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kaschke

Contextual Info: Unterhaltungselektronik Die Firma Kaschke fertigt bereits seit den frühen 50er Jahren Carbonyleisen- und Ferritwerkstoffe für die Produktion von Hochfrequenzfiltern für Tuner- und Zwischenfrequenzbausteinen. Mit dem Einzug der Fernsehtechnik wurde die Herstellung von Induktivitäten für alle Funktionen von TVGeräten, Videorecordern, Rundfunk- und Satellitenreceivern sowie Navigationssystemen aufgenommen

VIPer22A circuit diagram

Abstract: viper22a transformer design 10v regulator using viper22a VIPER22A VIPER22A for DIGITAL VIPER22A Application Note viper22a 5v power supply design VIPer22A pin diagram capacitor 1u/400V capacitor 10u 35V
Contextual Info: AN1698 APPLICATION NOTE VIPower: DIGITAL TV RECEIVER POWER SUPPLY WITH VIPer22A A. BAILLY Many new video channels have been provided to the end user in the past few years: on top of the conventional terrestrial analog broadcast and everyones’ videorecorder, one can get images from cable,

VIPer22A circuit diagram

Abstract: 10v regulator using viper22a VIPER22A VIPER22A Application Note viper22a transformer design 1000uf, 25v electrolytic capacitor footprint ic viper22a VIPER22A for DIGITAL VIPER22A switching power supply viper22a 5v power supply design
Contextual Info: AN1698 APPLICATION NOTE VIPower: DIGITAL TV RECEIVER POWER SUPPLY WITH VIPer22A A. BAILLY Many new video channels have been provided to the end user in the past few years: on top of the conventional terrestrial analog broadcast and everyones’ videorecorder, one can get images from cable,

SFH485P

Abstract: OHLPY985
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

osram ir ld 274

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484

4580

Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 485 P Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

SFH 485-2

Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29

LD271 IR LED

Abstract: LD271 APPLICATIONS IR LD271 siemens LD
Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 271, LD 271 H LD 271 L, LD 271 HL Area not flat 5.9 5.5 0.6 0.4 GEX06239 Approx. weight 0.5 g Cathode 5.9 5.5 OO T— ¡a 0.6 0.4 Area not flat GE006645 Chip position Approx. weight 0.2 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight-Cutoff Filter Reverse Gullwing Photosensitive area 2.65 mm x 2.65 mm BPW 34 FS (E9087) en Cathode lead CD O GEO06916 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area n ot flat SFH 204 F SFH 204 FA Chip position 5.1 4.7 is W GE006964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Q62702-P5072

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode Mini Sidelooker GaAs-lnfrared Emitter (Mini Sidelooker) SFH 4110 Vorläufige Daten / Preliminary Data Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features •

4510

Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area not fla t SFH 205 SFH 206 Radiant sensitive area Cathode i L •«-; r-s _ t o -si 1 _ A- 3.7 GE0Û665 A p pro x. w e ig h t 0 .25 g Area not fla t 0 .6 x 0 .5

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tagelichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter NEW: in SMT BP 104 BP 104 FS sp acing -R a d ia n t sensitive area C athode A pp ro x. w e ig ht 0.1 g C hip p osition P hotosensitive Area = 2 .2 0 m m x 2 .2 0 m m

OHRD1938

Abstract: Q62702-P1137
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Q65110A2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

GEXY6051

Abstract: OHRD1938 Q62703-Q1031 Q62703-Q1820
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 274 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gehäusegleich mit SFH 484 • • • • Anwendungen

GEOY6422

Abstract: Q62702-P273
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse