24181 Search Results

9033-3

Abstract: 14184 KP/MKP 375
Contextual Info: KP/MKP 375 Vishay BCcomponents AC and Pulse Polypropylene Film Capacitors KP/MKP Radial Epoxy Lacquered Type FEATURES 168x12 halfpage l l w seating plane (1) h h' α° F' (3) F lt LEADS H 10 (2) Ø dt A P 10 to 27.5 mm pitch. Supplied loose (including lock lead versions) and taped. Bent back version

74332

Contextual Info: KP/MKP 375 Vishay BCcomponents AC and Pulse Polypropylene Film Capacitors KP/MKP Radial Epoxy Lacquered Type FEATURES 168x12 halfpage l l w seating plane (1) h h' α° F' (3) F lt Ødt A P LEADS H 10 (2) 10 to 27.5 mm pitch. Supplied loose (including lock lead

84202

Abstract: KP/MKP 375
Contextual Info: KP/MKP 375 Vishay BCcomponents AC and Pulse Polypropylene Film Capacitors KP/MKP Radial Epoxy Lacquered Type APPLICATIONS Where high currents and steep pulses occur. For deflection circuits in television receivers and monitor sets. 168x12 halfpage l MARKING

HA12228F

Abstract: HA12229F Hitachi DSA00163
Contextual Info: HA12228F/HA12229F カーステレオ用音声信号処理システム PB 1 チップ ADJ-207-291 (Z) 目標仕様 第1版 2000.7 概要 HA 12 22 8/ HA 12 22 9F は，PB イコライザ，曲間検出，ドルビーノイズリダクション* を 1 チップに集積した

AH10T

Abstract: hn29w12811t-50 Hitachi DSA00170
Contextual Info: HN29W12811 シリ−ズ 128M AND type Flash Memory More than 8,029-sector 135,657,984-bit ADJ-203-551A (Z) ’00. 9. 4 暫定仕様 Rev. 0.1 概要 HN29W12811 シリ−ズは単一電源(3.3V)で自動書き込みおよび自動消去が可能な多値 AND型メモリセル

Hitachi DSA00171

Contextual Info: HB52D168DC-D 128 MB Unbuffered SDRAM S.O.DIMM 16-Mword x 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 2-Bank Module 8 pcs of 8 M × 16 components PC100 SDRAM ADJ-203-431B (Z) ’99. 8. 25 Rev.2.0 概要 HB 52 D16 8D C は，1 28 M ビット SD RAM HM5 21 21 65 DT D（TS OP パッケージ）を 8 個およびシリアル

Hitachi DSA00175

Contextual Info: HB56UW1672E-F 128MB Buffered EDO DRAM DIMM 16-Mword x 72-bit, 8k Refresh, 1 Bank Module 18 pcs of 16M × 4 components ADJ-203-510A (Z) Rev. 1.0 ’00. 3. 15 概要 HB56UW1672E は，64M ビット DRAM HM5164405 シリーズ（TSOP パッケージ）を 18 個および 16 ビ

SANDISK

Abstract: Hitachi DSA00176
Contextual Info: HB288256C5/HB288192C5 HB288160C5/HB288128C5 HB288096C5/HB288064C5 HB288032C5 CompactFlash 256 MByte/192 MByte/160 MByte/128 MByte 96 MByte/64 MByte/32 MByte ADJ-203-353D Z ’00. 10. 23 Rev. 3.0 概要 HB 28 82 56 C5, HB 28 81 92 C5, HB 28 81 60 C5, HB 28 81 28 C5, HB 28 80 96 C5, HB 28 80 64 C5, HB 28 80 32 C5 は ，

Hitachi DSA00171

Contextual Info: HM5212165 シリ−ズ HM5212805 シリ−ズ 128M LVTTL interface SDRAM 66 MHz 2-Mword x 16-bit × 4-bank/4-Mword × 8-bit × 4-bank ADJ-203-289A Z ’98. 7.1 Rev. 1.0 概要 HM5212165 シリーズは，2097152 ワード × 16 ビット × 4 バンク構成の SDRAM です。HM5212805 シリー

Hitachi DSA00176

Contextual Info: HM62V16256B シリーズ 4M SRAM 256-kwordx16-bit ADJ-203-334C (Z) Rev. 2.0 ’99. 10. 14 概要 HM62V16256B シリーズは， 262144 ワード × 16 ビット構成の 4M ビットスタティック RAM です。 Hi-CMOS プロセス技術を 採用し，高密度，高性能，低消 費電力を実現しております。し たがって，HM62V16256B シ

Hitachi DSA00167

Contextual Info: HB52D88GB-F 64 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 8-Mword x 64-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module 4 pcs of 8 M × 16 components PC100 SDRAM ADJ-203-519 (Z) ’00 . 1. 13 暫定仕様 Rev. 0.0 概要 HB52D88GB は， 128M ビット SDRAM HM5212165FTD （TSOP パッケージ）

Hitachi DSA00176

Contextual Info: HM62W16256B シリーズ 4M SRAM 256-kwordx16-bit ADJ-203-335C (Z) Rev. 2.0 ’99. 10. 14 概要 HM62W16256B シリーズは， 262144 ワード × 16 ビット構成の 4M ビットスタティック RAM です。 Hi-CMOS プロセス技術を採用し，高密度，高性能，低消費電力を実現しております。したがって HM62W16256B シリ

