DIODE SY 171 Search Results

Contextual Info: Application Note 1717 ISL6726EVAL2Z: 24V to 12V 90W Active Clamp Forward DC/DC Converter Introduction Design Specifications The board is a 24V input to 12V output DC/DC converter that can output current up to 7.5A. It is implemented with Intersil’s Active Clamp Forward ACF current-mode PWM controller,

Diode KD 514

Abstract: B30C250 GD507A DIODE OA-172 kyx 28 SY360 ky 202 h thyristor B280C1500 C5000-3300 BZY79C
Contextual Info: Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen BauelementeMitteilunq Nr.7 Diodenvergleichsliste Verfasser: Dipl.-Ing. Klaus-Peter Hartmann Abteilung PMM Herausgeber: \>y Studiotechnik Fernsehen Informationsstelle RIS 1429 1 19 9 Berlin Rudower Chaussee 3 Fernruf: 6 7 3 3381

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

diode sy 171 10

Abstract: diode sy 170/10
Contextual Info: Philips Semiconductors Product specification Rectifier diodes ultrafast BYV40 series GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Glass passivated high efficiency dual rectifier diodes in a plastic envelope suitable for surface mounting, featuring low forward voltage drop,

diode sy 171

Abstract: "DIODE" SY 171 1 diode sy 171 10 "DIODE" SY 171 "DIODE" SY 171 1 g
Contextual Info: SILICON MONOLITHIC BIPO LAR DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT TD62083APA 8CH DARLINGTON SINK DRIVER The TD62083APA is high-voltage, high-current darlington drivers comprised of eight NPN darlington pairs. All units feature integral clamp diodes for switching inductive loads.

diode sy 171 10

Abstract: diode sy 171 "DIODE" SY 171 1 g diode ITT 172
Contextual Info: - TC74LVX14F/FN/FS HEX SCHMITT INVERTER T he T C 74L V X 14 is a h ig h speed CMOS H E X SCH M ITT IN V ER T E R fab ricated w ith silicon gate C2MOS technology. D esigned for use in 3.3 V olt system s, i t achieves h ig h speed o peration w hile m a in ta in in g th e CMOS low pow er dissipation.

integrated circuits equivalents list

Abstract: FCH161 FCH181 FCH191 FJJ14 7400N FCL101 equivalent 7420N FCL101 FJH111
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS Mullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC •RC ■RC ■RC ■RC ■RC RC RC RC RC ■RC RC 224 225 226 227 231 234 236 246 261 266 286 296 Mullard comparable

fch131

Abstract: integrated circuits equivalents list rc 261 7400N FJJ14 FCL101 FCH131 equivalent ttl NAND gate with expander 7402N 7420N
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS M ullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC 224 •RC 225 ■RC 226 ■RC 227 ■RC 231 ■RC 234 RC 236 RC 246 RC 261 RC 266 ■RC 286 RC 296 M ullard comparable

Diode SY 356

Abstract: SY 356 sy356 34992 diode sy 345 C6042 Lautsprecher LP SY360 sy 360 stassfurt
Contextual Info: SERVICE-M ITTEILUNGEN V E B IN O U S T R tE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N r a d i o -television AUSGABE: Seite 1986 1-4 Mitteilung aus den VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt 1. Ablösung der sowjetischen Ge-Diode D 7 D in den Geräten

integrated circuits equivalents list

Abstract: FCY101 FCH151 FCH191 7400N 7402N 7420N FCL101 FJH101 FJH111
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS M ullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC 224 •RC 225 ■RC 226 ■RC 227 ■RC 231 ■RC 234 RC 236 RC 246 RC 261 RC 266 ■RC 286 RC 296 M ullard comparable

