SBS007M
Contextual Info: SBS007M SPICE PARAMETER DIODE model : DIODE Parameter Value IS 1.04E-05 BV 20.0 ISR 5.80E-06 VJ 0.54 TT 1.00E-09 TRS 3.60E-03 Temp = 27 deg Date : 2003/10/7 Parameter N IBV NR M EG Value 1.04 1.00E-03 1.20 0.52 0.54 Parameter RS CJO FC XTI Value 0.156 8.70E-11
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Original
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sbs007m04e-0580e-0600e-09+360e-0300e-0370e-11
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ic 74243
Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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enn7424mch5815mch3317sbs007m+2ic 74243ta-3841
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SBS007M
Abstract: 69082
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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sbs007mn6908100ma600mm2+6duty10it02954it02953it02955it0295669082
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MCH3405
Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
Contextual Info: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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enn6941mch5801mch3405sbs007m+1ta3100
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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enn7447cph5818mch3339sbs007m+17447
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MCH5818
Abstract: MCH3339 SBS007M
Contextual Info: MCH5818 注文コード No. N 7 7 5 4 三洋半導体データシート N MCH5818 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3339 とショットキバリアダイオード(SBS007M)を 1 パッケージに
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Original
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mch5818mch3339sbs007m900mm2+3ta-3839--10vit05619
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SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
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Original
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enn6908sbs007m |
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SBS007M
Abstract: marking DIODE 2U 04 marking SB
Contextual Info: Ordering number : ENN6908 Schottky Barrier Diode SBS007M ISAttYOl 15V, 1A Rectifier Package Dimensions unit : mm 130 5 Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . [S B S 007M ] Features • Low forward voltage (If =0.3A , V f m ax=0.4V)
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OCR Scan
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enn6908sbs007mmarking diode 2u 04marking sb |
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MCH3339
Abstract: MCH5818 SBS007M
Contextual Info: MCH5818 Ordering number : ENN7754 MCH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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mch5818enn7754mch3339sbs007m |
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7447
Abstract: CPH5818 MCH3339 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7447 CPH5818 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5818 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3339 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2171
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Original
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enn7447cph5818mch3339sbs007m+17447
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104 IT03105
Contextual Info: Ordering number : ENN6942 MCH5804 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3408 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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enn6942mch5804mch3408sbs007m+2it03104it03105
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M
Contextual Info: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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enn7381cph5815mch3317sbs007m |
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Contextual Info: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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cph5815mch3317sbs007m600mm2+5it02912it02914it02915it00636n2603
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74243
Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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mch5815mch3317sbs007m900mm2+8it02912it02914it02915id003387424374241ta-384174242
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2SC3953-SPICE
Abstract: 2sa1538 spice 2sc3953 spice 2SC5610 MJE-360 2SC4548 2sk4096 2SB631K 2SC5706 equivalent 2SC2911-SPICE
Contextual Info: 12A02CH-SPICE -* SANYO 12A02CH SPICE PARAMETER * .LIB 12A02CH * DATE : 2006/12/26 * Temp = 27 deg .MODEL 12A02CH PNP +NF = 1.0 IS VAF = 110.0f
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Original
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12a02ch-spice12a02ch2sb12052sc3953-spice+92sa1538 spice2sc3953 spice2sc5610mje-3602sc45482sk40962sb631k2sc5706 equivalent2sc2911-spice
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TA-3843
Abstract: SBS007M CPH5818 MCH3339 N7447
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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cph5818n7447mch3339sbs007m+6600mm2it02953it05891it02955it02956ta-3843
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TA-3843
Abstract: MOSFET MCH33 N7447 CPH5818 MCH3339 SBS007M TA384
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 4 7 A CPH5818 No. N 7 4 4 7 A 91003 半導体ニューズ No. N7447 とさしかえてください。 CPH5818 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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cph5818n7447mch3339sbs007m+8600mm2it02953it05891it02955it02956ta-3843mosfet mch33ta384
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TA3100
Abstract: MCH3405 MCH5801 SBS007M N6941
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 4 1 MCH5801 No. N6941 62501 新 MCH5801 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405）とショットキバリアダイオード
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Original
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mch5801n6941mch3405sbs007m+5900mm2it02912it02914it02915ta3100
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MCH3408
Abstract: MCH5804 SBS007M IT03104
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 4 2 MCH5804 No. N 6 9 4 2 52101 新 MCH5804 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3408）とショットキバリアダイオード
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Original
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mch5804mch3408sbs007m600mm2+5it02953it03107it02955it02956it03104
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