FHB1132 Search Results

Contextual Info: QOQ ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ Medium Power Transistor PNP Medium Power Transistor(PNP) FHB1132 QOQ ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 1) Low VCE (sat) = -0.2V(Typ) (IC / IB =-500mA/-50mA) 2) Complements the FHD1664 3) Epitaxial planar type,

Contextual Info: NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ Medium Power Transistor NPN Medium Power Transistor(NPN) FHD1664 NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 1) Low VCE (sat) = 0.15V(Typ) (IC / IB =500mA/50mA) 2) Complements the FHB1132 3) Epitaxial planar type,

Contextual Info: 广东肇庆风华新谷微电子有限公司 广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-89 Medium Power Transistor FHB1132 FEATURES特征 •Low VCE sat = -0.2V (Typ.) (IC / IB = –500mA / –50mA)

FHD2391

Abstract: FHFCX491 FHC4 FHBC869
Contextual Info: SOT-89 NPN 三极管（SOT-89 NPN TRANSISTORS） 产品名称 DEVICE 耗散 特征 峰值 正向 击穿电压 击穿电压 击穿电压 反向漏电流 反向漏电流 功率 频率 电流 电流 V BR CBO V(BR)CEO V(BR) EBO ICBO IEBO Ptot fT ICM IC (W) (MHz)