2067A Search Results

Contextual Info: Filename: tfs 2067a.doc Version 1.4 VI TELEFILTER Measurement condition Ambient temperature: Input power level: Terminating impedance: Input: Output: 27.02.2007 Filter specification 23 TFS 2067A 1/5 °C dBm 50 50 Characteristics Remark: The reference level for the relative attenuation arel of the TFS 2067A is the maximum attenuation in the pass band. The maximum attenuation in the pass

Contextual Info: IRAM256-2067A Series 20A, 600V Integrated Power Module for Appliance Motor Drive Applications Description International Rectifier's IRAM256-2067A is a 20A, 600V Integrated Power Hybrid IC with Open Emitter pins for advanced Appliance Motor Drives applications such as energy efficient Air Conditioner and Washing Machine.

N1C1

Contextual Info: Telecommunication ADSL Transfor mer Transformers DT32-2048AS DT32-2061AS DT32-2067AS DT32-2005AS DT32-20XXXX XXXX : DATE CODE WHITE DOT ON PIN1 DELTAXXXX 10 1 N1 PRI A N3 8 3 9 2 N2 B 0.3 N4 4 7 3 0.4x0.7 TIN PLATED PHOSPHOR BRONZE D 10 5 6 6 10 4 6 1 N3

smd MP1 AN

Contextual Info: DEMO MANUAL 2067A LT8710 Synchronous Inverting DC/DC Converter DESCRIPTION Demonstration circuit 2067A is a synchronous inverting converter CUK topology featuring the LT 8710 switching controller. It regulates a –5V, 6A output from a 4.5V to 28V input source, and operates at 300kHz switching frequency.

DT32-2005AT

Abstract: DT32-2013T DT32-2061AT DT32-2067AT
Contextual Info: Telecommunication ADSL Transfor mer Transformers DT32-2061AT DT32-2067AT DT32-2005AT DT32-2013T 9 N1 DT32-20XXXX XXXX : DATE CODE WHITE DOT ON PIN1 DELTAXXXX 3 7 PRI N3 8 SEC 4 N2 6 A 3 10 B 1 N1 10 9 7 6 8 9 5 PRI TINNED CP WIRE 2 SEC N4 7 7 6 4 4 10 PRI

Contextual Info: D R A W IN G HUNGER sm soom m r e * r o ft 3 n Q 3 R ft o u s o o o RE V ISIO N n ? SHEET BEVISIOSE VC Foetto | / | APPROVAL L E V E L 1/ 1 nv. DtmsmiosE - STRICTLY CONFIDENTIAL ll RXX 1J L. — g mil d - -H - >PBT GF10< ±0.15 tsi 15 .8±0*3 . D D 4 1 . 9dfc0.3

BD NPN transistors

Abstract: 2SC5245 FC157
Contextual Info: Ordering number:EN5433 FC157 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

2SC5245

Abstract: FC157
Contextual Info: Ordering number:EN5433 FC157 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

2SC3859

Abstract: D059 FC128 ITR10521 ITR10522 ITR10523 ITR10524
Contextual Info: 注文コード No. N 3 2 8 2 FC128 No. N 3 2 8 2 70500 FC128 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗内蔵（R1=10kΩ） 。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

Contextual Info: Ordering num ber: E N 3964 FC149 No.3964 PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver Applications F eatures •Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

Contextual Info: Ordering number:EN3964 FC149 PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

CQ 523

Abstract: cq 531 mc 5357 Z0 607 2SC5245 FC157 s22L transistor but 607 cq 765 NPN/CQ 523
Contextual Info: O rd e rin g n u m b e r: EN5433 _ FC157 NPN Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor High-Frequency Low-Noise Amp, Differential Amp Applications F eatu re s •Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the

2SA1508

Abstract: D059 FC123 ITR10501 ITR10502 ITR10503 ITR10504
Contextual Info: 注文コード No. N 3 2 7 7 FC123 No. N3277 71000 FC123 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗内蔵（R1=47kΩ） 。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

