U2267 Search Results

Contextual Info: Earth inductors SNG Series Earth Inductors TÜV Rheinland [RoHS [RoHS Compliant] Compliant] SNG-19A-080 SNG-19B-080 SNG-25A-600 SNG-25B-600 SNG-19DA-014 SNG-19DB-014 SNG-25DA-086 SNG-25DB-086 Insulation resistance M⏲ * ≧20 ≧20 ≧20 ≧20 ≧20 ≧20

NJM274

Abstract: S M 475 35v
Contextual Info: Operational Amplifiers ２回路入り出力フルスイング単電源オペアンプ NJM2746VT・NJM2746RB1T 特徴 + •出力フルスイング VOH≧4.9V / VOL≦0.1V at V =5V, RL=5kΩ ■入力オフセット電圧 1mV typ ■スルーレート 3.5V/ s typ

Contextual Info: LY61L102416A 1024K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM Rev. 1.5 REVISION HISTORY Revision Description Issue Date Rev. 1.0 Rev. 1.1 Rev. 1.2 Initial Issued Add 48 pin BGA package type. 1.“CE# ≧VCC - 0.2V” revised as ”CE# ≦0.2” for TEST CONDITION of Average Operating Power supply Current

Contextual Info: LY61L10248A 1M X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM Rev. 1.3 REVISION HISTORY Revision Description Issue Date Rev. 1.0 Rev. 1.1 Initial Issued 1.“CE# ≧VCC - 0.2V” revised as ”CE# ≦0.2” for TEST CONDITION of Average Operating Power supply Current Icc1 on page3

Contextual Info: LY61L5128A 512K X 8 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM Rev. 1.4 REVISION HISTORY Revision Description Issue Date Rev. 1.0 Initial Issue July.12. 2012 Rev. 1.1 .“CE# ≧VCC - 0.2V” revised as ”CE# ≦0.2” for TEST CONDITION of Average Operating Power supply Current

LLD1003E01

Abstract: OP 741 L7060-02 for LASER RANGE FINDER
Contextual Info: HIGH-POWER INFRARED PULSED LASER DIODE L7060-02 Figure 2: Typical Radiant Power vs. Pulsed Forward Current Figure 3: Typical Emission Spectrum Ta=25℃ 100 RELATIVE RADIANT POWER (%) (Ｗ) 30 20 10 10 20 30 •FEATURES ●High output power (φep≧30W) ●High speed rise time (tr=0.5 ns typ.)

ITR03486

Abstract: ITR03480 ITR03482 ITR03484 ITR03488 ITR03490
Contextual Info: 4MN10MH 注文コード No. N A 0 4 9 3 三洋半導体データシート N 4MN10MH NPN エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ 高周波一般増幅用 特長 ・高 fT である：fT typ=400MHz。 ・高耐圧である：VCEO ≧ 200V。

Contextual Info: SOFT RECOVERY DIODE MODULE DCA100AA DCA100AA 93.5max 80 《Advantages》 《特長》 • Low Forward Voltage Drop（VFM≦1.30Ｖ） • 低オン電圧 • Fast and Soft recovery（trr≦300ns tb/ta≧0.8） • 高速・ソフトリカバリー • Average Forward Current（100A）

Cyntec

Contextual Info: 乾坤科技股份有限公司 CYNTEC CO., LTD. Resistance Ω Deviation(Ω) Deviation(℃) (1)Relationship of temperature with resistance When t≧0°C When t < 0°C Rt=Rο(1+At+Bt ) Rt=Rο[1+At+Bt +C(t-100)t ] A=3.9083E-03 A=3.9083E-03 B=-5.7750E-07 B=-5.7750E-07

A12509

Abstract: V 4136 AE01 LB11997H 4136 A12505
Contextual Info: LB11997H 動作条件 / Ta＝25℃ 電源電圧 VCC1 VCC2 unit V 4~6 ≧VCC1 VCC3 4∼13.6 V 4∼13.6 V 応用例 / Ta＝25℃ 12Vモデル 5Vモデル unit VCC1 VCC2＝VCC3 VCC1＝VCC3 REG.電圧 UN-REG.電圧 REG.電圧 VCC2 ブーストアップ電圧 または REG.電圧 注

ITR04363

Abstract: ITR04364 2SA1710 2SC4490 ITR04358 ITR04359 ITR04360 ITR04361 ITR04362
Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 9 7 2SA1710/2SC4490 No. N 3 0 9 7 20400 2SA1710 / 2SC4490 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 高精細度 CRT ディスプレイビデオ出力用 ・高耐圧である（VCEO ≧ 300V）

