OHR01041 Search Results

osram ir ld 274

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

GEXY6051

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen

OHRD1938

Abstract: sfh481-3
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

osram ir ld 274

Abstract: GEX06051 OHRD1938 800 274 0
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit

GEO06645

Abstract: GEX06239 LD271 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833 Q62703-Q838 LD271 APPLICATIONS LD271 IR LED
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239

GEX06260

Abstract: Q62703-Q1031 Q62703-Q1819 Q62703-Q1820 OHR01882 transistor SR 51
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 1.8 1.2 29 27 Cathode Diode Collector (Transistor) 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fex06260 2.54 mm spacing 0.6 0.4 Approx. weight 0.5 g

LD271 IR LED

Abstract: LD271 LD271 remote control IR LD271 GEO06645 GEX06239 OHRD1938 Q62703-Q148 Q62703-Q256 Q62703-Q833
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 1.0 0.7 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 1.3 1.0 1.8 1.2 14.0 13.0 0.6 0.4 4.8 4.2 11.4 11.0 Cathode Chip position fex06628 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06239

LD271LH

Abstract: ld271
Contextual Info: 2007-04-04 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 LD 271, LD 271 H, LD 271 L, LD 271 LH Features: • • • • • • Besondere Merkmale: GaAs-LED in 5mm radial package T 1 3/4 Typical peak wavelength 950nm High reliability Available with two different lead lengths

sfh450

Contextual Info: SIEMENS Plastic Fiber O ptic T ransm itte r Diode Plastic C onnector Housing SFH 450 SFH 450V Features • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Molded microlens for efficient coupling

OPTO LD 271 H

Abstract: ir 271
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203

Contextual Info: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7 5.1 29 27 Chip position Cathode Diode Collector (Transistor) fex06260 1.8 1.2 GEX06260

Contextual Info: Opto Semiconductors GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Area not flat 3.5 29 27 4.0 3.6 ø3.1 ø2.9 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54 mm spacing 1.8 1.2 4.1 3.9 6.3 5.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409) Anode (SFH 487, SFH 4391) fex06250 5.2

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Sehr enger Abstrahlwinkel • GaAs-IR-LED, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 Features • Very highly efficient GaAs-LED

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 HL Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 300, SFH 203

GEX06250

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit Mit verschiedenen Beinchenlängen lieferbar

409 marking

Abstract: osram sfh 309
Contextual Info: 2011-03-14 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.0 SFH 409 Features: • • • • • Besondere Merkmale: Very highly efficient GaAs-LED High reliability High pulse handling capability Good spectral match to silicon photodetectors Same package as SFH 309, SFH 487

GEXY6250

Abstract: Q62702-P1002 Q62702-P860
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

SFH 409 SFH 487

Abstract: OPTOKOPPLER p1002 sensor Q62702-P1002 Q62702-P860 GEX06250 SFH409
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 409 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 487

data sheet ld 271

Abstract: ir dimmer circuits ir led datasheet hi-fi system touch dimmer IR 5MM LED OPTO LD 271 H A 69258 colour tv circuit OHRD1938
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 271 LD 271 H LD 271 L LD 271 LH Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • GaAs-LED in 5mm radial-Gehäuse Typische Peakwellenlänge 950nm Hohe Zuverlässigkeit

OHRD1938

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden