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TELEFUNKEN

Abstract: TELEFUNKEN IR
Contextual Info: VISHAY ▼ Vishay Telefunken Board Layout for all Vishay Telefunken IR Transceiver Devices Vishay S e m ico n d ucto r G m bH p rovides G erber plots and sam ples o f the d escribed boards. The 4 M bit/s tra n sce ive r is the m ost layout sensitive device in the Vishay Telefunken tra n sce ive r family.

Scans-0017928

Contextual Info: Z iffern an zeig erö h re Gas gefüllte Kaltkatodenröhre GN6 - V orläu fig - vorne Abmessungen siehe B la tt 2 Gewicht ca. 8 g 1. B e tr ie b s w e r te für Gleichspannung-^ Anodenbetriebsspannung Anodenwiderstand K atodenstrom UB a Ra Ik 200 33 1 ,7 300

Scans-0017928

Contextual Info: GN5 GN5A Z iffern a n z eig erö h re - V orläu fig - k9 Gewicht ca. 1. B e tr ie b s w e r te für Gleichspannung^ Anodenbetriebs Spannung Anodenwiderstand K atodenstrom UB a h 200 18 3, 5 250 33 3, 5 300 47 3, 5 400 75 3 ,5 V kn mA 2. G renzw erte M inim ale Speisespannung

1510195

Abstract: C3EX
Contextual Info: Pentode hoher Lebensdauer für HP- and NF-Verstärkung max, ü-ewicht: netto 55 g 1• Heizerwerte für Parallelspeisung Heizspannung Uh Heizstrom I h Oxydkatode, 18 y ca» 0,24 A 220 V V 200 V indirekt geheizt 2. Betriebswerte Anodenspannung Bremsgitter Spannung

ax6120

Abstract: 2mm t120 120x32 T120A-54LEDTP T120B-54LW T120A-54LED T-120B T120L-53
Contextual Info: LCD-GRAFIK MODUL Stand 14.1.2009 120x32 PIXEL . 2 - + °C 7 Abmessung: 67,9x38,6mm TECHNISCHE DATEN * * * * * * * KONTRASTREICHE SUPERTWIST ANZEIGE GRÜN KONTROLLER AX6120 ODER KOMPATIBEL INTEGRIERT ANSCHLUSS AN 8-BIT DATENBUS SPANNUNGSVERSORGUNG +5V / -0,9.-2,2V max. 800µA

Contextual Info: ANALOG DEVICES FEATURES 8 x 8 High Speed Nonblocking Switch Arrays AD8108: G = +1 AD8109: G = +2 Serial or Parallel Programming of Switch Array Serial Data Out Allows “Daisy Chaining” of Multiple 8 x 8s to Create Larger Switch Arrays Output Disable Allows Connection of Multiple Devices

Contextual Info: Series B48-2T, B48-2 35-50 A m p * DIODE Modules • Single and Three Phase Circuits Sngle- and three-phase diode circuits come in a panel mount package that provides 2500 Vrms isolation from the terminalsto the ceramic base. Availablein ratings up to 1600 Volts, all models are

SPF455

Abstract: SPF 455 H 5 SPF 455 msf 38.9 SPF 455 h5 455-A6 SPF10700 455-B6 SFU 455 Y veb taschenbuch
Contextual Info: Mechanische Frequenzfilter Sondererzeugnisse Kombinat VEB Elektronische Bauelemente F R E Q U E N Z S E L E K T IV E B A U E L E M E N T E In h alt Piezokeram ische B a ndfilte r O b e rflä ch e n w e lle n filte r Seite 6 16 S O N D E R E R Z E U G N IS S E

bauelemente DDR

Abstract: SPF 455 Teltow Mechanische Filter VEB Kombinat zf filter rft katalog SPF 10700 49004 SPF455 490.2159 Kombinat VEB Elektronische Bauelemente
Contextual Info: Passive elektronische Bauelemente O Widerstände Q Kondensatoren 0 Kinlaklfcaüelemenle 2 Suidererzeognisse Passive elektronische Bauelemente Auf allen G ebieten der Elektronik und Elektrotechnik werden an Leistungsfähigkeit, Lebensdauer und Zu­ verlässigkeit elektronischer Bauelemente ständig

information applikation mikroelektronik

Abstract: information applikation Mikroelektronik Information Applikation applikation heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik DDR radio fernsehen elektronik "information applikation"
Contextual Info: m o lk ^ o e le l-c ts n a r iik c Information Applikation 31/2 DIGIT CMOS Analog-DigitalWandler G O Q . i m f l k i n i o e l B l H c f a p a r T B Inform ation Applikation Heft C 47: 7 13 6 A / D - W a n d l e r I 1 * *• vm b u w t L frrinkfu r f c / o d f

VEB mikroelektronik

Abstract: 4565 D A2005V KP303 KP303D U806D analoge schaltkreise a4100d A209K sf126d
Contextual Info: DATEN BUCH 0 /x *«» Der vorliegende T ite l ist ein w eite re r Band d er D aten­ buch-R eihe Uber die M ikroelektronik. B auelem ente Die A pplikationszentrum R eihe wird Elektronik des im Berlin VEB Kom binat A uftrag des und des VEB M ilitär­ verlages herausgegeben.

