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    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    2SD390

    Abstract: D389A 2SD389 2SD390A 2SD389A 2SD389 0
    Contextual Info: 2SD389, 2SD389A, 2SD390, 2SD390A 2SD389, 2SD389A, 2SD390, 2SD390A I jn > NPN issasi/-Ij-as/siNPN Diffused Junction Mesa 4,ttl^ ^J±illi ffl//Medium Power Amplifier 11.5max. 4.8max. 1.5max. if# ^[/Features • a 1/ 9 $ Pc h ’>:k. 'c I '0/L a r g e collector dissipation


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    2sd3892sd389a2sd3902sd390a+2d389a2sd389 0 PDF

    OHM02257

    Abstract: OHM02258 Q62702-P5038 2004.09.23 SFH9201-4 SFH 9201
    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9201 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung


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    ohm02257ohm02258q62702-p50382004.09.23+2sfh9201-4sfh 9201 PDF

    Fototransistor

    Abstract: D 9202 9202 OHM02257 OHM02258 Q62702-P5009 Q62702-P5010 Q62702-P5039 Q62702P5039 SFH 9202
    Contextual Info: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9202 Wesentliche Merkmale • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender • Si-NPN-Fototransistor: Empfänger • Tageslichtsperrfilter • Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA


    Original
    fototransistord 92029202ohm02257+6ohm02258q62702-p5009q62702-p5010q62702-p5039q62702p5039sfh 9202 PDF

    UEI 20 SP 010

    Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
    Contextual Info: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"


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    64-kbit-sehreib--iese-speicher086/11/b9uei 20 sp 010datenblattsammlung+8u82720mikroelektronik datenblattsammlungveb mikroelektronikub8820mhalbleiterwerk frankfurtuei 15 sp 020aktive elektronische bauelemente 1988 teil 2b4207d PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
    Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    dor102halbleiterbauelemente ddrgaz17diode sy-250+7halbleiterwerk frankfurtsal41diode sy-170sf 127diode say17halbleiter-bauelemente ddrsy 170 PDF

    B083D

    Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
    Contextual Info: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik


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    b083du82720a110dtda4100+6ub8830dv40511dtaa981a109dsy 710ic 7447 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
    Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.


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    6x10x12halbleiterbauelemente ddrdioden sy 250diode sy-250+7b250c135u103dgd244transistor gc 301sam42diode sy 166d172c PDF

    diode E1110

    Abstract: lN4002 LN4003 ANA 618 20010 TDB 0123 km b3170 E1110 Diode UB8560D MAA723 moc 2030
    Contextual Info: elektronik-bauelem ente I WT VD AVL 1 /8 7 Bl. 2 E r l ä u t e r u n g e n z u m I n h a l t und zu d e n A n g a b e n d e r B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e D ie B a u e l e m e n t e - V e r g l e i c h s l i s t e e n t h ä l t a l l e in d e r B i l a n z v e r a n t w o r t u n g d e s V E B K o m b i n a t


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    diode e1110ln4002ln4003ana 618 20010+6tdb 0123 kmb3170e1110 diodeub8560dmaa723moc 2030 PDF

    mikroelektronik ddr

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
    Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn­ daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden


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    mikroelektronik ddrhalbleiterbauelemente ddrveb mikroelektronikvqb 71+6a910dvqb71halbleiterwerk frankfurtdiode sy-170vqb 37u112d PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
    Contextual Info: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs­ elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK


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    halbleiterbauelemente ddrmikroelektronik heft 12veb mikroelektronikinformation applikation+6mikroelektronik information applikationtransistoren ddrinformation applikation mikroelektronikmikroelektronik heftsy 710applikation heft PDF

    Fototransistor

    Abstract: human MOTION DETECTOR ir sensor lichtschranke
    Contextual Info: Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter SFH 9210 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Großer Arbeitsabstand 2-10mm • IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem


    Original
    2-10mmfototransistorhuman motion detector ir sensorlichtschranke PDF

    9202

    Abstract: reflex OHM02257 OHM02258 SFH 9202
    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter • Geringe Sättigungsspannung


    Original
    9202reflexohm02257ohm02258+1sfh 9202 PDF

    GPLY0505

    Abstract: OHLY0597 OHM02257 OHM02258 OHPY0030 Si-npn TRANSISTOR KATALOG
    Contextual Info: Reflexlichtschranke mit VCSEL-Sender Reflective Interrupter with VCSEL-Emitter SFH 9210 Wesentliche Merkmale Features • Großer Arbeitsabstand 2-10mm • IR-GaAs-VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Laser)in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor


    Original
    2-10mmgply0505ohly0597ohm02257+4ohm02258ohpy0030si-npntransistor katalog PDF

