XL28C Search Results
XL28C Datasheets (18)
| Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Datasheet Type | PDF Size | Page count | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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| XL28C16A-100 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16A-150 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16A-200 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16A-250 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16B-100 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16B-150 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16B-200 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C16B-250 | Excel Semiconductor | 2K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 56.67KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64-120 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64-150 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64-200 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64-250 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64A | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64B-120 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64B-150 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64B-200 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C64B-250 | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| XL28C65A | Exel | 8K x 8 CMOS EEPROM Memory | Scan | 59.15KB | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
XL28C Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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Contextual Info: MICROELECTRONICS XL28C64B E x txH o n ctin? 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle PIN C O N F IG U R A TIO N S F E A TU R ES • Fast Read A ccess T im es — 120ns, 150ns, 200ns and 250ns ■ Low C M O S P o w er C onsum ption |
OCR Scan |
xl28c64b150pa120ns150ns+3 | |
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Contextual Info: XL28C16A 2K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION 24 Pin PDIP Type "P" Package • Fast Read Access Times — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns ■ Low CMOS Power Consumption — 30mA active max. — 100jjA standby (max.) A7 Ae Ab A* a3 |
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xl28c16a100ns150ns200ns+5 | |
non volitile sram
Abstract: d0027
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xl28c16b100ns150ns200ns+4 | |
AN2221
Abstract: 923AT CERDIP-28
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xl28c64120ns150ns200ns+5 | |
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Contextual Info: XL28C64B Preliminary 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle PIN CONFIGURATIONS FEATURES • Fast Read Access Times — 120ns, 150ns, 200ns and 250ns ■ Low CMOS Power Consumption — 60mA Active — 150|xA (Standby) 2B Pin SOIC |
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xl28c64b120ns150ns200ns+3 | |
EXEL 636Contextual Info: XL28C16A 2K X 8 CM OS Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION 24 Pin PDIP Type ”P" Package • Fast Read Access Times — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns Small Outline Type "J“ Package - V-/“ “ A7 [ 1 24 ] A7 [ 1 24 ] Aa [ 2 23 ] ^8 |
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xl28c16a100ns150ns200ns+3 | |
XLS28C64Contextual Info: £XÈL Preliminary XL28C64 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle PIN CONFIGURATIONS FEATURES • Fast Read Access Times — 120ns, 150ns, 200ns and 250ns ■ Low CMOS Power Consumption — 60mA Active — 150|iA (Standby) ■ |
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120ns150ns200ns250ns+2 | |
d0025Contextual Info: XL28C64B 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 6ms Nonvolatile Write Cycle FEATURES • Fast Read Access Times — 150ns, 200ns and 250ns • Low CMOS Power Consumption — 60mA Active — 200uA (Standby) • 5 Volt-only Operation — Including write • Fast Nonvolatile Write Cycle |
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xl28c64b150ns200ns250ns+4 | |
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Contextual Info: MICROELECTRONICS XL28C256 ExctUtnc* in & Preliminary 32K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle FEA TU R ES • Fast Read A c c e s s Tim es — 150ns, 200ns and 250ns ■ Low CM OS Power Consumption — 60mA Active — 150pA (Stand By) |
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xl28c256150ns200ns250ns+4 | |