FCH121

Abstract: FCL101 7400N 7490N 7402N 7420N FJH101 FJH111 FJH121 FJH131
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS M ullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC 224 •RC 225 ■RC 226 ■RC 227 ■RC 231 ■RC 234 RC 236 RC 246 RC 261 RC 266 ■RC 286 RC 296 M ullard comparable

integrated circuits equivalents list

Abstract: FCH111 Mullard Diode FCL101 7472N equivalent 7400N FCH131 7402N 7420N FJH111
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L V E R S IO N S Mullard equivalent Type No. TTL r a n g e DTL r a n g e - RC 206 - RC 210 RC 216 RC •RC ■RC ■RC ■RC ■RC RC RC RC RC ■RC RC 224 225 226 227 231 234 236 246 261 266 286 296 Mullard

mikroelektronik ddr

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
Contextual Info: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik

integrated circuits equivalents list

Abstract: FCH141 FCH191 7400N FCL101 7402N 7420N FJH101 Mullard Diode FJH121
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS M ullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC 224 •RC 225 ■RC 226 ■RC 227 ■RC 231 ■RC 234 RC 236 RC 246 RC 261 RC 266 ■RC 286 RC 296 M ullard comparable

FCH211

Abstract: FCH101 FCL101 FCH 211 dtl logic gates FCH191 7451 ttl fch 131 tl 741 7402N
Contextual Info: INTEGRATED CIRCUITS EQUIVALENTS LIST C O M M E R C IA L VERSIONS M ullard equivalent Type No. TTL range DTL range - RC 206 - RC 210 RC 216 RC •RC ■RC ■RC ■RC ■RC RC RC RC RC ■RC RC 224 225 226 227 231 234 236 246 261 266 286 296 M ullard comparable

PS5003HC

Contextual Info: DATA SHEET PHOTO INTERRUPTER NEC P S 5003H C ELECTRON DEVICE PHOTO 1C INTERRUPTER - N E P O C S E R IE S - DESCRIPTION PACKAGE DIMENSIONS Unit : mm The PS5003HC photo interrupter module is a GaAs Light E m ittin g Diode coupled to a Si m onolithic integrated circuit

sc11171

Abstract: SC11176CN SC11176CN-65 sc1117
Contextual Info: SC11171/SC1U76 High Performance CMOS Color Look-up Table SIERRA SEMICONDUCTOR □ □ □ □ □ Anti-sparkle circuitry. Compatible With the RSI 70 Video Standard. Pixel Rates Up to 65 MHz. 256k Possible Colors. Single Monolithic, High Performance CMOS. Low DAC Glitch Energy.

GVVZS3000-21A-2

Abstract: VVQ2000-51A-C10 SS5V1-W16SA1WD-06B-C6 EX500-AC000-S diode catalogue AS3000 SS5V1-16 GVVZS3000-21A-4 IEC529 turck 8 pin m12 connector
Contextual Info: 5 Port Solenoid Valve Series SV SV SY SYJ SX VK VZ VF VFR VP7 VQC SQ VQ VQ4 VQ5 VQZ VQD VFS VS VS7 VQ7 1.1-1 New Concept Connector Type Manifold Series Series SV1000/2000/3000/4000 SV1000/2000/3000/4000 The use of multi-pin connectors to replace wiring inside manifold blocks provides

VEB mikroelektronik

Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
Contextual Info: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn­ d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden

Contextual Info: C i r c u i t D e s c r i p t io n Pin Descriptions Pin Name Description The first three pins described are defined and named depending upon the timing mode chosen for use. In timing modes 0,1 and 3, the pins F/BLANK*, H/HSYNC* and V/VSYNC* refer to BLANK*, HSYNC* and VSYNC*. In timing mode 2 they refer to F field , H (horizontal blank),

VQB71

Abstract: vqb 71 Halbleiterbauelemente DDR "halbleiterwerk frankfurt" U105D diode sy-250 U107D u311d hfo frankfurt sy 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente D ie v o r lie g e n d e Ü b e rs ic h t e n t h ä l t i n g e d rä n g te r Form d ie w ic h tig s te n G renz- und K enndaten d e r i n d e r DDR g e f e r t i g t e n H a lb le ite r b a u e le m e n te . D ie K ennw erte werden im a llg e m e in e n f ü r e in e U m gebungstem peratur von

Contextual Info: 2 THIS £L DRAWIN G IS UNPUBLISHED. BY C O P Y R I G H T 20 RELEASED TYCO ELECTRONICS CORPORATION. ALL FOR 20 PUBLICATION R 1G H T S LOC DIST R E V I S I O N S 00 AA RESERVED. LTR DESCRIPTION DATE RELEASED REV PER E C O - 0 7 - 00 I 8 5 8 B I ADDED B2 E C R - 08-020353