MISCHER IC Search Results

TBB204G

Abstract: transistor smd zf TBB042G TBB 204 tbb204 schaltung funk vogt vogt 042 Quarz VOGT 3 mH
Contextual Info: TBB 042 G Mischer Bipolare Schaltung Typ □ TBB 042 Q Bestellnummer Gehäuse Q67000-A8059 P-DSO-14 SMD ’ Der TBB 042 G ist ein symmetrischer Mischer für Frequenzen bis 200 MHz. Er kann fremd­ gesteuert oder mit internem Oszillator betrieben werden.

tda1062

Abstract: vogt inductors C7V5PH vogt spulen VOGT U3 vogt mo inductors vogt ende kaschke bobbins ATIC 107
Contextual Info: TDA1062 Monolithisch Integrierte Schaltung Monolithic integrated Circuit Anwendung: UKW -Eingangsteile fü r Netz- und Autoradios, Mischer, M odulatoren und phasenem pfindliche G le ich richte r bis ca. 200 MHz. Application: FM-Tuner fo r AC-line and car-radios, mixer, m odulator and

so42e

Abstract: S042P Quarzoszillator Funkamateur S042E SO 042 FUNKAMATEUR Bauelementeinformation Symmetrische Mischer S 042 P FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation Bauelementeinformation
Contextual Info: FUNKAMATEUR - Bauelementeinformation S 042 E S 042 P Symmetrische Mischer Kurzcharakteristik Grenzwerte P a r a m e te r K u rz z e ic h e n W e rt E in h e it • S p e is e s p a n n u n g S p e rrs c h ic h tte m p e ra tu r L a g e rte m p e r a tu r Us

TBB1469

Abstract: TBB2469 a1909 quarz smd SMD FM IC tbb2469g US015
Contextual Info: FM-Empfänger-IC TBB1469 Bipolare Schaltung Typ Bestellnummer Gehäuse T B B 1469 Q67000-A1909 P-DIP-16 TBB 1469 ist ein FM-Schmalband-IC speziell für Funkgeräteempfänger. Er eignet sich zur Umsetzung, Begrenzung, Demodulation und NF-Aufbereitung eines FM-modulierten Signals.

Contextual Info: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF LOE ]> • 023SbOS G D S m ? S M7D I1SIE6 SIEMENS Transistoren Transistors AIGaAs/GaAs HEMTs AIGaAs/GaAs HEMTs Characteristics TA = 25° C Maximum Ratings E mW 9m mS 70 180 40 ¿> P o Type 70 180 40 -3.0.0 60 180 50 70 200 40

ec806s

Abstract: telefunken tubes EC806 LA1212 "Receiving Tubes"
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Parallelspeisung TELEFUNKEN DC-AC-Heating indirectly heated connected in parallel UHF-Triode Vorläufige technische Daten • Tentative data Zuverlässigkeit Der P-Faktor g ib t den voraussichtlichen Röhren­ a u sfa ll in P ro m ille je 1000 Std. an. Er lie g t bei

ie-1000 mixer

Abstract: Telefunken ech 11 telefunken ra 200
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Parallelspeisung DC-AC-Heating — ECH 8000 — TELEFUNKEN indirectly heated connected in parallel R egelb are Heptode mit Triode Rem ote cutoff heptode with triode Vorläufige technische Daten • Tentative data

Contextual Info: Neuheiten 2009 Auf dem richtigen Weg. www.erni.com Mit ERNI stimmt die Richtung. Das Tempo wählen Sie. Sie kennen das Gefühl: Wenn Sie Ihr Navi zum Umkehren auffordert oder Ihr/e Beifahrer/in die Straßenkarte auf dem Kopf hält, haben Sie keinen Blick mehr für die Schönheiten dieser Welt. Nur wer

232ge

Abstract: STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387
Contextual Info: CELLULAR/PCS PHONES Datenblätter • Anwendungsbeispiele Kostenlose Muster • e sgab u A . 3 NEU 3 m GND LNA_IN 10 BIAS_SET m 1 m x 3m LNA_OUT 1 GAIN 2 MIX_IN 3 BIAS 9 VCC 8 IF+ 7 IF- 9 VCC LO 6 LOLNA_IN 10 LO+ GND 11 5 SHDN BIAS_SET 12 4 MAX2387/MAX2388

ec 360 tube

Abstract: telefunken ra 200 amplifier telefunken ra 200 telefunken tubes
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Parallelspeisung DC-AC-Heating indirectly heated connected in parallel ECH 8000 TELEFUNKEN R e g e lb a r e H e p to d e m it Triode R e m ote cutoff h e p to d e w ith triod e Vorläufige technische Daten • Tentative data

