SCHALTER Search Results

EY88

Abstract: TELEVISION BOOSTER 75KV 30 kv diode
Contextual Info: PHILIPS fÊŸ88 BOOSTER DIODE for use in line'time-base circuits of television receivers DIODE SURVOLTEUSE pour l'utilisation dans des, circuits de base de temps lignes de récepteurs de télévision SCHALTERDIODE zur Verwendung in Zeilenzeitbasisstufen von

6XV1830

Abstract: lapp kabel SIEMENS S7-300 siemens profibus 0EV20 0JH10 6XV1 Siemens S7 300 profibus 2170826
Contextual Info: ERbic Profibus ERNI hat sein seit Jahren bewährtes Programm an Feldbussteckverbindern für Profibus, Can-Bus und Safety-Bus kontinuierlich erweitert. Jetzt wurden die Profibus Schalterversionen mit oder ohne Programmierschnittstelle einem Redesign unterzogen.

Deutschen Demokratischen Republik

Abstract: VEB M ik ro e le k tro n ik L-17 0C001 E20Z3 Scans-048 E20Z3 deutschen demokratischen TGL-200 DSAGER00030 tgl68 TGL 200
Contextual Info: electronic Schalter-Tasten - Fernmeldebauteile Bestellunterlage eiecrronic Schalter-Tasten - Fernmeldebauteile Bestellunterlage D ie E lektrotechnik, besonders d ie E lektronik, b e e in flu ß t in ste ige nd em M aß e d ie E ntw icklung von W isse n ­

Crastin SK645FR

Abstract: relais reed CuZn37
Contextual Info: Reed Technology Solutions Product Spotlight REED RELAIS REED SENSOREN REED SCHALTER MK11 Serie – So robust wie nie zuvor BESCHREIBUNG MK11-Sensoren sind magnetisch betätigte Reed Sensoren, eingebaut in ein zylindrisches NEU! Gewindegehäuse. Geliefert • Die MK11 Serie bietet einfachste

1A55

Contextual Info: KSK-1A55-. MEDER electronic ABMESSUNGEN EIGENSCHAFTEN Alle Abmessungen in mm [inch] • • • • • Schaltertyp → Kontaktform → Alle Daten bei 20 oC Kontaktdaten Bedingungen Glaslänge 16.5 mm, Durchmesser 2.8 mm 1 Form A Schließer Einschaltstrom bis 3 A

TFK S 417 T

Abstract: BSW40 TRANSISTOR 4148
Contextual Info: ¥ BSW40 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Schalttransistor Silicon PNP Epitaxial Planar Switching Transistor Anwendungen: NF-Verstärker und Schalter Applications: AF a m plifiers and switches Besondere Merkmale: Features: • Hohe Sperrspannung • High reverse voltage

DIN 50014

Abstract: cny18 TFK 4 232 CNY18 -IV cny 76 TFK CNY 18 IV cny18 tfk
Contextual Info: «Sr CNY18 Optoelektronisches Koppelelement Optically Coupled Isolator Aufbau Construction Emitter: D etektor: G aAs-Lum ineszenzdiode Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Fototransistor Anwendungen: Galvanische Trennung von Strom kreisen, rückw irkungsfreier Schalter

la 7518

Abstract: TFK 450 BCW60C BCW60D BCW60
Contextual Info: G estem pelt m it: 'W BCW60A BCW 60B BCW60C BCW60D BCX70G BCX70H BC X70J BCX70K M a r k e d w ith : AA AB AC AD AG AH AJ AK BCW 60 * BCX 70 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar A F Transistor Anwendungen: Vorstufen und Schalter in Dick- und Dünnfilmschaltungen

103MA

Abstract: 1D2 SOT-23 BCW68 BCW58 BCW57A BCW57 OES45 JR-101
Contextual Info: BCW 67 BCW 68 PIMP-Transistoren für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen BCW 67 und BCW 68 sind epitaktische PNP-Silizium -Planar-Transistoren m it Plastikum­ hüllung 23 A 3 DIN 41 86 9 S O T -2 3 für NF-Treiberstufen und Schalteranwendungen. Sie

BYW74

Abstract: 175aa byw76
Contextual Info: BYW 72 £8 BYW 76 'W Silizium-Mesa-Dioden Silicon-Mesa-Diodes Anwendungen: Schneller Gleichrichter und Schalter z.B. für zeilenfrequenten Betrieb im Fern­ sehgerät und Schaltnetzteile. Applications: Fast rectifier and switch for example for TV-line output circuits and switch mode

tlk 94

Abstract: 2N2193 High Speed Switches C4752 tfk s 220
Contextual Info: 4M> Nicht für Neuentwicklungen Not for new developments 2 N 2193 'W Silizium-NPN-Epitaxial-Pianar-Schalttransistor Silicon NPN Epitaxial Planar Switching Transistor Anwendungen: HF-Verstärker und schnelle Schalter Applications: RF am plifiers and high speed switches