2SA1496

Abstract: D059 FC127 ITR10517 ITR10518 ITR10519 ITR10520
Contextual Info: 注文コード No. N 3 2 8 1 FC127 No. N 3 2 8 1 71000 FC127 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗内蔵（R1=10kΩ） 。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

2SA1563

Abstract: D059 FC131 ITR10533 ITR10534 ITR10535 ITR10536
Contextual Info: 注文コード No. N 3 2 8 5 FC131 No. N 3 2 8 5 72500 FC131 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗内蔵（R1=10kΩ, R2=47kΩ） 。

IC 4069

Abstract: 2SC4577 FC118 ITR10442 ITR10443 ITR10444 ITR10445 ITR10446 ITR10447 ITR10448
Contextual Info: 注文コード No. N 3 1 1 6 FC118 No. N3116 70500 * 半導体ニューズ No.2069 とさしかえてください。 FC118 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ 低周波一般増幅用 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅に向上できる。

046b1

Abstract: ITR10598 2SA1813 FC149 ITR10596 ITR10597 ITR10599 ITR10600 ITR10601 ITR10602
Contextual Info: 注文コード No. N 3 9 6 4 FC149 No. N 3 9 6 4 72500 FC149 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ 低周波一般増幅 , 各種ドライブ用 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップ出来る。

marking 149

Abstract: 2SA1813 FC149
Contextual Info: Ordering number:EN3964 FC149 PNP Epitaxial Planar Silicon Composite Transistor Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver Applications Features Package Dimensions • Composite type with 2 transistors contained in the CP package currently in use, improving the mounting efficiency greatly.

mosfet k 2038

Abstract: TO-40-040 PCP MOSFET 2sd1851 TRANSISTOR transistor 2SA transistor 2 sa 72 2SB1205 2SC5155
Contextual Info: Produci Selection Guide by Function High-Voltage Applications Absolute maximum ratings Package Electrical characteristics T a = 2 5 t ICBO max @ VCB Type No. Page Type Drawing num ber VCBO (V ) VCEO (V ) vebo (V ) 1C (m A ) PC (m W ) A ICBOmax ( * A) VCB

2SA1342

Abstract: D2000 FC109 ITR10402 ITR10403 ITR10404 ITR10405
Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 7 FC109 No. N3077 D2000 FC109 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗 R1=22kΩ, R2=22kΩ を内蔵。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

FC135

Abstract: 046b1 2SA1510 D059 ITR10549 ITR10550 ITR10551 ITR10552 FC-135
Contextual Info: 注文コード No. N 3 2 8 9 FC135 No. N 3 2 8 9 72500 FC135 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗内蔵（R1=4.7kΩ） 。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。

2SA1753

Abstract: FC117 ITR10434 ITR10435 ITR10436 ITR10437 ITR10438 ITR10439 ITR10440 ITR10441
Contextual Info: 注文コード No. N 3 1 1 5 A FC117 No. N 3 1 1 5 A 70500 半導体ニューズ No.3115 とさしかえてください。 FC117 特長 PNP エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ 低周波一般増幅用 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅に向上できる。

Contextual Info: Ordering number: EN3964 FC149 No.3964 PN P E pitaxial P la n ar Silicon Composite T ransistor Low-Frequency General-Purpose Amp, Driver Applications F e a tu re s • Composite type with 2 tran sisto rs contained in the CP package c u rre n tly in use, im proving the

2SC3396

Abstract: D2000 FC110 ITR10406 ITR10407 ITR10408 ITR10409
Contextual Info: 注文コード No. N 3 0 7 8 FC110 No. N3078 D2000 FC110 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコン複合トランジスタ スイッチング用（バイアス抵抗内蔵） ・バイアス抵抗 R1=22kΩ, R2=22kΩ を内蔵。 ・従来の CP にトランジスタを 2 素子内蔵した複合タイプであり実装基板効率が大幅にアップできる。