DIN418 Search Results

Pertinax

Contextual Info: VISHAY _ Vishay Telefunken ▼ Assembly Instructions General Surface Mounted Devices S em iconductor devices can be m ounted in any position. The term inal length may be bent at a distance greater than 1.5 mm from the case provided no

SM7060

Abstract: 140MHz IF demodulator IC SD7060 SD706 AN993 ISL83700EVAL ISL83740EVAL ISL87060 ISL87060DIK DIN616
Contextual Info: Intersil's ISL83700EVAL and ISL83740EVAL Evaluation Kits provide a means to efficiently evaluate the performance of the ISL837030/ISL83740 Modem Reference Designs and ISL87060 Modem Chip Set. This kit includes everything needed to exercise and monitor the performance of the modem in a laboratory environment.

Contextual Info: EUPE<: 52E D • BmDBST? DOOObMô ^ 2 ■ UPEC T15.1N 7^ z5 - / 5 Typenrelhe/Type range T 15.1 N 400 600 Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige Werte Vdrm, VrrM Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Effektiver DurchlaBstrom

BV725

Abstract: BV726 SKIC2001 semikron SKIC SKIC2001A u416 LM78C LM78C05ACM GL11 RESISTOR ARRAY GL11
Contextual Info: Values Units 18 V SEMIDRIVER IGBT Driver Circuit SKIC 2001 6 V Preliminary Data VDD5V + 0,3 GND - 0,3 13,5 V V V 50 – 25 . + 85 kHz °C Values Units 15 + 5 % 5+5% 9,99 . 10,01 V V V 3 15 860 mA mA ns Absolute Maximum Ratings Ta = 25 °C Symbol Term

150L120A

Abstract: 150LA 45L100 2088a BS3934 cr 29c BS9300 45L15 150K-A 150L80A
Contextual Info: 73 DE|4fi5545H 0007350 3 | Data Sheet No. PD-2.088A 73C 07350 4855452 INTERNATIONAL RECTIFIER D T -a /-3-/ in t e r n a t io n a l r e c t if ie r 45L, 15QK-A, 1SOL-A, 150K5 SERIES 1 5 0 Amp Power Silicon Rectifier Diodes Description Major Ratings and Characteristics

ips 500w circuit diagram

Abstract: DIN41892 T13F 90A2s
Contextual Info: 0 0 2 94 26 A E G ai CORP "de"! □ D a i 4 ah ÜOGSTflB 0 ! “ T~-J?£-/S T 13 F 100 * Typenreihe/Type range T 13F Elektrische Eigenschaften Electrical properties 200 Höchstzulässige Werte Maximum permissible values U drmi U rrm Periodische Vorwärts- und

DIN41814

Contextual Info: fil D E l G D E T M E b Typenreihe/Type range A1050S E le k trisch e Eig en sch aften E le ctrica l properties H ö ch stzu lä ssig e Werte Periodische VorwärtsU d rm Spitzensperrspannung Periodische RückwärtsU rrm Spitzensperrspannung Rückwärts-Stoßspitzenspannung

diode 242

Abstract: rts 1620 DIN41814-155B4 AEGG DIN41814
Contextual Info: A E Ö- AK T I E N G E S EL L S C H A F T fllC D □02^415 G0QST71 4 • AE6£ A 930 S A930S E le ktrisch e Eigenschaften E le ctrica l properties H ö ch stzu lä ssig e Werte Periodische VorwärtsU dhm Spitzensperrspannung Periodische RückwärtsU rrm

DIN41814

Abstract: DIN41814-151A4
Contextual Info: y T158S 200* 400 Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Udrm , U rrm Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Effektiver Durchlaßstrom I trmsm Dauergrenzstrom Itavm Maximum permissible values repetitive peak forward off-state

T670 AEG

Abstract: T670F AEG T 250 N 700 IWF111 T670 DT700 AEG T 670 F U/25/20/TN26/15/850/T670F
Contextual Info: T 670 F A E G CORP fil T670F Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige Werte U d r m i U r r m Periodische Vorwärts-und Rückwärts-Spitzensperrspannung Effektiver Durchlaßstrom It r m s m Dauergrenzstrom It a v m Maxim um perm issible values

aeg T308

Abstract: AEG T 308 f T308 T308F 0588 DIN41814
Contextual Info: _ 0029426 A E G 81C 05882 CORP Û1 E G CORP D T '¿S " /? p F | o D 2 ci4 Eb □□□SflfiE 1 I T 3 0 8 F Typenrelhe/Type range_ T 3 0 8 F _ 200_ 400_ 500_ 600 Elektrische Eigenschaften

DIN41814

Abstract: AEG A 518 sinus 069-C DIN41814 page 256
Contextual Info: 0029426 A E G CORP fil D E ^ O D H 'm H t. D O O S 'itT 5 | A 518 S 600 Typenreihe/Type range A 51 8S E lektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte Periodische VorwärtsU drm Spitzensperrspannung Periodische RückwärtsU rbm Spitzensperrspannung

