Q62702Q Search Results

Contextual Info: BAR 65-03W Silicon RF Switching Diode Preliminary data • Low loss, low capacitance PIN-diode • Band switch for TV-tuners • Series diode for mobile communications transmit-receive switch Type Marking Ordering Code BAR 65-03WM/blue Q62702Q62702-A1047 Pin Configuration

transistor A1046

Abstract: A1046 k a1046 a1046 transistor 68-03W
Contextual Info: BAT 68-03W Silicon Schottky Diode Preliminary data • For mixer applications in the VHF/UHF range • For high speed switching Type Marking Ordering Code BAT 68-03W K Q62702Q62702-A1046 Pin Configuration Package 1=A SOD-323 2=K Maximum Ratings Parameter Symbol

A1145 transistor

Abstract: marking bbs
Contextual Info: BAR 81 Silicon RF Switching Diode Preliminary data • Design for use in shunt configuration • High shunt signal isolation • Low shunt insertion loss Type Marking Ordering Code Pin Configuration BAR 81 BBs 1=C Q62702Q62702-A1145 2=A 3=C Package 4=A MW-4

A1104

Abstract: sod323 diode marking code AC
Contextual Info: BAT 15-03W Silicon Schottky Diode • DBS mixer applications to 12 GHz • Low noise figure • Low barrier type ESD: ElectroStatic Discharge sensitive device, observe handling precautions! Type Marking Ordering Code BAT 15-03W P/white Q62702Q62702-A1104 Pin Configuration

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil

A676-P2R1-1

Contextual Info: Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676, LY A676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter • Wellenlänge: 633 nm super-rot ,

opto 7800

Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Q62703-Q4999

Abstract: LWA67C-T1U2-3C5D Q62703-Q5030 A679-E1F1 A672-M2 A679-E2F2-1 LA M776-P2Q2-1 A679-F1G2-1 Q62703Q5072
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area Mini TOPLED RG (Reverse Gullwing) through-hole ΦV [mlm] IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer

FP 310

Abstract: Q62902-B155-F222 Siemens LS 3369-fh irl 3034 SCF 5784 KTY 11-5 KTY 20-5 KTY 14-6 Q68000-A7820 LG 57A
Contextual Info: Alphanumerisches Typenverzeichnis Alphanumeric Type Index Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Typ Type Bestellnummer Ordering code 4N25 4N26

IAO5 Sharp

Abstract: free transistor equivalent book 2sc siemens transistor asy 27 Diode BAY 61 TRANSISTOR BJ 131-6 tesla typ 202 thyristor Tesla z1072 HALL EFFECT 21E z1071
Contextual Info: SIEM EN S Semiconductor Manual Discrete Industrial Types 1974 ACY 23, ACY 32 PNP Transistors for AF pre-stages The ACY 23 and ACY 32 are alloyed germanium PNP transistors in the case 1 A 3 DIN 41871 sim. TO -1 . The leads are electrically insulated from the case. The

Q62703-Q6202

Abstract: Q62703-Q6206 L896-Q1R2-24 Q62703-Q6164
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] SmartLEDTM Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area ΦV [mlm] IV [mcd] at IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer (50% IV) Ordering code

Q62703Q5075

Contextual Info: Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676, LY A676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter • Wellenlänge: 633 nm super-rot ,

E7800

Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
Contextual Info: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 SFH 464 1 0.9 .1 GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 fet06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem

Q62901-B65

Abstract: Q62902-B156-F222 Q62902-B152-F222 A671 transistor Datasheet diode BZW 70-20 LW T67C-S2U1-35 Q62703-Q6351 LM776 din standard 5480 Q62703-P4699
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES 58 Wavelength λdomtyp. 645 nm 633 nm 628 nm 617 nm 606 nm 590 nm 587 nm 570 nm 560 nm 528 nm 505 nm 470 nm 465 nm Viewing Angle (typ.) 30 … 70 degrees 40 … 80 degrees > 80 degrees > 80 degrees > 80 degrees Die Technology

Q62703-Q1746

Abstract: q62703q1381
Contextual Info: L u m in e s z e n z d io d e n L ig h t E m it t in g D io d e s R a d ia l e L E D R a d ia l L E D Package Type Emissionsfarbe Emission color Adorn typ. Gehäusefarbe Emission Color at <J>., [mlm] Iv [mcd] [nm] 2<p (typ.) Bestellnummer (50% lv) Ordering code

BPX osram

Abstract: E7800
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit

Q62902-B152-F222

Abstract: Q62902-B156-F222 Q62901-B65 Q62902-B155 a5954 lsp 5502 Q62902-B153-F222 LED LR 3330 Q62901-B62 Q62703-Q2376
Contextual Info: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes SMT-LED SMT-LEDs Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche IV Color of light [mcd] emitting area TOPLED LH T674-KM LH T674-L LH T674-M LH T674-LN LS T670-HK LS T670-J

Contextual Info: Hyper SIDELED Hyper-Bright LED LS A676, LA A676, LO A676, LY A676 Besondere Merkmale Features • Gehäusetyp: weißes SMT Gehäuse • Besonderheit des Bauteils: Abstrahlung parallel zur Platine, deshalb ideal zur Einkopplung in Lichtleiter • Wellenlänge: 633 nm super-rot ,

Q62902-B152-F222

Abstract: Q62902-B155 Q62902-B141 LM776 3360D Q62703P5269 Q62902-B152 Q62703Q5109 Q62703-Q5083 T676-P1Q1-1
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LUMINESZENZDIODEN LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES LIGHT EMITTING DIODES Taping of LEDs SMT LED type designation system Gurtung von Lumineszenzdioden All SMT LEDs are available in 8 mm resp. 12 mm tapes. SMT-LED-Typenbezeichnungsschema

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

CP140

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem

KTY 88

Abstract: KTY 20-6 Q62902-B152-F222 Q62902-B156-F222 Q62703-N0191 Q62902-B155 Q62702-P1088 Q62702P946 Q62703-N209 Q62902-B155-F222
Contextual Info: Alphanumerische Bestellnummern Q-Nummem Alphanumeric Ordering Codes (Q numbers) Achtung: Neue Typenbezeichnung bei Si-Fotodedektoren und Lichtwellenleitern Attention: New type designations for Si-Photodetectors and Fiber-Optic Systems Bestellnummer Ordering code

7800 opto

Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an