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MARKING EC EQ

Abstract: 1971 ic LTRA MARKING
Contextual Info: RN1970,1971 RN1970 U n it in mm SW ITCH IN G , INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT A N D DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS. Including Two Devices in US6 (U ltra Super Mini Type 6 leads) W ith B uilt-in B ias Resistors S. □ S B -S l N 4 e> D Z Sim plify C ircuit Design

RN1961

Abstract: RN1962 RN1963 RN1964 RN1965 RN1966 RN2961 RN2966
Contextual Info: RN1961～RN1966 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN1961,RN1962,RN1963 RN1964,RN1965,RN1966 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用

RN1967

Abstract: RN1968 RN1969 RN2967 RN2969
Contextual Info: RN1967～RN1969 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN1967,RN1968,RN1969 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用

RN1967

Abstract: RN1968 RN1969 RN2967 RN2969
Contextual Info: RN1967～RN1969 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN1967,RN1968,RN1969 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用

Contextual Info: SUCOH npn epita x ia l , t y p e R N 1 9 7 Q R N I 9 7 - I U nit in mm SW ITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT A N D DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS. • • • • • Including Two Devices in US6 Ultra Super Mini Type 6 leads W ith Built-in Bias Resistors

HN2A01FU

Contextual Info: HN2A01FU シリコンPNPエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ HN2A01FU ○ 低周波増幅用 ○ AM 増幅用 z z z z z 単位: mm ウルトラスーパーミニ (6 端子) パッケージに 2 素子を内蔵しています。 高耐圧です。

TRANSISTOR MARKING TE US6

Contextual Info: TOSHIBA RN1961-RN1966 TO SHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS RN1961, RIM1962, RN1963, RN1964, RN1965, RN1966 Unit in mm SW ITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT 2.1 ± 0.1 A N D DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS. L 2 5 ± 0 .1 !-

RN1967

Abstract: RN1969 RN2967 RN2968 RN2969
Contextual Info: RN2967～RN2969 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN2967,RN2968,RN2969 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用

RN1970

Abstract: RN1971 RN2970 RN2971
Contextual Info: RN1970,RN1971 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN1970,RN1971 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用 単位: mm

C-2-BL-C

Contextual Info: TOSHIBA RN1967-RN1969 TO SHIBA TRANSISTOR RN1QR7 • « ■ v ■ Mr m g SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS RM1QK8 u « ■ m m mm RM1QRQ g ■ « ■ v ■ «r U nit in mm SW ITCHING, INVERTER CIRCUIT, INTERFACE CIRCUIT 2 .1 ± 0.1 A N D DRIVER CIRCUIT APPLICATIONS.

HN2C01FU

Contextual Info: HN2C01FU シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ HN2C01FU ○ 低周波増幅用 ○ AM 増幅用 z z z z z 単位: mm ウルトラスーパーミニ (6 端子) パッケージに 2 素子を内蔵しています。 高耐圧です。

SK4001

Abstract: DD104M K 3531
Contextual Info: P09TRONC INDU3THEB BELEVEB THE DATA ON THE DRAWN Q TD K ISU/MLC. SMCE THE TECHNICAL NrOHVWTDN H DVCN PHEE OF Q-WRGE. THE USER EMPLOTS SUCH INTORM/nON AT H3 OWN WSCRETIDN AND R BK. PDSTKDNC M3U5TRS3 ASSUUCS ND RE5PDNSBLITT FOR RESULTS DHTMNTO OR n i y u w NCURRED FROM USE OF BUCH INFORMATION M

RN1970

Abstract: RN1971 RN2970 RN2971
Contextual Info: RN2970,RN2971 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN2970,RN2971 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用 単位: mm

RN1973

Contextual Info: RN1973 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 (バイアス抵抗内蔵) RN1973 ○ スイッチング用 ○ インバータ回路用 ○ インタフェース回路用 ○ ドライバ回路用 単位: mm z ウルトラスーパーミニ (6 端子) パッケージに 2 素子を内蔵していま