HALL EFFECT 21E

Abstract: thyristor aeg aeg thyristor transistor Common Base configuration general electric C22B equivalent transistor bc 172 b aeg 2101 thyristor bipolar power transistor data BC 148 TRANSISTOR sot-23 npn marking code cr
Contextual Info: Bipolar Power Transistor Data Book 1996 Semiconductors TELEFUNKEN Semiconductors Contents General Information . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Selector Guide, Alphanumeric Index . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Pertinax

Abstract: DIN41869 sot23 rthjc
Contextual Info: Assembly Instructions D Reduction of the component-mounting costs by fully General automatic mounting Semiconductor devices can be mounted in any position. The terminal length may be bent at a distance greater than 1.5 mm from the package provided no mechanical force

DIN41892-201C3

Abstract: QDGS777 DIN41892
Contextual Info: G-AKTIENGESELLSCHAFT fllC D • 0D2c1415_0DD57?b b ■ AEGG T10F Typenreihe/Type range_T1 0 F 100* 200 Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte U dhmi U rrm Periodische Vorwärts-und Rückwärts-Spitzensperrspannung

diode S4 68a

Abstract: 3456B A198S DIN41814-151A4 A198 DIN41814
Contextual Info: AE G -A K T IEN G ESELLSC H A FT Ô 1CD H G O S T M IS D G D S T b H ? •A E G G A 198 S Typenreihe/Typerange_ A198S 600 Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Periodische VorwärtsU drm Spltzensperrspannung

diode t318

Abstract: T318 R318A T318F
Contextual Info: T 3 1 8 F A E G CORP fll T ypenreihe/Type range_ T318 F _ 600_ 800 1000_ 1100_ E le k trisch e Eigen sch aften E le ctrica l properties H ö ch stzu lä ssig e W erte M axim um p e rm issib le v alues repetitive peak forward off-state

RG11T

Abstract: diode T128 T128F DIN41814-151
Contextual Info: A E G - A K T I E NG ESEL LS CHAF T Ö1C D • GDETMIS DOOSaHb I M A E G G T 128 F 600 Typenreihe/Type range T128F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte Udrmi Urrm Periodische Vorwärts-und Rückwärts-Spitzensperrspannung

DIN41814-151A4

Abstract: t178f
Contextual Info: A E G-AKTIENGESELLSCHAFT Ö1C D • GDSTMIS DÜGSÔSM O ^ A E G G T 178 F Typenreihe/Type ränge T178F Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte U d r m . U r r m Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Effektiver Durchlaßstrom

diode T128

Abstract: 05852 aeg t128 aeg diode SO47 D-10 DIN41814 T128F T128 AEG T 25 N 1100
Contextual Info: 0029426 A E G A E G 81C 058 46 CQRP "aï CORP Typenreihe/Type range T 128 F 600 Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte U drm, Urrm Periodische Vorwärts-und Rückwärts-Spitzensperrspannung Effektiver Durchlaßstrom Itrmsm

2T930

Abstract: T930S t930 DIN41814 T930S1600 6220a
Contextual Info: A E ¿ - A K T I E NG ESEL LS CHAF T SIC D B 002=1415 0005=54? 7 M A E SG T9 3 0 S Typenreihe/Type ränge T930S Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte U drm, U rrm Periodische Vorwärts-und Rückwärts-Spitzensperrspannung

BU 508 transistor

Abstract: transistor bu Bu608A bu508 transistor BU 608 bu 508 sot-23 2603 transistor bc 488 BU608
Contextual Info: TELEFUNKEN ELECTRONIC 1?E D • fl^EOO^b DOQTMbS BU 508 •*BU 508 A ■¡rHUHFMMKIM electronic Cf«aliy«Technologies T -32-/3 Silicon NPN Power Transistors Applications: Horizontal deflection circuits in color TV receive« Features: • In triple diffusiion technique

BV726

Abstract: BV725 SKIC2001A semikron SKIC SKIC2001 LM78L05S u416 U427
Contextual Info: s e MIKRD n Values U nits 18 V SEMIDRIVER IGBT Driver Circuit SKIC 2001 6 V P re lim in a ry D ata V dd5V + 0>3 GND - 0,3 13,5 V V V 50 - 2 5 . + 8 5 kHz °C Values U nits 15 ± 5 % 5± 5% 9,99 . 10,01 V V V 3 15 860 mA mA ns Absolute Maximum Ratings Ta = 25 °C

HALL EFFECT 21E

Abstract: thyristor aeg transistor SMD 12E transistor Common Base configuration TRANSISTOR SMD MARKING CODE 2s aeg thyristor NPN transistor bc 148 lg smd transistor diode marking code YF MARKING SMD TRANSISTOR GG
Contextual Info: RF Transistors Data Book 1997 Conventions Used in Presenting Technical Data Nomenclature for Semiconductor Devices According to Pro Electron The part number of a semiconductor device consists of two letters followed by a serial number. For example: B Material