Readat400KHz

Abstract: Hitachi DSA00176 A1A28
Contextual Info: HN58X24128I/HN58X24256I Two-wire serial interface 128k EEPROM 16-kword x 8-bit 256k EEPROM (32-kword × 8-bit) ADJ-203-421B (Z) Rev. 2.0 ’99. 11. 26 概要 HN 58 X2 4x xx シリーズは 2 線式シリアルインターフェースの EE PROM （電気的に書き換え可能な RO M）

ss 6616

Abstract: Hitachi DSA00176
Contextual Info: HA12232FP カーステレオ用音声信号プリアンプ ADJ-207-294 Z 目標仕様 第1版 2000.09 概要 HA12232FP は，PB イコライザ用オペアンプを 1 チップに集積した音声信号プリアンプ LSI です。 機能 • PB イコライザ

c 5189

Abstract: HA17558 Hitachi DSA0098 3212 A data sheet HA17558F HA17558FP HA17558PS
Contextual Info: HA17558 シリーズ デュアルオペアンプ ADJ-204-042A Z Rev.1 2001.08 概要 HA17558 は内部位相補償型の高性能デュアル演算増幅器で，計測制御などの広範囲な応用が可能です。 特長 • 高電圧利得 : 104dB (Typ)

Contextual Info: Two-4-One Power Transformers Chassis Mount with Lead Wires SM Split Bobbin with High Isolation Signal’s 241-L transformers use a split bobbin that provides superior isolation and low capacitive coupling. General Specifications • Power - 2.4 VA to 100 VA

signal transformer 4-44-5016

Abstract: pss 3056 4-44-4020 spw-055 transformer 4-44-6024 4-49-8230 4-44-5016 4-44-3012 4-44-3010 4-49-6024
Contextual Info: Cross Reference Chart Competitor Part No. 4-44-5010 4-44-5012 4-44-5016 4-44-5020 4-44-5024 4-44-5028 4-44-5036 4-44-3010 4-44-3012 4-44-3016 4-44-3020 4-44-3024 4-44-3028 4-44-3036 4-44-6010 4-44-6012 4-44-6016 4-44-6020 4-44-6024 4-44-6028 4-44-6036 4-44-7010

SPW 078

Abstract: pst 39 transformer Wabash Transformer spw -136 spw+-079+transformer 4-07-7016 MT12/SPW 078 spw -055 transformer pc-24-450 TRANSFORMER 4-44-5010
Contextual Info: WabashTransformer.com ● Class 2, VDE, UL, CSA Recognized ● Zero Defect, 100 % Tested ● Competitive Prices ● Standard & Custom Designs ● 2 Year Warranty Table of Contents Product Description Class 2 CL UL5085-3 Transformer International Power Transformer

merlin gerin catalogue

Abstract: NC100H C32H-DC merlin gerin C60n C60N merlin catalogue 24171 Merlin Gerin disjoncteur differentiel merlin gerin vigi C60 merlin gerin C60n 24228
Contextual Info: 2 disjoncteurs C60N NF C 61-410 EN 60 898 : 6 000 A CEI 947-2 : 10 kA type largeur cal. pas de (A) 9 mm uni 2 0,5 24493n 1 0,75 1 2 3 4 2 6 10 16 20 25 32 40 50 63 uni + 4 neutre N 1 N 2 réf. courbes C B 24058n ‹ 24059n ‹ 24170 24171 24172 24173 24174

Contextual Info: Customer Feedback C-Cube Microsystems is always working to improve the quality of our documentation. If you have comments or suggestions about this document, please send us a marked-up copy of the page or pages or send us an e-mail message. We will acknowledge all comments received. Our address is:

HM628512CLFP-5SL

Abstract: HM628512C HM628512CLFP-5 HM628512CLFP-7 HM628512CLFP-7SL HM628512CLP-5 HM628512CLP-5SL HM628512CLP-7 HM628512CLP-7SL HM628512CLP
Contextual Info: ズ HM628512C シリーズ 4M SRAM 512-kwordx8-bit ADJ-203-579 (Z) 暫定仕様 Rev. 0.0 ’00. 9. 12 概要 HM6 28 51 2C シリーズは，5 24 ,28 8 ワード×8 ビット構成の 4 M ビットスタティック RA M です。Hi -CMOS プロセス技術を採用し，高密度，高性能，低消費電力 を実現しております。パッケージの種類は，高密度実

FP-14DA

Abstract: HD74HCT00A TTP-14D Hct 00 Hitachi DSA00190
Contextual Info: HD74HCT00A Quad. 2-input Positive NAND Gates ADJ-205-497 Z 第1版 2000.12 概要 HD 74 HCT 00 A は，1 4 ピンパッケージに，正論理のブール代数で Y = A • B または Y = A + B で示される 4 個の 2 入力 NAND ゲートで構成されています。

HAT2040R

Abstract: D 4515 Hitachi DSA00190
Contextual Info: HAT2040R シリコン N チャネル パワーMOS FET 高速度電力スイッチング ADJ-208-550A Z 第２版 `97.08 特長 • 低オン抵抗 RDS(on) = 6.2 mΩ typ. • 低電圧駆動 (4 V 駆動) • 駆動電力が小さい。 • 高密度実装が可能

micro DIMM

Abstract: Hitachi DSA00190 DQ381
Contextual Info: HB52D168GB-B 128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword x 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module 4 pcs of 16 M × 16 components PC133/100 SDRAM ADJ-203-586 (Z) 暫定仕様 Rev. 0.0 ’00. 9. 18 概要 HB 52 D16 8G B は，2 56 M ビット SD RAM HM5 22 51 65 BTT （TS OP パッ ケージ）を 4 個およびシリアル