SFH 225 FA Search Results

silicon PIN photodiode with daylight filter

Abstract: Q62702-P1051 SFH225 c048
Contextual Info: SFH 225 FA SFH 225 FA feo06422 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen bei

foto transistor

Abstract: Q62702-P1051 silicon PIN photodiode with daylight filter S3425
Contextual Info: SFH 225 FA feo06422 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen bei

SFH 225 FA

Contextual Info: 2007-04-02 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns

SFH 225 FA

Contextual Info: 2014-01-13 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.1 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns

GEOY6422

Abstract: Q62702-P1051 SFH 225 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar

GEO06422

Abstract: Q62702-P1051 SFH 225 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar

Contextual Info: SIEM ENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA 35.5 33.5 not fla t GE006422 O ° Approx. weight 0 .25 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

GEOY6422

Abstract: OHLY0598 SFH 225 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 225 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

GEOY6422

Abstract: OHLY0598 SFH 225 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 225 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

GEOY6422

Abstract: Q62702-P1051 SFH 225 FA
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

Contextual Info: SIEM EN S Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA 3 5.5 3 3.5 io io 0,5 0.3 r-. u ui S i i 3 .8 CO h Ö |o T 3.1 2.6 1.8 1.2 to 7 .2 \ Cathode ^ '«—o r Surface ^ not flat 6.6 _ j Photosensitive

Contextual Info: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 225 FA 3 5 .5 33.5 0 .5 ' 0 .3 |.E * ' 3 .8 I 3.1 ’ 2 .6 7 .2 6.6 C athode • nj P h o to se ns itive Surface not A pprox. w eig h t flat 0 .2 5 g

Contextual Info: SFH 225 SIEMENS SILICON PIN PHOTODIODE DAYLIGHT FILTER Package Dimensions in Inches mm 1.395(35.5) 1.317(33.5) .100 (254) .024 (0.6) 0 1 6 « 4) .020 ( . 5 ) , .012 ( .3 p | .028 (0.7) Max! f .Cathode I* .071 (1.8) r*?i "047(1.2) T — — ¡-H — .03118)

Contextual Info: SIEMENS SFH 225 SILICON PIN PHOTODIODE DAYLIGHT FILTER P a cka ge D im e n sio n s in In c h e s m m 1.395 (35.5) 1.317 (33.5) .100 (2 54) .024 (0.6) •016j(0.4) ■020(5) , .012 ( . á T I .028 (0.7) Max7 Cathode .071 (1.8) "047(1.2) n T TÉ7 206(5 1)

bpy 79

Abstract: irl 3034 bestellnummern-verzeichnis Q62702-P1187 bf 478 Q62702-P935 Q62607-S61 sfh siemens SFH415-T siemens Bestellnummern-Verzeichnis
Contextual Info: SIEMENS Typ ‘ vorher Type ('formerly) BP 103 BP 103-2 BP 103-3 BP 103-4 BP 103-5 BP 104 F (*BP 104) BP 104 FS BP 104 S BPW21 BPW 33 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPW 34 BPX 38 B F FA FAS FS S BPX 38-2 BPX 38-3 BPX 38-4 BPX 38-5 BPX 43 BPX 43-2

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA

BPX48

Abstract: SFH291 SFH100 fh205 BPW-21 SFH 314 fotodioden SFH317 bpx90 SFH2030
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors Typenübersicht Summary of Types 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors S ' y •- S BP 103 SFH 302 S F H 50 6 BPX81 BPX 83 SFH 305 V BP X 90/F BPX 38 BP 103 B/BF SFH 313/FA

Q627021

Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 4. PIN-Fotodioden Package Type C vorher * formerly) 4. PIN Photodiodes <f> deg. Radiant sensitive area mm2 950 nm, E , = 1 mW/cm2. K„ = 5 V ) HA (X = 4.1 im klaren Plastikgehäuse B PW 34 ^•10% l? (!'■„= 10 V)

bpw 104

Abstract: foto transistor k 4110 BPW 34 photo K 3505 transistor transistor 309 BPW 14 A IC 314 BP 104 FAS foto transistor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN TYPENÜBERSICHT S -F I SILICON PHOTODETECTORS OTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN 1. Foto IC für Fernsteuerung SFH 5110 SUMMARY OF TYPES (S PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS) 1. Photo IC for Remote Control SFH 5410 SFH 5111 2. Fotodetektoren in SMT

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 4580 SFH 4585 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 1 1998-11-12 SFH 4580 SFH 4585 SIEMENS Wesentliche Merkmale

4580

Abstract: 4580 D 4580 chip GEO06960 GEO06961
Contextual Info: GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) 2.7 2.3 2.7 2.4 Chip position 4.5 7.5 3.9 5.5 (3.2) (R 2.8) 4.8 4.4 2.05 R 1.95 SFH 4580 SFH 4585 14.7 13.1 (3.2) -0.1.0.1 3.7 3.3 6.0 5.4 GEO06960 2.54 mm spacing Cathode 4.5 3.9 7.7

SFH205

Abstract: Q62702P1129 f495 BP104F
Contextual Info: Si-Fotodetektoren 3.2 Silicon Photodetectors Type ‘ ab 4/95 <t> (1/r=5V , deg. mm2 /¿A ±60 2.71 x 2 71 7 5 (2 3 5 ) Ev= 0 .9 8 5 x 0 985 F ig- Q62702-P76 15 ffL=1 k ii) pA o o ±75 O rdering code (V h= 5 V, 1000 Ix, stan­ dard light A) im hermetisch dichten Metallgehäuse,

GPLY6724

Abstract: GPLY6880 Q62702-P1055
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode in SMT-Gehäuse GaAlAs Infrared Emitter in SMT Package SFH 421 SFH 426 SFH 421 SFH 426 Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gute Linearität Ie = f [IF] bei hohen Strömen • Gleichstrom- (mit Modulation) oder

Bpy 43

Abstract: BP 103-3 SFH 225 FA BPX 43-3/4 SFH 309-3/4
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN SILICON PHOTODETECTORS 4. Fototransistoren 4. Phototransistors TA = 25 °C Package TA = 25 °C Type ϕ Radiant sensitive area deg. mm2 IPCE λ = 950 nm, Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V VCEO λ10% mA V nm tr,tf (IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ)