BPX 48 Search Results

BPX osram

Abstract: GEOY6638 Q62702-P17-S1 Q62702-P305 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit

Q62702-P17-S1

Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Q62702-P17-S1 equivalent

Abstract: Q62702-P305 Q62702-P17-S1 BPX48
Contextual Info: BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Speziell geeignet für Anwendungen im

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

Contextual Info: BPX 48 BPX 48F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Differential Photodiode Dimensions in inches mm .159(4.05) I .147 (3.75) I H 0e to 5° Cathode uauiuub / ?4 _ noR Lead spacing n 6 2) ~ T .096 (2.45) idre" DESCRIPTION The differential photodiode BPX 48 is designed for special industrial electronic

Contextual Info: BPX 90 BPX 90F SIEMENS DAYLIGHT FILTER Silicon Planar Photodiode D im ensions in inch e s m m .212(5.4) .193(4,9) 177 (4.5) .090(2.3) 07912.(5) C hip position .024 (.6) .016 (.4) FEATURES • Especially suitable for applications - BPX 90: 400nm to 1100 nm

foto sensor

Abstract: osram bpx 65 photodiode BPX osram GETY6013 Q62702-P27
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC

RADIALL CONTACT 620 600 257

Abstract: Radiall arinc 620 600 Radiall arinc 620 800 066 Radiall 620 600 238 311601 coax FILOTEX METAL BRAID radiall 617 610 connector ABS1503KD24 Adams-Russell FC cable awg Radiall arinc 600 NSX
Contextual Info: NSX ARINC 600 INTRODUCTION MULTICONTACT CONNECTORS NSX- ARINC 600 / BPX NSX series defined by ARINC 600 specification and BPX series (defined by Bœing S280W551 specification) are multipin rack and panel connectors used to connect high performance aeronautical equipments.

foto sensor

Abstract: BPX65 GET06013 Q62702-P27 bpx 65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

foto sensor

Abstract: tci 571 GETY6013 Q62702-P27 BPX-65
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 65 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 , geeignet bis 125 oC1) Features

Siemens photodiode

Abstract: BPX48 BPx48 siemens
Contextual Info: SIEMENS BPX 48 BPX 48 F A p p ro x . w e ig h t 0.1 feof6638 feo06638 Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche M erkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

BPX osram

Abstract: BPX-65 tci 571 GETY6013 OHLY0598 Q62702P0027
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

BPX81-4

Abstract: BPX81-3 BPX81 BPX-81-4 Typ BPX81-2 BPX80 BPX81-2 BPX82 BPX89 phototransistor array
Contextual Info: SIEMENS BPX81 2-10 TRANSISTOR ARRAYS BPX82-89, 80 SINGLE TRANSISTOR Silicon NPN Phototransistor Dimensions in inches mm BPX82-89, SO BPX81 Dimension “A” . Part No. Min. .141 (3.6) .1 2 6 (3 .2 ) Max. BPX 82 .177 (4.5) .193 (4.9) BPX 83 .275 (7.0) .291

13C2 insert

Abstract: 282549001 120T2 S280W551 617 610 417 radiall S280W552
Contextual Info: 4 NSX - BPX series Arinc 600 Page Page NSX - ARINC Introduction . 4-4 to 4-5 Application . 4-6

Quantum LTO 4

Contextual Info: BPX 48 BPX 48F SIEMENS DAYLIGHT FILTER SILICON DIFFERENTIAL PHOTODIODE P a cka g e D im e n sio n s in In ch e s m m 020 ( 5) 012 ( 3) 100(2.54) II 010 ( 25) H i- • Lead spacing , .0 2 4 -0 0 8 299(7 62) ir t .6 , 2 ) 0° to 5° V Radian! sensitive area

Contextual Info: SIEMENS B P X 63 Very Low Dark Current Silicon Photodiode APPLICATION • Exposure meters, automatic exposure timers DESCRIPTION The BPX 6 3 is a silicon pla n a r p ho tod iod e , m o un ted on a T 0 1 8 base p la te a n d covered w ith tra n s p a re n t p la stic. The BPX 6 3 h as been

BPX 48

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.1 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing density

IEC-61760-1

Abstract: GEOY6638 BPX 48
Contextual Info: 2007-04-04 Silicon Differential Photodiode Silizium-Differential-Fotodiode Version 1.0 BPX 48 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • High photosensitivity • DIL plastic package with high packing density

BPX 48

Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 48 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

GEOY6638

Abstract: OHLY0598 BPX 48
Contextual Info: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 48 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

osram bpx 65 photodiode

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 350nm bis 1100nm • Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC

BPX osram

Abstract: E7800 242-E7800
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,

BPX osram

Abstract: GETY6625 Q62702-P55 BPX63
Contextual Info: Silizium-Fotodiode mit sehr kleinem Dunkelstrom Silicon Photodiode with Very Low Dark Current BPX 63 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Sperrstromarm typ. 5 pA • TO-18, Bodenplatte, mit klarem