120 HZ IR PHOTODIODE Search Results

Contextual Info: V I S H AY I N T E R T E C H N O L O G Y, I N C . OPTOELECTRONICS VCNL4000 Industry’s First Optical Sensor Combining an IR Emitter, PIN Photodiode, and Ambient Light Detector with 16-bit Resolution and I2C Interface FEATURES AND BENEFITS • Low profile surface-mount package: 3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 H mm

3 mm ir receiver

Abstract: s950 PIN photodiode 850 nm 850 photodiode 2 pin ir receiver Q62702-P3019 S850
Contextual Info: SRD 00111Z Silicon PIN Photodiode in TO-Package • • • • • • • • • • • Si-PIN-photodiode Designed for application in fiber-optic Transmission systems Sensitive receiver for the 1st window 850 nm Suitable for bit rates up to 565 Mbit/s

GEO06861

Abstract: OHFD1781 Q62702-P1646
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 FS 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Cathode lead feo06861 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm

BPW 14 A

Abstract: E9087 GEO06916 Q62702-P1829 P30120 BPW 34 FAS
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FAS (E9087) Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06916 4.0

OHF01066

Abstract: Q62702-P1602 GEO06863 120 Hz IR photodiode S8050 BPW 34 S
Contextual Info: 1.1 0.9 1.8 1.4 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BPW 34 S 0.2 0.1 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm GEO06863 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

E9087

Abstract: GEO06916 Q62702-P1826
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FS (E9087) Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06916 4.0 3.7

bpw 104

Abstract: OHF00368 GEO06863 Q62702-P1604
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BPW 34 FS Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm feo06861 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.8 ±0.2

GEO06972

Abstract: Q62702-P1794 SFH2400
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 2400 SFH 2400 FA Vorläufige Daten / Preliminary Data 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position not connected 0.5 0.3 1.1 0.9 0.9 0.6 2.1 1.9 0.8 0.6 Active area 1x1 0.1 0.0 4.8 4.4 Cathode 2.7 2.5 Anode GEO06972 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

OHFD0228

Abstract: GEOY6972 SFH 2400FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400 SFH 2400FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

BP 104 FAS

Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

OHF00078

Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und

GEOY6861

Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

OHFD1781

Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q62702-P1605

Abstract: GEO06861
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: 0 OPTEK Product Bulletin OP913SL June 1996 PIN Silicon Photodiodes Types OP913SL, OP913WSL Features Reverse Voltage. 32 V Storage Temperature Range. -65°C to +150° C

BP 104 FAS

Abstract: BP 104 FASR
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

sfh 206

Abstract: 850 nm LED foto transistor S8050 TCI circuit Q62702-P129
Contextual Info: SFH 206 K feo06647 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns

Contextual Info: 2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 25 ns • Suitable for SMT • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von

Fotodiode

Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

bpw 104

Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1604 Q62702-P929 bpw+104 BPW34F
Contextual Info: 0.8 0.6 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 F BPW 34 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8

feo06643

Abstract: GEO06643 GEO06863 Q62702-P1602 Q62702-P73 S8050
Contextual Info: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BPW 34 BPW 34 S feo06643 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8 0.6 0.6 0.4 0.35 0.2 0.5 0.3 0 . 5˚ 5.08 mm