EC806

Abstract: ec806s telefunken tubes la 12 LA1212
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Parallelspeisung DC-AC-Heating indirectly heated connected in parallel TELEFUNKEN UHF-Triode Vorläufige technische Daten • Tentative data Zu ve rlässigkeit R e lia bility D e r P -F a k to r g ib t d e n v o ra u ssic h tlic h e n R ö h re n ­

Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9

Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Contextual Info: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik

E80CF

Abstract: Telefunken tubes 7643 tube la 7643 TELEFUNKEN e vb-1139
Contextual Info: Netzröhre für GW-Heizung indirekt geheizt Parallelspeisung TELEFUNKEN DC-AC-Heating indirectly heated connected in parallel IM jjS V ljp r Triode-Pentode mit getrennten Kathoden Triode-Pentode with se p a ra te cathodes Z u v e rlä ssig ke it Der P-Faktor g ib t den voraussichtlichen Röhren­

sab 3013

Abstract: IC tda 1571 TDA1506 sab3013 SAA5051 SAB3034 SAF 3019 Tda1533 SAA 1059 valvo halbleiter
Contextual Info: Elektronik. Wir bauen die Elemente. V A m Integrierte Schaltungen für die Unterhaltungselektronik Produktprogram m t IT 1. A pril 1983 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich im m er rascher zum Motor für eine

VEB mikroelektronik

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
Contextual Info: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP

A225D

Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"
Contextual Info: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*

500 DKZ

Abstract: TFK 4 314 valvo TELEFUNKEN* U 111 B str w 6052 tfk 1007 tfk 014 Schwingquarz Telefunken TFK S 417 T valvo transistoren
Contextual Info: TELEPO RT VI ein Sprechfunkgerät für das 80-, 100- und 150/160-MHz-Band Kanalraster 50, 25 und 20 kHz Beschreibung A H /B s -V 300 657/1 Teile 1, 2, 3, 4, 5, 6 Nachdruck, auch auszugsweise, verboten 765 kn Mo Technische W eiterentwicklung Vorbehalten Inhalt

information applikation

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR U555C information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft mikroelektronik applikation Transistoren DDR
Contextual Info: in n ilk a n í o J B lB t a L J I , L J n Í lH KáD Information Applikation Halbleiter Speicher Teil 1 SRAM [ n n ilk r a ^ e lE s k t s n a r iik Information Applikation HEFT 79- , HALBLEITERSPEiCHER TEIL li > < .1* • • r* - . SRAM * VEB Halbleiterwerk Frankfurt Oder

E355D

Abstract: mikroelektronik RFT A283D B3370 D100D information applikation B083D SN28654N SN28654 A277D
Contextual Info: ïTTfe Information Applikation Ü b e rsic h t VEB HALBLEITERWERK FRANKFURT ODER âl-< I n r D D G ^ Ö E i s W s n o r i i H IN F O R M A T IO N - A P P L IK A T IO N Bipolare integrierte Schaltkreise des VEB Halbleiterwerk Frankfurt /O d e r H e ft 20

MH1SS1

Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Contextual Info: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik

mikroelektronik ddr

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden

BFT65

Abstract: D1279 Siemens 1414 D1275 germanium Germanium drift transistor diode a811 Siemens Halbleiter germanium transistor legiert
Contextual Info: Table of Contents Selection Guide Ordering Codes Inhaltsverzeichnis Typeniibersicht Bestellnummern Scope of Applications Technical Information Quality Specifications Einsatzhinweise Technische Angaben Qualitatsangaben Package Outlines Mounting Instructions

MSD 7818

Abstract: MN9106 information applikation 7490 N TDA 5700 information applikation mikroelektronik udssr hefte 143KT1 Mikroelektronik Information Applikation K 176 LE, K 561 LN
Contextual Info: In n in ik ü r Q fâ lI Information Applikation RGW Typen­ übersicht + Vergleich TeiM UdSSR JitfÆÊL JUUUUUUL&JJJUL i m i n i ^ r ^ c z l c i c b p o n Information Applikation , 9 H E F T 4 9 * R G W T y p e n ü b e r s i c h t + V e r g l e i c h Teil 1

A109d

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden