MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Contextual Info: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
|
Original
|
cph5838enn8235mch3307sbs004+12171a
|
PDF
|
A0780
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Contextual Info: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
|
Original
|
mch5836na0780mch3307ss10015m+6900mm241807petc-00000614a0780-1/6a0780a07801
|
PDF
|
MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Contextual Info: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
|
Original
|
mch5836ena0780mch3307ss10015m+1a0780-6/6
|
PDF
|
MCH3307
Abstract: 70072
Contextual Info: Ordering number : ENN7007 MCH3307 P-Channel Silicon MOSFET MCH3307 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167A [MCH3307] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
|
Original
|
enn7007mch330770072 |
PDF
|
SCH2822
Contextual Info: SCH2822 注文コード No. N A 0 6 6 8 三洋半導体データシート N SCH2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した
|
Original
|
sch2822900mm222807petc-00000508+4a0668-1/6it07927it08178it06807
|
PDF
|
tr1007
Abstract: MOSFET 7121
Contextual Info: Ordering number : ENN7121 CPH3317 P-Channel Silicon MOSFET CPH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2152A [CPH3317] 2.9 0.15 0.6 0.4 0.2 • 3 2 1
|
Original
|
enn7121cph3317tr1007mosfet 7121 |
PDF
|
SS1001
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M
Contextual Info: MCH5836 Ordering number : ENA0780A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
|
Original
|
mch5836ena0780amch3307ss10015m+3pw10sa0780-6/6ss1001
|
PDF
|
tr1007
Abstract: N7007 MCH3307
Contextual Info: 注文コード No. N 7 0 0 7 MCH3307 No. N7007 71801 新 MCH3307 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
|
Original
|
mch3307n7007900mm2500ma+4300mait03507--10vtr1007
|
PDF
|
SCH2830
Abstract: A08615 IT12618
Contextual Info: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した
|
Original
|
sch2830900mm272mm262707pe+5tc-00000761a0861-1/6it10260a08615it12618
|
PDF
|
SCH1306
Contextual Info: SCH1306 Ordering number : ENN8101 P-Channel Silicon MOSFET SCH1306 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
|
Original
|
sch1306enn8101900mm2 |
PDF
|
2171a
Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838
Contextual Info: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
|
Original
|
cph5838mch3307sbs004600mm2+522805petb-00001210it00624it006232171a
|
PDF
|
SCH2830
Contextual Info: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
|
Original
|
sch2830ena0861a0861-6/6 |
PDF
|
SCH1306
Contextual Info: SCH1306 注文コード No. N 8 1 0 1 三洋半導体データシート N SCH1306 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
|
Original
|
sch1306900mm2500ma300ma+2--10vit03507
|
PDF
|
SCH2822
Abstract: marking qx
Contextual Info: SCH2822 Ordering number : ENA0668 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
|
Original
|
sch2822ena0668a0668-6/6marking qx |
PDF
|