    IC 9102

    Abstract: Fototransistor SFH 910 SFH 9102 Silicon NPN Phototransistor 9102 diode 9102
    Contextual Info: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Light Reflection Switch in SMT Package SFH 9102 Vorläufige Daten Preliminary Data Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Reflexlichtschranke für 1 mm bis 5 mm


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    ic 9102fototransistorsfh 910sfh 9102+3silicon npn phototransistor9102diode 9102 PDF

    Fototransistor

    Abstract: Q65110A2705 9202 Q65110A2710 OHM02257 OHM02258 SFH 9202
    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter


    Original
    fototransistorq65110a27059202q65110a2710+3ohm02257ohm02258sfh 9202 PDF

    Motorola transistor smd marking codes

    Abstract: SMD TRANSISTOR MARKING 5c SMD code smd TRANSISTOR code marking 2F toshiba smd marking code transistor TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1P smd transistor 5c Diode SOT-23 marking 15d SMD TRANSISTOR MARKING 6B TRANSISTOR SMD MARKING CODE 1d
    Contextual Info: Eugene Turuta 2 - pins SOT - 89 databook 3 - pins Acti ve Activ SMD components mar king codes marking Introduction SMD-codes for semiconductor components in 3-pins cases SMD-codes for semiconductor components in SOT-89 cases SMD-codes for semiconductor components in BGA and LPP cases


    Original
    ot-89ot-223c-1202001md+10motorola transistor smd marking codessmd transistor marking 5csmd codesmd transistor code marking 2ftoshiba smd marking code transistortransistor smd marking code 1psmd transistor 5cdiode sot-23 marking 15dsmd transistor marking 6btransistor smd marking code 1d PDF

    siemens EM 235

    Abstract: sfh siemens 900-3 SFH900 Q62702-P935 sfh diode
    Contextual Info: SIEMENS SFH 900 Miniatur-Reflexlichtschranken Miniature Light Reflection Switches P la s tic f la s h b e tw e e n _,1'9 jri?.! t ^ o d i k -I'll- 1. 0.8 2. •^ , , p oi i T - S » * 3. E m itt e r onode E m itt e r c a th o d e / d e te c to r e m it te r


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    siemens em 235sfh siemens 900-3sfh900q62702-p935+1sfh diode PDF

    en 60721-3-3

    Abstract: Si-npn OHM02257 OHM02258 Q62702-P5038 sfh9201 SFH 9201
    Contextual Info: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9201 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • • • • • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender Si-NPN-Fototransistor: Empfänger


    Original
    en 60721-3-3si-npnohm02257ohm02258+3q62702-p5038sfh9201sfh 9201 PDF

    SFH 9202

    Contextual Info: Reflexlichtschranke im SMT-Gehäuse Reflective Interrupter in SMT Package SFH 9202 Wesentliche Merkmale • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode: Sender • Si-NPN-Fototransistor: Empfänger • Tageslichtsperrfilter • Kollektor-Emitter-Strom typ. 0.2 mA


    Original
    sfh 9202 PDF

    SFH 9202

    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter


    Original
    q65110a2712q65110a2705q65110a2710q65110a2709+2q65110a2711sfh 9202 PDF

    SFH9206

    Abstract: en 60721-3-3 SFH 9202
    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Not for new design Replacement: SFH9206 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination


    Original
    sfh9206q65110a2712q65110a2705q65110a2710+4q65110a2709q65110a2711en 60721-3-3sfh 9202 PDF

    OHM02257

    Abstract: OHM02258 Q65110A2710 Q65110A2705 92024 9202 Q65110A2712 SFH 9202
    Contextual Info: Reflexlichtschranke Reflective Interrupter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9202 Wesentliche Merkmale Features • Optimaler Arbeitsabstand 1 mm bis 5 mm • IR-GaAs-Lumineszenzdiode in Kombination mit einem Si-NPN-Fototransistor • Tageslichtsperrfilter


    Original
    ohm02257ohm02258q65110a2710q65110a2705+4920249202q65110a2712sfh 9202 PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
    Contextual Info: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.


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    v4019ddr-1035halbleiterbauelemente ddrdiode bzw 70-20+8veb mikroelektronikdatenblattsammlungmikroelektronik ddraktive elektronische bauelemente ddrmikroelektronik datenblattsammlungmikroelektronik applikationinformation applikation mikroelektronikhalbleiterwerk frankfurt PDF

    RPY 86

    Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
    Contextual Info: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ­


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    rpy 86valvo halbleiterrpy94cqy 24+6bv ei 30-20 3001ldr 03diode byx 64 600valvo transistorenkp101abav99-1 PDF