d0025Contextual Info: XL28C64B EXEL Microelectronics, Inc. 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 6ms Nonvolatile Write Cycle 1 28 VCC A 12 2 27 WE A7 3 26 NC A7 3 26 NC A6 4 25 A8 A6 4 25 A8 A5 5 24 A9 A5 5 24 A9 A4 6 23 A11 A4 6 23 A11 A3 7 22 OE A3 7 22 OE A2 8 21 A10 A2 8 21 |
Original |
xl28c64b150ns200ns250ns+2 | |
XL28C256
Abstract: XLS28C256
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xl28c256150ns200ns250ns+6 | |
XL28C64-200
Abstract: XL28C64 XL28C64-120 XL28C64-150 XL28C64-250 16JL04
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xl28c64120ns150ns200ns+9 | |
XLS28C16b
Abstract: XLE28C16B
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xl28c16b100ns150ns200ns+4 | |
XL28C16BContextual Info: XL28C16B 2K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION Small Outline Type “J“ Package A7 [ • Industrial Temperature Range Available XLE28C16B 24 ] V c c 23 ] a 8 A6 [ 2 23 ] A . 3 22 ] Ap As [ A4 [ 4 21 ] WE A4[ 4 22 ] A . 21 ] WE |
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xl28c16b100ns150ns200ns+3 | |
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28C64
Abstract: XL28C64 28C64C 28C64 200ns
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xl28c6464-byte28c6428c64c+1 | |
XLE28C16BContextual Info: MICROELECTRONICS, INC. XL28C16B E t ttlh f lc s In £ 2K X 8 C M O S Electrically Erasable PR O M FEATURES PIN CONFIGURATION • Fast Read Access Times — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns 24 Pin CERDIP Type "C" Package 24 Pin PDIP Type "P” Package [ A> I A, [ |
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xl28c16b100ns150ns200ns+2 | |
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Contextual Info: XL28C65A MICROELECTRONICS, INC. Excelle nce in E7 P R E L IM IN A R Y 8K X 8 CM O S Electrically Erasable PROM FEATURES The fully-automatic, 64-byte page-write allows the entire memory to be programmed in less than 0.65 sec. Internal latches, for address and data, free the system |
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xl28c65a64-byte28c65a | |
XL28C16AContextual Info: /p 7 m i c r o e l e c t r o n i c s , in c . p £ b ixctltnct ui E* | XL28C16A 2K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION Fast Read Access Tim es — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns Low CMOS Power Consumption — 30mA active max. — 100^1A standby (max.) |
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xl28c16a100ns150ns200ns+1 | |
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Contextual Info: MICROELECTRONICS, INC. XL28C16A E x n lltn c a In é 2K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM FE A TU R ES PIN C O N F IG U R A TIO N Fast Read A ccess Tim es — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns 24 Pin PDIP Type "P" Package 24 Pin CERDIP Type "C" Package —KJ— |
OCR Scan |
xl28c16a100ns150ns200ns+1 | |
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Contextual Info: XL28C16A 1/2 IL08 * C-MOS 2K(2048 x 8)-BIT ELECTRIC ERASABLE PROM - TOP VIEW VDD (+5V) 24 A7 1 A6 2 23 A8 A5 3 22 A9 A4 4 21 WE A3 5 20 OE A2 6 19 A10 A1 7 18 CE A0 8 17 I/O7 I/O0 9 16 I/O6 I/O1 10 15 I/O5 I/O2 11 14 I/O4 12 GND INPUT A0-A10 CE |
Original |
xl28c16aa0-a10a4-a10384-bit | |
EXEL 636Contextual Info: ex'e L XL28C16A 2K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION 1 24 A7 [ 1 24 ] Vcc 2 23 ] A 8 Ae [ 2 23 ] Ag As 3 22 ] A 9 A5 [ 3 22 ] Ag A< [ 4 21 ] WE A4 [ 4 21 3 WE 20 ] ÖE 3 [ 5 20 J Ô Ë A3 [ 5 A2 [ 6 19 ] A 10 a 18 ] C E At [ 7 |
OCR Scan |
100ns150ns200ns250ns+4 | |
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Contextual Info: MICROELECTRONICS, INC. XL28C16A E xc illin c* In & 2K X 8 CM O S Electrically Erasable PROM FEATURES PIN CONFIGURATION • Fast Read Access Times — 100ns, 150ns, 200ns, 250ns 24 Pin CERDIP Type "C" Package 24 Pin PDIP Type "P" Package At I 1 Ac I 2 As [ 3 |
OCR Scan |
xl28c16a100ns150ns200ns+2 | |
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Contextual Info: MICROELECTRONICS XL28C64B Excttitncein& 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle PIN C O N F IG U R A TIO N S F EA TU R ES • 28 Pin CERDIP Type ’C" Package Fast Read A ccess Tim es — 120ns, 150ns, 200ns and 250ns ■ ■ ■ |
OCR Scan |
xl28c64b120ns150ns200ns+2 | |
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Contextual Info: XL28C64 Preliminary 8K X 8 CMOS Electrically Erasable PROM 5ms Nonvolatile Write Cycle PIN CONFIGURATIONS FEATURES • Fast Read Access Times — 120ns, 150ns, 200ns and 250ns ■ Low CMOS Power Consumption — 60mA Active — 150(iA (Standby) ■ 5 Volt-only Operation |
OCR Scan |
xl28c64120ns150ns200ns+1 | |