SCH2810
Contextual Info: SCH2810 注文コード No. N 8 2 4 6 三洋半導体データシート N SCH2810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに
|
Original
|
sch2810900mm222805petb-00001168+4it06804it06805it06806it06807
|
PDF
|
7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
|
Original
|
enn7447cph5818mch3339sbs007m+17447
|
PDF
|
sw 13003
Abstract: 13003 MOSFET 13003 sd 74144 13003 MOSFET transistor transistor sd 13003 IC 74141 MCH3339 15a diode sw 13003 A MOSFET
Contextual Info: Ordering number : ENN7414 MCH3339 P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. unit : mm 2167A [MCH3339] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65 0.07 1.6 2.1 3
|
Original
|
enn7414mch3339sw 1300313003 mosfet+713003 sd7414413003 mosfet transistortransistor sd 13003ic 7414115a diodesw 13003 a mosfet
|
PDF
|
SCH2810
Contextual Info: SCH2810 Ordering number : ENN8246 SCH2810 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package
|
Original
|
sch2810enn8246 |
PDF
|
MCH5818
Abstract: MCH3339 SBS007M
Contextual Info: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに
|
Original
|
mch5818mch3339sbs007m900mm2+3ta-3839--10vit05619
|
PDF
|
TA-3843
Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
|
Original
|
cph5818n7447mch3339sbs007m+6600mm2it02953it05891it02955it02956ta-3843
|
PDF
|
TA-3843
Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
|
Original
|
cph5818n7447mch3339sbs007m+8600mm2it02953it05891it02955it02956ta-3843mosfet mch33ta384
|
PDF
|
MCH3339
Abstract: MCH5818 SBS007M
Contextual Info: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.
|
Original
|
mch5818enn7754mch3339sbs007m |
PDF
|
7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
|
Original
|
enn7447cph5818mch3339sbs007m+17447
|
PDF
|
MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Contextual Info: MCH5823 注文コード No. N 7 7 5 7 三洋半導体データシート N MCH5823 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに
|
Original
|
mch5823mch3339ss10015m900mm2+3d2004petb-00001070it07151
|
PDF
|
MCH3339
Abstract: MCH5823 SS10015M
Contextual Info: MCH5823 Ordering number : ENN7757 MCH5823 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a P-Channel Silicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)
|
Original
|
mch5823enn7757mch3339ss10015m |
PDF
|