DOPPELDIODE Search Results

abb EH 150

Abstract: ABB EH 250 Dioden Tabelle Z178
Contextual Info: EBC 3 EBC 3 Duodiode-Triode Die Duodiode-Triode EBC 3 besteht aus einer Triode, die m it einem 32max Doppeldiodensystem zusam m engebaut ist. Beide benutzen ein und dieselbe K athode in einem gemeinschaftlichen Kolben. Das Diodensystem kann zur Gleichrichtung und zur verzögerten auto­

VC60

Abstract: E175067 D30VC60 10-32 UNF M5 vc20 VC80 diode
Contextual Info: D30 VC20 … D30 VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

BAV74

Contextual Info: BAV74 S ilizium -P lan ar-D oppeldiode Die Silizium-Planar-Doppeldiode B A V 7 4 im Kunststoffgehäuse SO T -2 3 eignet sich zum Einsatz als schnelle Schaltdiode in Schichtschaltungen. Die Diode wird mit den Codebuch­ staben J A gekennzeichnet. Die angegebenen Daten gelten, sofern nicht anders angegeben

DIODE D60

Abstract: VC100 VC120 VC20 VC40 VC60 VC80 VC80 diode
Contextual Info: D60 VC20 … D60 VC120 Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.5 x 28.5 x 10 [mm]

D60VC60

Abstract: D60VC100 D60VC120 D60VC20 D60VC40 D60VC80
Contextual Info: D60VC20 . D60VC120 D60VC20 . D60VC120 Silicon-Twin-Rectifiers Silizium-Doppeldiode Version 2005-04-26 Nominal current Nennstrom 6.3 Type 21.6±1 10±0.2 0.8 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60.800 V Plastic case with alu-bottom

D30VC60

Abstract: VC40 VC80 vc20 VC60
Contextual Info: D30 VC20 … D30 VC80 Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Silicon-Twin Rectifiers Center tap Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

dan 208

Contextual Info: DAN 208 / DAP 208 1.2 W Silicon-Twin Diodes Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 150 V 3 Pin-Plastic case 3 Pin-Kunststoffgehäuse

EAA91

Abstract: 871 diode UB41
Contextual Info: PHILIPS UB 41 DOUBLE DIODE with separate cathodes for signal detection and other purposes DIODE DOUBLE avec cathodes séparées pour la détection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke

Contextual Info: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-03-02 Nominal current Nennstrom 10.9±0.3 _ 10.9±0.3 = Ø 3.9 = 15.2 ±0.2 min. 24 1.0 6.3 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse

MAX420

Contextual Info: PHILIPS AB 1 AB 2 DOUBLE DIODE for signal detection and other purposes DOUBLE DIODE pour la detection de signaux et d ’autres utilisations DOPPELDIODE für Empfangsgleichrichtung und andere Zwecke Heating indirect îparallel supply Chäuffage: indirect ¡alimentation- pa:

4413

Contextual Info: EBF 2 P H ILIP S DOUBLE-DIODE PENTODE with variable mutual conductance for use as R.F., I.F. and A.F. amplifier DOUBIE-DIODE-PENTHODE à pente variable pour utili­ sation en amplificatrice H.F., M.F. et B.F. DOPPELDIODE-PENTODE mit veränderlicher Steilheit zur

cbl6

Contextual Info: PHILIPS CBL 6 DOUBLE DIODE-OUTHJT PENTODE DOUBLE DIODE-PENTHODE DE SORTIE DOPPELDIODE-ENDPENTHODE Heating: indirect by A.C. or D.O.; series supply Chauffage: indirect par C.Â. ou C.C.; alimentation en série Heizung: indirekt durch Wechsel­ oder Gleichstrom;

P 939 DIODE

Abstract: EBL1
Contextual Info: PHILIPS ABL1 DOUBLE DIODE-OUTPUT PENTODE DOUBLE DIODE-PENTHODE DE SORTIE DOPPELDIODE-ENDPENTODE Keating :indirect; parallel supply Vf =4,0 V Chauffage :indirect ; alimentation- parallèle =2 4 A Heizung :indirekt; Parallelspeisung * * m ax 46 Dimensions in mm

EB41

Contextual Info: EB41 PH ILIPS D O UBLE DIODE with separate cathodes DIO D E DOUBLE avec cathodes séparées DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden Heating: indirect by A.C. or D.C.; parallel supply Chauffage: indirect par C.A. ou C.C.; alimentation en parallèle Heizung: indirekt

Contextual Info: PHILIPS EB 4 DOUBLE DIODE with separate cathodes for signal detec­ tion and other purposes DOUBLE DIODE avec cathodes séparées pour la détection et d'autres applications DOPPELDIODE mit getrennten Kathoden für Empfangs­ gleichrichtung und andere Zwecke

DD810

Contextual Info: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-06-09 1.0 min. 24 6.3±0.2 10.9±0.3 _ = ~ 10.9±0.3 = ~ Ø 3.9 15.2±0.2 Nominal current Nennstrom 10 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse

VC60

Abstract: VC80 vc20 VC80 diode VC40 VC80F
Contextual Info: D30 VC20 … D30 VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal current Nennstrom Type ”F” 30 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

DD810

Contextual Info: DD810 DD810 Silicon Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Version 2006-02-17 Nominal current Nennstrom 10.9±0.3 10 A = Alternating input voltage Eingangswechselspannung 10.9±0.3 Ø 3.9 _ = Plastic case Kunststoffgehäuse 15.2±0.2 1.0 15.2 x 15.2 x 6.3 [mm]

DIODE D60

Abstract: D60VC120F
Contextual Info: D60 VC20 F … D60 VC120 F Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.6 x 28.6 x 10 [mm]

DAN208

Abstract: DAP208
Contextual Info: DAN208 / DAP208 1.2 W DAN208 / DAP208 (1.2 W) Silicon-Twin Rectifiers – Center Tap Silizium-Doppeldiode – Mittelpunktschaltung Version 2008-04-15 ±0.2 ±0.2 3.5 8.5 6.6 ±0.2 Type Typ 150 V 8.5 x 3.5 x 6.6 [mm] 0.7 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton

Contextual Info: DAN 401 / DAP 401 200 mW Small Signal Twin Diode Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 200 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 80 V 5 Pin-Plastic case 5 Pin-Kunststoffgehäuse

EBC81 TUBE

Abstract: EBC 81 ebc81 939 diode 21958 tube double triode rs tube PF09
Contextual Info: PHILIPS E B C 81 DOUBLE DIODE-TRIODE for use as A.F. amplifier DOUBLE DIODE-TRIODE pour utilisation en amplificatrice B.F. DOPPELDIODE-TRIODE zur Verwendung als NF-Verstärker Heating : indirect by A.C. or D.C.; parallel supply Chauffage: indirect par C.A. ou C*C«;

D30VC20

Abstract: D30VC60F
Contextual Info: D30VC20 … D30VC80 Silicon-Twin Rectifiers Center tap Silizium-Doppeldioden Mittelpunktschaltung Version 2004-10-01 Nominal current – Nennstrom Type ”F” Alternating input voltage Eingangswechselspannung 30 A 60…250 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden

VC60

Abstract: diode d60
Contextual Info: D60 VC20 … D60 VC120 Silicon-Twin Rectifiers Silizium-Doppeldioden Nominal current Nennstrom 60 A Alternating input voltage Eingangswechselspannung 60…800 V Plastic case with alu-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden Dimensions Abmessungen 28.5 x 28.5 x 10 [mm]