eprom UV eraser
Abstract: SFH 291
Contextual Info: SIEMENS SFH 291 fmo06427 Silizium-Fotodiode mit hoher UV-Empfindlichkeit Silicon Photodiode with High UV Sensitivity M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im
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eprom uv erasersfh 291 |
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GMO06983
Abstract: Q62702-P5053 marking code diode 04 to-18
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 4860 Chip position 1 0.9 .1 (2.7) 4.05 3.45 Flat glass cap ø2.54 5.5 5.2 fmo06983 Cathode 1.1 .9 ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing ø0.45 14.5 12.5 GMO06983 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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fmo06983gmo06983ohr01872ohr00391+3ohr00389q62702-p5053marking code diode 04 to-18
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phototransistor 650 nm
Abstract: foto transistor Q62702-P15 Q62702-P15-S2 Q62702-P15-S3 Q62702-P15-S4 BPX 38
Contextual Info: BPX 38 BPX 38 fmo06018 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1120 nm
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Original
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fmo06018ipce/ipce25oiceo/iceo25ophototransistor 650 nm+6foto transistorq62702-p15q62702-p15-s2q62702-p15-s3q62702-p15-s4bpx 38
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foto transistor
Abstract: Q62702-P885 550nm BPW 21
Contextual Info: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011foto transistorq62702-p885550nm+1bpw 21
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Q62702-P885
Abstract: BPW21 BPW 21
Contextual Info: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011q62702-p885bpw21bpw 21 |
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germanium photodiode PIN
Abstract: foto transistor SFH231 photodiode germanium diode germanium germanium diode germanium diodes IR DETECTOR photodiode 1550 NEP 1800nm
Contextual Info: SFH 231 SFH 231 fmo06424 Germanium-PIN-Fotodiode Germanium PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 600 nm bis 1800 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 9 ns
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Original
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fmo06424bestelln13germanium photodiode pinfoto transistor+8sfh231photodiode germaniumdiode germaniumgermanium diodegermanium diodesir detectorphotodiode 1550 nep1800nm
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cs5050
Abstract: BPX 38 bpx38
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chi p p o s it io n Radiant <2 -7 > s e n s it iv e BPX 38 a re a / E C B fmo06018 iS*-' Maße in mm, w enn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified W esentliche M erkmale
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bpx38cs5050bpx 38 |
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BPX61
Abstract: Q62702-P25
Contextual Info: BPX 61 BPX 61 fmo06011 Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm ● Kurze Schaltzeit typ. 20 ns
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Original
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fmo06011bpx61q62702-p25 |
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Q62702-P885
Abstract: BPW21 BPW 21
Contextual Info: BPW 21 BPW 21 fmo06011 Silizium-Fotodiode für den sichtbaren Spektralbereich Silicon Photodiode for the visible spectral range Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011q62702-p885bpw21bpw 21 |
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Q62702-P54
Contextual Info: BPX 60 BPX 60 fmo06011 Silizium-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon Photodiode with Enhanced Blue Sensitive Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06011q62702-p54 |
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uv diode
Abstract: SFH 291 uv photodiode sfh291 eprom UV eraser Q62702-P1038 UV flame detection
Contextual Info: SFH 291 SFH 291 fmo06427 Silizium-Fotodiode mit hoher UV-Empfindlichkeit Silicon Photodiode with High UV Sensitivity Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im
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Original
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fmo06427uv diodesfh 291uv photodiode+4sfh291eprom uv eraserq62702-p1038uv flame detection
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isl 6251 schematic
Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
Contextual Info: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.
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q62702-a772q62702-a731q62702-a773ot-23+10isl 6251 schematicsmd transistor a4ssiemens ofw 361smd marking b4h6bs smd transistornpn transistors list according to current, voltagtransistors diodes smd a7ha4s smd transistornpn transistor ss100smd transistor 6bs
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germanium photodiode PIN
Abstract: SIEMENS Germanium
Contextual Info: SIEMENS Germanium-PIN-Fotodiode Germanium PIN Photodiode SFH 231 r , C a t h o d e SFH 4 8 0 p o s it io n (2.7) (SFH 2 1 6 , SFH 2 31 , 5FH 4 0 0 ) 00.45 Radiant Sen sit ive a re a \ N'<>> / * y/ I.“ 03 u5 _ 5.3, ’ 5.0 I 14.5 12.5 7-4 6.6 Approx. w e ig h t
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germanium photodiode pinsiemens germanium |
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doppeldiode
Contextual Info: SIEMENS Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode C h ip p o s it io n R o d ia n t s e n s itiv e SFH 221 a re a Anode b\ Ç'M? Anode M e la i c a th o d e case s y s te m R o d ia n t s e n s itiv e A p p ro x . w e ig h t a re a 1 .5
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doppeldiode |
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