
|
Original
|
os-pcn-2009-021-a2gply6880sideledohf04132 |
PDF
|
GPL06899
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 4281 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ιe = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich
|
Original
|
gpl06899 |
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
gpl06724gpl06880q62702-p0330q62702-p1690+1q62702p1690
|
PDF
|
OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
|
Original
|
ohrd1938q62702-p1137 |
PDF
|
Q62702-P0330
Abstract: GPLY6724 GPLY6880 Q62702-P1690
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder
|
Original
|
q62702-p0330gply6724gply6880q62702-p1690 |
PDF
|
GEX06260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930 SFH213FA 870nm
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
|
Original
|
ohr00883ohf01026gex06260q62702-p1671+3q62702-p930sfh213fa870nm
|
PDF
|
GEXY6051
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen
|
Original
|
gexy6051ohrd1938q62703-q1031q62703-q1820 |
PDF
|
850 nm LED
Abstract: GEOY6648 Q62702-P946 Q62702-P947 A T R Industrie-Elektronik GmbH
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 P SFH 203 PFA SFH 203 P SFH 203 PFA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 P und bei
|
Original
|
850 nm ledgeoy6648q62702-p946q62702-p947+1a t r industrie-elektronik gmbh
|
PDF
|
OHRD1938
Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
ohrd1938q62702-p1137q62702-p1139q62702-p296 |
PDF
|
ipc 9501
Abstract: radiant 4010
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter SFH 4010 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: LxBxH 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
|
Original
|
950nmipc 9501radiant 4010 |
PDF
|
transistor 415
Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,
|
Original
|
geoy6645gexy6630transistor 415ohrd1938+3q62702-p1137q62702-p1139q62702-p296
|
PDF
|
GEXY6260
Abstract: Q62702-P1671 Q62702-P930
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 213 und bei 880 nm (SFH 213 FA)
|
Original
|
gexy6260q62702-p1671q62702-p930 |
PDF
|
|
|
TOPLED with Lens
Abstract: GEOY6956 Q62702
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4219 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
|
Original
|
topled with lensgeoy6956q62702 |
PDF
|
GPLY6057
Abstract: J-STD-020B OHLA0687 OHPY1301
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4010 Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 950 nm • IR Reflow Löten geeignet • Gegurtet lieferbar
|
Original
|
gply6057j-std-020bohla0687ohpy1301 |
PDF
|
GEOY6956
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse mit Linse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package with lens SFH 4289 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • TOPLED mit Linse GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen
|
Original
|
geoy6956 |
PDF
|
osram ir ld 274
Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484
|
Original
|
osram ir ld 274gex06051ohrd1938800 274 0 |
PDF
|
SFH 340
Abstract: GEXY6630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)
|
Original
|
gexy6630sfh 340q62702-p1672q62702-p922 |
PDF
|
Q62702-P1819
Abstract: 0083CA
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
|
Original
|
gply6965q62702-p18190083ca |
PDF
|
GPL06724
Abstract: GPL06880
Contextual Info: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector
|
Original
|
gpl06724gpl06880ohf00362ohl01660+1ohf00360
|
PDF
|
|
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4050 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features
|
Original
|
|
PDF
|
|
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4289 This data sheet is under PCN-revision (OS-PCN-2010-033-A). Not to be used for design-in. Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • •
|
Original
|
os-pcn-2010-033-a |
PDF
|
|
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4080 Nicht für Neuentwicklungen / not for new designs Wesentliche Merkmale Features • Sehr kleines Gehäuse: (LxBxH) 1,7 mm x 0,8 mm x 0,65 mm • Typische Peakwellenlänge 880 nm
|
Original
|
|
PDF
|