Q62702P0027 Search Results

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

tda 6109

Abstract: V23100-V7228-F110 B32650 V23100-V7213-F104 V23100-W1224-A104 V23082-A1005-A401 V23108-A1003-B101 V23104-A1003-B101 V23100-V7228-F104 B32110-F
Contextual Info: Katalognummern-Referenz: SCHURICHT-Nummern ⇔ SIEMENS-Nummern Da im Katalog aus drucktechnischen Gründen die Siemensnummern oft nicht zusammenhängend – sondern in Produktgruppen- und Einzelexemplar-Teil aufgetrennt – dargestellt sind, finden Sie hier in einer großen Tabelle für jedes Bauteil die SCHURICHT- und die SIEMENS-Nummern

osram bpx 65 photodiode

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 350nm bis 1100nm • Kurze Schaltzeit (typ. 12 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18), geeignet bis 125 oC

osram bpx 65 photodiode

Abstract: BPX-65 350nm
Contextual Info: 2011-10-20 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 BPX 65 Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 350 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 12 ns) • Hermetically sealed metal can package (TO-18), suitable up to 125 °C

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

BPX65

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPX 65 Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 350 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 12 ns) • Hermetically sealed metal can package (TO-18), suitable up to 125 °C

BPX osram

Abstract: BPX-65 tci 571 GETY6013 OHLY0598 Q62702P0027
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 65 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • BPX 65: Hohe Fotoempfindlichkeit • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18),