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CG-40

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D20N

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D20N

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D20NE06

Abstract: ISD36A STD20NE06 D20NE st microelectronics MOSFET automotive
Contextual Info: D20NE06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ” SINGLE FEATURE SIZE ” POWER MOSFET TYPE ST D20NE06 • ■ ■ ■ ■ V DSS R DS on ID 60 V < 0.040 Ω 20 A TYPICAL RDS(on) = 0.032 Ω EXCEPTIONAL dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED APPLICATION ORIENTED

Contextual Info: SDU/D20N03L SamHop Microelectronics Corp. July 2004 ver1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS ON (mW) Super high dense cell design for low RDS(ON). Max Rugged and reliable. 15 @ VGS = 10V 30V

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Contextual Info: SDU/D20N03L SamHop Microelectronics Corp. July 2004 ver1.2 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS ON (mW) Super high dense cell design for low RDS(ON). Max Rugged and reliable. 15 @ VGS = 10V 30V

D20N03L

Abstract: D20N03
Contextual Info: S T U/D20N03L S amHop Microelectronics C orp. J uly 23 ,2004 V er1.1 N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E AT UR E S P R ODUC T S UMMAR Y V DS S ID R DS ON ( mW) S uper high dense cell design for low R DS (ON ). Max R ugged and reliable.

D20N06

Abstract: TRANSISTOR SDM M6 SDM M6
Contextual Info: D20N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE ”ULTRA HIGH DENSITY” POWER MOS TRANSISTOR TYPE V DSS R DS on ID ST D20N06 60 V < 0.03 Ω 20 A (*) • ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ TYPICAL RDS(on) = 0.026 Ω AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY 100% AVALANCHE TESTED

D20N

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L43L43

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Contextual Info: S T U/D20N03L S amHop Microelectronics C orp. J uly 23 ,2004 V er1.1 N-C hannel Logic Level E nhancement Mode Field E ffect Transistor F E AT UR E S P R ODUC T S UMMAR Y V DS S ID R DS ON ( mW) S uper high dense cell design for low R DS (ON ). Max R ugged and reliable.

Contextual Info: SDU/D20N03L SamHop Microelectronics Corp. JULY, 2002 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES PRODUCT SUMMARY VDSS ID RDS ON Super high dense cell design for low RDS(ON). ( mW ) TYP Rugged and reliable. 13 @ VGS = 10V 30V TO-252 and TO-251 Package.

1055

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p20n20

Abstract: F20N20 D20N20 STD20N20T4 STD20N20 STF20N20 STP20N20 STripFET P20-N F20N
Contextual Info: STP20N20 STF20N20 - D20N20 N-CHANNEL 200V - 0.10Ω - 18A TO-220/TO-220FP/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET II MOSFET DATA BRIEF Figure 1: Package Table 1: General Features TYPE D20N20 STF20N20 STP20N20 • ■ ■ ■ VDSS RDS on Id PW 200 V 200 V 200 V