5MMLED Search Results

CNX_480_1_BTP_12

Contextual Info: jJ ^ P R O V A L LED - Trim leads .250+010 6.4mm H DATE b it h .250±.01 CMC 441/443 CABLE ORDERING CODE (EXAMPLE): CLW 441 5mmLED Lockwasher CMS 442/444 Water Tight NEMA4 CNX 440 E02 4 1 12 CNX 440 LED Connector I TERMINATION pane| Hole: 5/16" (8.0mm) Panel thickness .032" to .125" (,80mm to 3.2mm)

SFH485P

Abstract: OHLPY985
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

osram ir ld 274

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

SFH 485-2

Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29

LD271 IR LED

Abstract: LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD
Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 5.9 5.5 OO T— ¡a 0.6 0.4 Area not flat GE006645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

5mmled

Contextual Info: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrahlungsfluß Oe

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad

GEXY6051

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen

OHRD1938

Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

transistor 415

Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

osram ir ld 274

Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

GEX06971

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P Vorläufige Daten / Preliminary Data 5.0 4.2 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.8 0.4 29 27 1.8 1.2 3.85 3.35 Area not flat 0.6 0.4 Chip position Approx. weight 0.5 g fex06306 GEX06971

Contextual Info: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung sowie hoher Gesamtstrah­ lungsfluß <i>e

Contextual Info: SIEMENS NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Semiconductor Group 1 1998-12-18 SFH 3500/FA SFH 3505/FA SIEMENS Wesentliche Merkmale

GEO06645

Abstract: GEX06239 LD271 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 LD271 APPLICATIONS LD271 IR LED
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239

SFH495P

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

GEO06645

Abstract: GEX06630 OHRD1938 Q62702-P1136 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Cathode 29 27 7.8 7.5 5.9 5.5 4.8 4.2 Area not flat fexf6626 0.4 0.6 ø4.8 ø5.1 0.4 0.8 spacing 2.54 mm 1.8 1.2 9.0 8.2 0.6 0.4 GEO06645 Chip position Area not flat 29.5 27.5 Cathode Diode

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 495 P SFH 4552 SFH 495 P SFH 4552 Wesentliche Merkmale • Stimulierter Emitter mit sehr hohem Wirkungsgrad • Laserdiode in diffusem Gehäuse • Besonders geeignet für Impulsbetrieb bei hohen Strömen

p5050

Abstract: LED "1060 nm" "MA 3500" IC emitter "1060 nm" fototransistor led phototransistor 500-600 nm GEO06968 GEO06969 Q62702-P5031 Q62702-P5032
Contextual Info: NPN Silizium Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3500/FA SFH 3505/FA 2.05 R 1.95 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Vorläufige Daten / Preliminary Data (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 6.0 5.4 2.54 mm spacing

Phototransistor SFH

Abstract: GEO06968 GEO06969
Contextual Info: 2.05 R 1.95 SFH 4590 SFH 4595 3.2 (R 2.8) 4.8 4.4 2.7 2.3 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 2.7 2.4 Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter (3.2) 0.0.1 3.7 3.3 14.7 13.1 5.8 5.4 2.54 mm spacing GEO06968 SFH 4590 4.5 3.9 7.7 7.1

osram ir ld 274

Abstract: E9548 Q65110A1434
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 484 SFH 485 SFH 484 SFH 485 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

GEX06260

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g