N4728

Abstract: 2SC4563 ITR07208 ITR07209 ITR07210 ITR07211 ITR07212 ITR07213 MA400A
Contextual Info: 注文コード No. N 4 7 2 8 2SC4563 No. N4728 21500 エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 2SC4563 特長 ・高 fT である：fT=1.2GHz typ。 ・高耐圧である：VCEO ≧ 80V。 ・大電流である：IC=500mA。 超高精細度 CRT ディスプレイ

Contextual Info: AN0024 GPR23L12800B Bonding and Layout Issue Sep. 11, 2007 GPR23L12800B Bonding and Layout Issue Power Pad Bonding Guideline 1. Except NC pads, all the other Power pads should be wire bonded, please do not keep them floating. 2. Please keep the PCB layout width ≧ 20 mil for the VCC/VCCQ and VSS/VSSQ. Figure 1

Contextual Info: 3スタック パルスレーザダイオード L11854-307-05 •特長 ●ピーク光出力：≧21 W ●ピーク発振波長：905 nm ●発光エリアサイズ：70 m x 10 μm ■用途 ●レーザレンジファインダ（レジャー測量）

Contextual Info: LY61L51216A 512K X 16 BIT HIGH SPEED CMOS SRAM Rev. 1.3 REVISION HISTORY Revision Description Issue Date Rev. 1.0 Rev. 1.1 Initial Issued “CE# ≧VCC - 0.2V” revised as ”CE# ≦0.2” for TEST CONDITION of Average Operating Power supply Current Icc1 on page3

Contextual Info: ELM742xxC CMOS 低功耗电压比较器 •概要 ELM742xxC 是一个在 Vss ～ Vdd 范围内都可以工作的低功耗 CMOS 电压比较器 IC。该 IC 在单电源和低 电压电源（Vdd ≧ 1.0 V）下都可以工作。输出方式有Ｎ沟道漏极开路输出和 CMOS 输出两种。

Contextual Info: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3468 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FOR VIDEO OUTPUT OF HIGH-DEFINITION CRT DISPLAYS  FEATURES * High breakdown voltage: VCBO, VCEO≧300V * Small reverse transfer capacitance and excellent high frequency

2SK223

Abstract: VDS30V
Contextual Info: 注文コード No.N 6 5 9 K 2SK223 No. N659K 71099 半導体ニューズ No.659J とさしかえてください。 2SK223 特長 N チャネル接合形シリコン電界効果トランジスタ 高電圧ドライブ用 ・超高耐圧である（VGDS ≧− 80V）。

2SA1777

Abstract: 2SC4623 ITR04625 ITR04626 ITR04627 ITR04628
Contextual Info: 注文コード No. N 3 6 4 4 2SA1777/2SC4623 No. N3644 20100 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 2SA1777 / 2SC4623 特長 ・高 fT である：fT=400MHz（typ） 。 ・高耐圧である：VCEO ≧ 250V（min）

2SC3790

Abstract: 2SA1480 ITR03783 ITR03784 ITR03785 ITR03786
Contextual Info: 注文コード No.N 2 2 5 4 2SA1480 / 2SC3790 No. N2254 20400 2SA1480 / 2SC3790 特長 PNP / NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ 高精細度 CRT ディスプレイビデオ出力用 ・高耐圧である : VCEO ≧ 300V。

S M 475 35v

Contextual Info: Operational Amplifiers ２回路入り出力フルスイング単電源オペアンプ NJM2746VT・NJM2746RB1T 特徴 + •出力フルスイング VOH≧4.9V / VOL≦0.1V at V =5V, RL=5kΩ ■入力オフセット電圧 1mV typ ■スルーレート 3.5V/ s typ

XC6211

Abstract: sot-23-5 marking cy XC6219 voltage regulator sot-89-5 xc6219b XC6211 marking
Contextual Info: ◆CMOS Low Power Consumption ◆Dropout Voltage : 60mV@30mA 200mV@100mA ◆Output Current : 150mA VOUT<1.75V 240mA (VOUT≧1.8V) (300mA limit) ◆Highly Accurate : ±2%(VOUT>1.5V) ±30mV (VOUT≦1.5V) ◆Output Voltage Range : 0.9V to 5.0V (50mV increments)

IRDF

Abstract: JIS-C-5102 JISC-5102 15KV 1250VAC 24RC C51021986 C5102
Contextual Info: •仕様および試験方法 （JIS C5102-1986に準拠） 項 目 １ ２ 使 静 ３ 用 温 規 格 値 度 電 範 容 囲 量 30pF以上：Q≧1000 30pF未満：Q≧400＋20C（SL） 抗 端 子 間

2sc3468

Abstract: 2SC3468L
Contextual Info: UTC 2SC3468 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR FOR VIDEO OUTPUT OF HIGH-DEFINITION CRT DISPLAYS FEATURES 1 * High breakdown voltage: VCBO, VCEO≧300V * Small reverse transfer capacitance and excellent high frequency characteristicF SOT-89