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Contextual Info: IflE SILICONIX INC D Ô55473S 0 0 1 4 0 3 ^ 4 • BS208 fT S iB c a n ix JLW in c o rp o ra te d T -2-7-Z5 P-Channel Enhancem ent-M ode MOS Transistor PRODUCT SUMMARY TO-92 V BR DSS (V) fDS(ON) ( Í1 ) Id (A) PACKAGE -2 0 0 14 - 0 .2 TO-92 RM BOTTOM VIEW 1 DRAIN

Contextual Info: BS208 P–CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR POWER SEMICONDUCTOR Features • • • • • High Breakdown Voltage High Input Impedance Fast Switching Speed Low Drain-Source On-Resistance Specially Suited for Telephone Subsets E A TO-92 B C Mechanical Data

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BS208

Abstract: MDA709
Contextual Info: DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BS208 P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor Product specification File under Discrete Semiconductors, SC13b April 1995 Philips Semiconductors Product specification P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

bs208

Contextual Info: Philips Components Datasheet status Product specification dateof issue February 1991 BS208 P-channel enhancem ent m ode vertical D -M O S transistor PIN CONFIGURATION FEATURES PIN • Direct interface to C -M O S • High-speed switching • No secondary breakdown.

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Abstract: IP-67
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BS208

Contextual Info: BS208 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR Features High Breakdown Voltage High Input Impedance Fast Switching Speed Low Drain-Source On-Resistance Specially Suited for Telephone Subsets TO-92 Mechanical Data_ • • • • Case: TO-92, Plastic

Contextual Info: This version: Apr. 7 .1 9 9 9 O K I Semiconductor_ MSC23836C-XX BS20/DS20 8,388,608-word x 36-bit DYNAMIC RAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The MSC23836C-BS20/DS20 is an 8,388,608-word x 36-bit CMOS dynamic random access memory module

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IQXO-626

Abstract: BS2011 IQXO-625 IQXO-627
Contextual Info: IQXO-625, -626, -627, -628 Military Oscillator ISSUE 4; 8 JULY 1999 n Solderability: BS2011 test TA Delivery Options n Vibration: 10 to 60Hz 0.75mm displacement, 60 to 2000Hz 98.1m/s2 acceleration, 30 minutes in each of three mutually perpendicular planes.

bs209

Contextual Info: BS209 P-Channel Enhancement Mode DMOS Transistor Features - high input impedance - low gate threshold voltage - low drain-source ON resistance - high-speed switching - no minority carrier storage time - CMOS logic compatible input - no thermal runaway - no secondary breakdown

Contextual Info: BS208 VISHAY P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE DMOS TRANSISTOR T E M ir I/u POWEF SEMICONDUCTOR / Features High Breakdown Voltage High Input Impedance Fast Switching Speed Low Drain-Source On-Resistance Specially Suited for Telephone Subsets TO-92 Dim Min Max A

Contextual Info: O K I S em iconductor M SC23236C/CL-X X BS20/PS20 2,097,152-Word x 36-Bit DRAM MODULE : FAST PAGE MODE TYPE DESCRIPTION The OKI MSC23236C/CL-BS20/DS20 is a fully decoded 2,097,152-word x 36-bit CMOS Dynamic Random Access Memory Module composed of sixteen 4-Mb DRAMs 1M x 4 in SOJ

BS208

Abstract: BS-208
Contextual Info: BS208 DMOS Transistors P-Channel TO-92 FEATURES .142 (3.6) min. .492 (12.5) .181 (4.6) .181 (4.6) max. ∅ .022 (0.55) ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ ♦ High breakdown voltage High input impedance Low gate threshold voltage Low drain-source ON resistance

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