IT02985 Search Results

SCH1406

Abstract: SCH2806
Contextual Info: SCH2806 注文コード No. N 7 7 4 4 三洋半導体データシート N SCH2806 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1406）

Contextual Info: SCH1406 Ordering number : EN7749A N-Channel Silicon MOSFET SCH1406 General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage

MCH3405

Contextual Info: Ordering number : ENN6940 MCH3405 N-Channel Silicon MOSFET MCH3405 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2167 [MCH3405] 0.25 • Package Dimensions 0.3 0.15 2 0.65 0.25 1

SCH1406

Contextual Info: SCH1406 Ordering number : ENN7749 SCH1406 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

SCH1406

Abstract: SCH2806
Contextual Info: SCH2806 Ordering number : ENN7744 SCH2806 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET SCH1406 and a Schottky barrier diode (SBS018)

VEC2812

Contextual Info: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

CPH3417

Contextual Info: 注文コード No. N 7 1 2 4 CPH3417 三洋半導体データシート N CPH3417 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。

1d1250

Abstract: CPH3417
Contextual Info: Ordering number : ENN7124 CPH3417 N-Channel Silicon MOSFET CPH3417 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. unit : mm 2152A [CPH3417] 2.9 0.15 0.6 0.4 0.2 • Package Dimensions 3 2 1

MCH3405

Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 4 0 MCH3405 No. N 6 9 4 0 33001 新 MCH3405 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

SCH1406

Abstract: 751TA
Contextual Info: SCH1406 注文コード No. N 7 7 4 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N7749 をさしかえてください。 SCH1406 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長

VEC2812

Contextual Info: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

SCH1406

Abstract: TA72
Contextual Info: SCH1406 Ordering number : EN7749A SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET SCH1406 General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 1.8V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C