BC160

Abstract: bc 160 BC161 TFK BC TFK 175 TFK 236 bc 141
Contextual Info: ip ^ B C 160- BC 161 Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: NF-Verstärker und Schalter Applications: AF am plifiers and switches Besondere Merkmale: Features: • Verlustleistung 3,2 W • Power dissipation 3.2 W

BY201

Abstract: ic stk089 BY201-2 BY201/5 y201 BY201-4 RWM600 BY201-5
Contextual Info: BY 201/. Silizium-Mesa-Dioden Silicon Mesa diodes Anwendungen: Schneller Gleichrichter und Schalter z.B. für zeilenfrequenten Betrieb im Fernseh­ gerät und Schaltnetzteile. Applications: Fast rectifier and switch for example for TV-line output circuits and switch mode

75558

Abstract: BCY72 2.T transistor planar
Contextual Info: Silizium-PNP-Epitaxial-Planar-Transistor Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor Anwendungen: Verstärker und Schalter Applications: A m plifiers and switches Abmessungen in mm Dimensions in mm 2,54 0 iß 1 5,7 0 0,5 K o lle kto r m it G ehäuse verbunden

94vo

Abstract: 94-VO 94v-o 2.253.6188 2253.6128
Contextual Info: ELMA Your Solution Partner DIP-Schalter DIP Switches liegend lying Technische Daten Technical Data Belastbarkeit Contact Rating Kontaktwiderstand Contact Resistance 5 VDC / 100 mA geschaltet / switching 25 VDC / 25 mA geschaltet / switching 50 VDC / 100 mA

Contextual Info: PMC-3617 S W I T C HI N G T HE S M A R T WAY PMC-3617 Leistungs-Wechslerkontakt Elektrische Daten @ 25 °C Kontaktform Features C Kontaktmaterial Form-C-Schalter schalter Rh Schaltleistung max. Schaltspannung max. W / VA 60 VDC 400 VAC 400 Schaltstrom max.

Contextual Info: PMC-1402 S W I T C HI N G T HE S M A R T WAY PMC-1402 Standard-schalter Elektrische Daten @ 25 °C Kontaktform Features A Kontaktmaterial Form-A-Schalter Schließer Rh/Ru Schaltleistung max. Schaltspannung max. W / VA 10 VDC 200 VAC 140 Schaltstrom max.

CSA-C22

Abstract: SL10
Contextual Info: Eingangsspannung Vin • Schalterstellung • Nennwert Frequenz • AC Dauerbetrieb • DC Dauerbetrieb Eingangsstrom Iin • Nennwert • Einschaltstrom 230 230V AC 230 V 47-63 Hz 176-264 240-375 Ausgang DCout 115V 115 AC 115 V 85-132 V –gV < 2,8 A <6A

Fuse t4ah

Abstract: T4ah fuse IEC-127 IEC127 AC115 CSA-C22 EN50081-1 EN50082-1 potenciometro 10 K T4AH
Contextual Info: Eingangsspannung Vin h 230 • Schalterstellung 230V 115V 115 • Nennwert AC 230 V AC115 V Frequenz 47-63 Hz • AC Dauerbetrieb 176-264 85-132 V V • DC Dauerbetrieb 210-375 –g Eingangsstrom Iin • Nennwert < 1,2 A < 2,6 A < 15 A < 15 A • Einschaltstrom

CEE 24

Abstract: kema timer INTERRUPTEUR INTERRUTTORE Deviatore CEE 32 A kema 08 norme UL csa fixation
Contextual Info: Kurzzeitschaltuhr Time switch Elektrische Daten Sw itch - Schaltleistung : 16 4 A - 250 V ~ oder 10 (4) A 380 V ~ . - Prüfklasse II nach CEE 24. - Schalter 1- bis 4 polig. - Dauerschaltung bei Beginn oder Ende der Laufzeit. - Andere Kontaktkonfigurationen auf Anfrage.

PY500

Abstract: PY tube PY500 tube telefunken tubes
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Serienspeisung DC-AC-heating indirectly heated connected in series _ - . . p M . u . . TELErUNniN PY 500 -Schalter-Diode für Farbfernsehgertite Booster diode for colour TV sets Vorläufige technische Daten * Tentative data

Contextual Info: M ENTOR Switch Jacks with LED’s C Schaltbuchsen mit LED’s 1870./1871./1872. Schaltertyp / Switch Type S ch a ltstrom O p e rating C urrent 0 ,5 A R uhestrom C o n t. C urrent $ 1A B etriebsspannung O perating V oltage P rufspannung T est V oltage

Contextual Info: Zwischen unter Spannung stehenden Teilen im Inneren d. Schalters u.d. Oberflache d. Isolierstoffbetatigers werden d. geforderten Kriech-u.Luftstrecken unterschritten. Die fur d. Einhaltung d. Beruhrungsschutzes erforderlichen Kriech-u.Luftstrecken mussen durch d. Art d. Einbaues sichergestellt werden.

SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Contextual Info: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen