IT03497 Search Results

Contextual Info: VEC2611 VEC2611 Ordering number : ENA0425 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance, thereby enabling high-density mounting.

Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384 VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

diode sy 710

Abstract: VEC2813 N1407
Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

MCH3406

Abstract: ENN7010 SANYO marking kf mosfet marking kf
Contextual Info: Ordering number : ENN7010 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET MCH3406 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2

CPH5611

Abstract: n715 N7154
Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 5 4 CPH5611 No. N7154 41002 新 CPH5611 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・MOS 形電界効果トランジスタを１パッケージに２素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能

N7010

Abstract: MCH3406
Contextual Info: 注文コード No. N 7 0 1 0 MCH3406 No. N7010 71801 新 MCH3406 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

VEC2813

Contextual Info: VEC2813 注文コード No. N A 0 3 8 4 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0384A をさしかえてください。 VEC2813 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SCH1402

Abstract: 75333 TA-100481
Contextual Info: 注文コード No. N 7 5 3 3 SCH1402 三洋半導体データシート N SCH1402 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。

CPH5831

Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用

diode sy 710

Abstract: VEC2814
Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

CPH5811

Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Contextual Info: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.

Contextual Info: Ordering number : ENN7010 MCH3406 MCH3406 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-state resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167A [MCH3406] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2

A0849

Abstract: SS10015M VEC2820
Contextual Info: VEC2820 注文コード No. N A 0 8 4 9 三洋半導体データシート N VEC2820 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオード SS10015M を 1 パッケージに内蔵した複

ic 7533-1

Abstract: 7533-1 7533 datasheet SCH1402 75331
Contextual Info: Ordering number : ENN7533 SCH1402 N-Channel Silicon MOSFET SCH1402 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2221 [SCH1402] Top View 1.6 0.05 0.2 0.15

MCH3406

Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Contextual Info: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに

Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

VEC2814

Contextual Info: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

IC rl46

Abstract: VEC2611
Contextual Info: VEC2611 Ordering number : ENA0425 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2611 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • The VEC2611 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,

enn7786

Abstract: SB07-03C MCH3406 CPH5826
Contextual Info: CPH5826 Ordering number : ENN7786 CPH5826 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter applications. Composite type with a N-channel sillicon MOSFET MCH3406 and a schottky barrier diode (SB07-03C)

A0425

Abstract: VEC2611 IT-1109
Contextual Info: VEC2611 注文コード No. N A 0 4 2 5 三洋半導体データシート N VEC2611 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合

CPH5826

Abstract: MCH3406 cph58
Contextual Info: CPH5826 注文コード No. N 7 7 8 6 三洋半導体データシート N CPH5826 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

VEC2814

Contextual Info: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SS10015M

Abstract: VEC2820
Contextual Info: VEC2820 Ordering number : ENA0849 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2820 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M contained in one

15A50

Abstract: diode sy 710 VEC2813
Contextual Info: VEC2813 Ordering number : ENA0384A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2813 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package