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SCH2830 Abstract: A08615 IT12618 Contextual Info: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した	Original	sch2830 900mm2 72mm2 62707pe +5tc-00000761 a0861-1/6 it10260 a08615 it12618	PDF
SCH2830 Contextual Info: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	sch2830 ena0861 a0861-6/6	PDF

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SCH2830

Abstract: A08615 IT12618
Contextual Info: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した

Original

sch2830 900mm2 72mm2 62707pe +5

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SCH2830

Contextual Info: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Original

sch2830 ena0861 a0861-6/6

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