GPL06724 Search Results

JE800

Contextual Info: SIEM ENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 0.1 typ CM h* CO 0.18 0.12 Cathode/Collector marking O I Q. 0.4 SFH 4290 Cathode/Collector GPL06724 Collector Emitter GPLQ6880

siemens SFH nm

Abstract: I03f
Contextual Info: SIEMENS GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAIAs Infrared Emitter in SMT Package 3 < o0 a 3.0 0.1 typ 0.18 J | I 0.12 / JO .6 0.4 SFH 421 TO PLEDq Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g Collector SFH 421 SFH 426 GPL06724 Emitter Collector/Cathode marking

Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package SFH 320 SFH 320 FA C\J 1 ^ oO Q_ 2.1 0.1 (typ 1.7 0.9 0.7 CO CO 0.18 0.12 Approx. weight 0.03 < Cathode/Collector GPL06724 (M 1 ^ (O Maf3e in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified.

siemens SFH nm

Abstract: TCA 700 y C120 GPL06724 GPL06880 SFH4290 SFH4295
Contextual Info: - A n SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 CM 1 ^ CO O Q. SFH 4290 GPL06724 Collector/Cathode marking rto 00 C oD Q. SFH 4295 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS Schnelle GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAIAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 W ÈÈÈÊ C\J 1 ^ CO o Q_ C a th o d e /C o l le c to r SFH 4290 GPL06724 iS C o lle c to r E m itter Collector/Cathode marking

GPL06724

Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690 q62702p1690
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 420 SFH 425 SFH 420 SFH 425 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder

CIE1931

Abstract: Q62703-Q4450 T676-L2
Contextual Info: Opto Semiconductors Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data ● ● ● ● ● ● ● ● GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7

Q62703-Q2282

Abstract: Q62703-Q2288 Q62703-Q2329 Q62703-Q2617
Contextual Info: TOPLED Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED LH T674 Besondere Merkmale Gehäusebauform : P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie besonders hohe Lichtstärke als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung

GPL06724

Abstract: GPL06880
Contextual Info: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 3.7 3.3 0.9 0.7 1.1 0.5 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen

Q62703-Q4450

Abstract: CIE1931
Contextual Info: Hyper TOPLED White LED LW T676 Vorläufige Daten / Preliminary Data • • • • • • • • GaN-Technologie Farbe: weiß x = 0.30, y = 0.32 nach CIE1931 Abstrahlcharakteristik: Lambertscher Strahler 120° ESD-sicher bis 2 kV nach MIL STD 883D, Method 3015.7

Q62703-Q2383

Abstract: GPL06724 Q62703-Q2384 Q62703-Q2385 T679
Contextual Info: LC TOPLED Low Current LED LS T679, LY T679, LG T679 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

T670-hk

Abstract: T670-J Q62703Q2475 Q62703-Q2358 LG T670-HK Q62703-Q2377 T670 q62703q2357 T670-JM q62703q2311
Contextual Info: TOPLED LS T670, LO T670, LY T670 LG T670, LP T670 ● ● ● ● ● ● ● Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

Q62702-P0331

Abstract: opto 421 Q62702-P1055 GPL06724 GPL06880
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder

GPL06724

Abstract: GPL06880 Q62702-P5165 Q62702-P978
Contextual Info: Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4211 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder

Q65110A2473

Abstract: GPL06724 GPL06880
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen

GPL06724

Abstract: T670
Contextual Info: BLUE LINETM TOPLED LB T670 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung in SiC-Technologie gefertigt in der Spektroskopie einsetzbar für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

T676-S

Abstract: Q62703-Q3135 t676 T676-Q Q62703-Q3066 Q62703-Q3064 Q62703Q3159 LY T676-S LY T676
Contextual Info: Hyper TOPLED Hyper-Bright LED LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet

GPL06724

Abstract: GPL06880 Q62702-P0330 Q62702-P1690
Contextual Info: 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 typ 0.9 0.7 1.1 0.5 3.7 3.3 2.4 3.4 3.0 SFH 420 SFH 425 fpl06724 GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package 0.8 0.6 Cathode/Collector marking 0.18 0.6 0.12 0.4 Cathode/Collector Approx. weight 0.03 g

sfh 910

Abstract: SFH4233 SFH 4232
Contextual Info: High Power VCSEL-Laserdiode 920 nm im TOPLED-Gehäuse High-Power VCSEL Laser Diode (920 nm) in TOPLED Package SFH 4231 SFH 4232 SFH 4233 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarotsendediode in VCSEL-(Vertical Cavity Surface Emitting Laser) Technologie

FR4 substrat

Abstract: DIN 40839 Q62703-Q3140 Q62703-Q3141 Q62703-Q3142 Q62703-Q3143 Q62703-Q3164
Contextual Info: Hyper TOPLED Hyper-Bright, Hyper-Red TS GaAIAs-LED LH T676 Besondere Merkmale ● Gehäusebauform: P-LCC-2 ● Gehäusefarbe: weiß ● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie, VPL06724 ● ● ● ● ● ● transparentes Substrat TS besonders hohe Lichtstärke

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAs Infrared Emitter in SMT Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 420 SFH 425 SFH 425 SFH 420 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität (Ie = f [IF]) bei hohen Strömen

GPL06724

Abstract: GPL06880
Contextual Info: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4290 SFH 4295 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.9 0.7 0.8 0.6 Cathode/Collector marking fpl06724 1.1 0.5 3.7 3.3 3.4 3.0 2.4 0.1 typ 0.18 0.6 0.12 0.4