SFH 400 Search Results

SMR 4000

Abstract: 495p topled SFH 4501
Contextual Info: IR-LUMINESZENZDIODEN INFRARED EMITTERS TYPENÜBERSICHT IR-L SUMMARY OF TYPES (I UMINESZENZDIODEN 1. Emitter in SMT NFRARED EMITTERS) 1. Emitters in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH 421 / SFH 4200 SMARTLED SFH 4000 / SFH 4010 / SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4209 / SFH 4219

SFH400

Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62
Contextual Info: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 501 10.95 SFH 400, SFH 401, SFH 402

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401

diode SR 315

Abstract: BPX65 high sensitive
Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481

SFH Siemens

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position Radiant Sensitive area o o (O o O) GE006314 : SFH 481 Anode Cathode : SFH 401 O ) o (O o Chip position (2.7) Radiant sensitive area

2500FA

Abstract: 2505FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode in SMR Gehäuse Silicon PIN Photodiode in SMR® Package SFH 2500FA, SFH 2505, SFH 2505FA SFH 2500FA SFH 2505 SFH 2505FA Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich S10% 400nm bis 1100nm (SFH 2505) und 750nm bis 1100nm

SFH Siemens

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Chip position 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Cathode (SFH 480 Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) Radiant Sensitive area 00.45 i -L 5.3 5.0 7.4 GE006314 O Oí o o (O 6.6 Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481

OHRD1938

Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

ic 4580

Abstract: IC 4580 R sideled
Contextual Info: IR -L u m in e s z e n z d io d e n I n f r a r e d E m it t e r s T y p e n ü b e r s ic h t S umm ary 1. 1. Em itter in SMT TOPLED SFH 420 / SFH 4211 / SFH421 / SFH 4200 SIDELED SFH 425 / SFH 426 / SFH 4205 2. SMARTLED SFH 4000 / SFH 4 0 1 0 /SFH 4020 SFH 4080 / SFH 4 2 0 9 /SFH 4219

Q62702-P790

Abstract: Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62
Contextual Info: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

Siemens SFH 506

Abstract: SFH Siemens
Contextual Info: SIEM ENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter r C ath o d e Anode C hip p osition 2.7 SFH 400 SFH 401 SFH 402 (SFH 4 8 0 ) R a d ia n t Sensitive (S F H 2 1 6 , SFH 2 3 1 , area SFH 4 0 0 ) i Anode = SFH 481 C athode = SFH 401 (package) 0 0.45

SFH400

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

BPX65

Abstract: Q62702-P784 BPX osram BPX-65 sfh 291 tci 571 OHRD1938 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

OHRD1938

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

P3596

Abstract: GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität

it 401 a

Abstract: Q62702P0097
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 400, SFH 401,SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale Features • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

P3596

Abstract: Q62702-P3595 Q62702-P1673 Q62702-P3596 Q62702-P874
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität • 3 mm-Plastikbauform

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)

214 opto

Abstract: GEX06630 Q62702-P1672 Q62702-P922
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 214 SFH 214 FA SFH 214 SFH 214 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 214 und bei 880 nm (SFH 214 FA)

GEXY6710

Abstract: OHLY0598
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 310) und bei 880 nm (SFH 310 FA)

SFH213

Abstract: SFH213 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)

lichtschranke

Abstract: OHF01034 OHF01773
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 213 SFH 213 FA SFH 213 FA SFH 213 Wesentliche Merkmale Features • Wellenlängenbereich (S10%) 400nm bis 1100nm (SFH 213) und 750nm bis 1100nm (SFH 213 FA) • Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)

GEO06645

Abstract: Q62702-P955 Q62702-P956 SFH203
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 203 SFH 203 FA SFH 203 SFH 203 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 203 und bei 880 nm (SFH 203 FA)

Contextual Info: 2014-01-13 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 SFH 213, SFH 213 FA SFH 213 SFH 213 FA Features: Besondere Merkmale: • Wavelength range S10% 400 nm to 1100 nm (SFH 213) and 750 nm to 1100 nm (SFH 213 FA) • Short switching time (typ. 5 ns)