TPCP8 Search Results

TPCP8105

Contextual Info: TPCP8105 MOSFETs Silicon P-Channel MOS U-MOS TPCP8105 1. Applications • Lithium-Ion Secondary Batteries • Power Management Switches • Notebook PCs 2. Features (1) Small, thin package (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 13.8 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

Contextual Info: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications 0.33±0.05 0.05 M A • 2.4±0.1 ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for

Contextual Info: TPCP8305 MOSFETs Silicon P-Channel MOS U-MOS TPCP8305 1. Applications • Lithium-Ion Secondary Batteries • Power Management Switches 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 23 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

Contextual Info: TPCP8604 東芝トランジスタ シリコンPNP三重拡散形 TPCP8604 ○ 高電圧スイッチング用 • 単位: mm 高耐圧です。: VCEO = −400 V 0.33±0.05 0.05 M A 記 号 定 格 単位 コ レ ク タ • ベ ー ス 間 電 圧 VCBO −400

TPCP8001-H

Abstract: 8001H TOSHIBA
Contextual Info: TPCP8001-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type Ultra High speed U-MOSIII TPCP8001-H High Efficiency DC／DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • High speed switching 5 0.475 1 4 B 0.05 M B

TPCP8603

Contextual Info: TPCP8603 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8603 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm ○ ストロボフラッシュ用 0.33±0.05 0.05 M A コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。:VCE sat = −0.2 V (最大)

TPCP8504

Contextual Info: TPCP8504 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8504 High Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm 0.33±0.05 0.05 M A 5 High DC current gain : hFE = 400 to 1000 IC = 0.2 A Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.12 V (max)

TPCP8008-H

Contextual Info: TPCP8008-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type U-MOSⅥ-H TPCP8008-H High-Efficiency DC-DC Converter Applications Notebook PC Applications Portable Equipment Applications • Small footprint due to a small and thin package • High-speed switching

Contextual Info: TPCP8305 MOSFET シリコンPチャネルMOS形 U-MOS TPCP8305 1. 用途 • リチウムイオン2次電池用 • パワーマネージメントスイッチ用 2. 特長 (1) 小型, 薄型で実装面積が小さい。 (2) オン抵抗が低い。: RDS(ON) = 23 mΩ (標準) (VGS = -4.5 V)

TPCP8302

Contextual Info: TPCP8302 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 U－MOSⅣ TPCP8302 ○ リチウムイオン 2 次電池用 単位: mm ○ ノートブック PC 用 0.33±0.05 0.05 M A ○ 携帯電子機器用 5 • 鉛フリー対応品(内部接続含む)。

8J01

Abstract: TPCP8J01
Contextual Info: TPCP8J01 シリコンPチャネルMOS形 U-MOSIV /シリコンNPNエピタキシャル形 東芝複合デバイス TPCP8J01 ○ ノートブック PC 用 ○ 携帯電子機器用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A 鉛フリー対応品(内部接続含む)。

TPCP8004

Abstract: Transistor MJ 8004
Contextual Info: TPCP8004 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOSⅣ TPCP8004 Notebook PC Applications Unit: mm Portable Equipment Applications 0.33 ± 0.05 0.05 Small footprint due to a small and thin package • High speed switching • Small gate charge: Qg = 26nC (typ.)

TH58NVG5

Abstract: TC58NVG4 TC58DVM92A5TA00 TH58NVG6 SSM3J307T TC58DVG02A5BAJ5 mp1484 TC58NVG3S TH58NVG5S2EBA20 SSM6J409TU
Contextual Info: 11 eye 東芝半導体情報誌アイ 2008 年 11 月号 Volume 195 CONTENTS 新製品情報 MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタ HN4B102J / TPC6901A / TPC6902 / TPCP8902 2 携帯機器向けロードスイッチ用 Pch MOSFET 3

TPCP8602

Abstract: 8602
Contextual Info: TPCP8602 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8602 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。

TPCP8F01

Contextual Info: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive

8J01

Abstract: TPCP8J01
Contextual Info: TPCP8J01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type U-MOSIV /Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8J01 Notebook PC Applications Portable Equipment Applications 0.33±0.05 0.05 M A 5 8 0.475 1 4 B 0.65 2.9±0.1 2.8±0.1 Lead(Pb)-Free Small mounting area due to small and thin package

Contextual Info: TPCP8007-H TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type U-MOSⅥ-H TPCP8007-H Switching Regulator Applications Motor Drive Applications DC-DC Converter Applications Unit: mm • Small footprint due to a small and thin package • High-speed switching

TPCP8004

Contextual Info: TPCP8004 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅣ TPCP8004 単位: mm ○ リチウムイオン 2 次電池用 0.33 ± 0.05 0.05 A M 8 5 • 小型, 薄型で実装面積が小さい。 • スイッチングスピードが速い。

Contextual Info: TPCP8107 MOSFETs Silicon P-Channel MOS U-MOS TPCP8107 1. Applications • Motor Drivers • Mobile Equipment 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge: QSW = 14.0 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 13.9 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

Contextual Info: TPCP8207 MOSFETs Silicon N-channel MOS U-MOS TPCP8207 1. Applications • Motor Drivers • Mobile Equipment 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Small gate charge : QSW = 4.7 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 29.1 mΩ (typ.) (VGS = 10 V)

Contextual Info: TPCP8305 MOSFETs Silicon P-Channel MOS U-MOS TPCP8305 1. Applications • Lithium-Ion Secondary Batteries • Power Management Switches 2. Features (1) Small footprint due to a small and thin package (2) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 23 mΩ (typ.) (VGS = -4.5 V)

Contextual Info: TPCP8111 MOSFETs Silicon P-Channel MOS U-MOS TPCP8111 1. Applications • Motor Drivers • Mobile Equipment 2. Features (1) Small, thin package (2) Small gate charge: QSW = 5.2 nC (typ.) (3) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 90 mΩ (typ.) (VGS = -10 V)

8J01

Abstract: TPCP8J01
Contextual Info: TPCP8J01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type U-MOSIV ／Silicon NPN Epitaxial Type TPCP8J01 Notebook PC Applications Portable Equipment Applications Unit: mm 0.33±0.05 0.05 M A 5 8 0.475 1 4 2.8±0.1 Lead(Pb)-Free Small mounting area due to small and thin package

TPCP8902

Contextual Info: TPCP8902 シリコンPNP / NPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ TPCP8902 ○ 携帯機器用 ○ スイッチング用 単位: mm 0.33±0.05 0.05 M A 5 小型薄型で実装面積が小さい。 • 直流電流増幅率が高い。