OHF01778 Search Results

Q65110A2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q65110A2626

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

OHFD1781

Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm

GEOY6075

Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

GEOY6861

Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

GEOY6861

Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

OSRAM - Q62702-P2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P0084
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

GEOY6861

Abstract: Q62702-P1605 OHF00078
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605 OHF02283
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

GEOY6861

Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow-Löten • SMT-fähig

Fotodiode

Abstract: GEO06075 GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104FS BP104F
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

BP 104 FAS

Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

OHF00078

Abstract: Q65110A2626 GEOY6861 J-STD-020B OHLA0687
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Geeignet für Vapor-Phase Löten und

Contextual Info: 2009-04-07 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

GEO06075

Abstract: GEO06861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84 BP104
Contextual Info: 5.4 4.9 4.5 4.3 0.8 0.6 0.6 0.4 2.2 1.9 Chip position 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 BP 104 F BP 104 FS feo06075 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT 0.6 0.4 0.8

Contextual Info: SIEMENS Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 2.20 mm x 2.20 mm BP 104 S GE006861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm

Q62702-P1605

Abstract: GEO06861
Contextual Info: 1.1 0.9 1.6 1.2 4.0 3.7 0.9 0.7 4.5 4.3 1.7 1.5 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.3 0.0.1 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 0.2 0.1 Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

BP 104 FAS

Abstract: BP 104 FASR
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

BP104

Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

JEDEC J-STD-020d.01

Abstract: BP 104 FAS
Contextual Info: 2007-04-18 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BP 104 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 730 nm. 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-17 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 BP 104 F Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications of 950 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 S BP 104 SR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)