TESLA BP 4651

Abstract: tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM
Contextual Info: Fertigungssortiment ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE ELEKTRONENMIKROSKOPE NMR SPEKTROMETER EINHEITLICHE KLASSIFIKATION: FACHGEBIET391 TESLA BRNO NATIONALUNTERNEHMEN INHALT 39111 - ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE FÜR SPANNUNGEN UND ABGELEITETE GROSSEN K L A S S IF IK A T IO N

diode R 360 BL

Abstract: IRFP048N TO-247AC Package IRFZ48N
Contextual Info: PD - 9.1409A IRFP048N HEXFET Power MOSFET l l l l l Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 55V RDS on = 0.016Ω G Description ID = 64A S Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

SAK-TC1765N-L40EB

Abstract: SAK-TC1765T-L40EB TC1765 TC1765N TC1765T Infineon Technologies dda0 b0505-2 Q67121-C2348
Contextual Info: Da ta She et, V1 .2, De c. 2 00 2 TC1765 32-Bit Single-Chip Microcontroller Microcontrollers N e v e r s t o p t h i n k i n g . Edition 2002-12 Published by Infineon Technologies AG, St.-Martin-Strasse 53, 81669 München, Germany Infineon Technologies AG 2002.

Contextual Info: Series B-2T, B-2 25-42.5 A m p * 9CHDI0DE M odules Modules come in eight standard circuits and are designed to control AC or DC variable voltage output up to 15KW. The package comes w ith standard .250 quick-connect terminals. All models have 2500 Vrms isolation and are UL

0648R

Abstract: 8-4-25-E
Contextual Info:
              25 20 18 2,5 M 5 x0 ,5 8 LE D    
                      N J0,6-3-22-E 2 N J0,6-4G M 22-E 2 N J0,8-4-25-E 2 N J0,8-5G M 25-E 2 N J0,6-3-22-E

Contextual Info:
   
 
      
  R eduktionsfaktor                     N J1,5-8G M -N N J1,5-8G M -N -V 1 N C B 1,5-8G M 25-N 0 N C B 1,5-8G M 25-N 0-V 1 r V 2A 0,85 0,85 0,65 0,65

Contextual Info:
   
               
                      S chließ er N C B 10-30G M 60-Z 0 N C B 10-30G M 60-Z 0-V 1 N C N 15-30G M 60-Z 0 N C N 15-30G M 60-Z 0-V 1

IRF540N

Abstract: IRFP140N
Contextual Info: PD - 91343B IRFP140N HEXFET Power MOSFET l l l l l Advanced Process Technology Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D VDSS = 100V RDS on = 0.052Ω G ID = 33A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

Contextual Info:
               
                      N B B 10-30G M 50-E 2 N B B 10-30G M 50-E 2-V 1 N B N 15-30G M 50-E 2 N B N 15-30G M 50-E 2-V 1 N B B 10-30G M 50-E 0

Contextual Info:
            
                      N B B 1,5-8G M 20-E 2-V 3 N B B 1,5-8G M 50-E 2 N B B 1,5-8G M 40-E 2-V 1 N B B 1,5-8G M 50-E 2-V 3 N B B 1,5-8G M 50-E 0 N B B 1,5-8G M 40-E 0-V 1

Contextual Info:
   
                C J10-30G M -E 2 C J10-30G M -E 2-V 1     C J10-30G K -E 2 C J10-30G M -E C J10-30G M -A 2     C J10-30G K -E C J10-30G M -A 2-V 1 C J10-30G M -A

60947-5-2

Contextual Info:
   
                
  R eduktionsfaktor                   N J2-12G K -N N J4-12G K -N N C B 2-12G M 35-N 0 N C B 2-12G M 35-N 0-V 1 r V 2A 0,85 0,85 0,7

Contextual Info:
   
             
  
 S chließ er

S chließ er           N E B 3-8G M 45-E 2 N E B 3-8G M 50-E 2-V 3 N E B 3-8G M 45-E N E B 3-8G M 50-E -V 3 A rbeitsschaltabstand s a [m m ] 0 .1,215