PHOTOTRANSISTOR PEAK 550 NM Search Results

phototransistor peak 550 nm

Abstract: Fototransistor phototransistor 550 nm phototransistor 650 nm IC 9260 GEO06840 OHM02257 OHF00601
Contextual Info: Reflexlichtschranke mit 660 nm - Emitter und Fototransistor - Detektor Reflective Interrupter with 660 nm - Emitter and Phototransistor - Detector SFH 9260 Wesentliche Merkmale • Roter Emitter 660 nm • Silizium Fototransistor • Geringe Sättigungsspannung

9260 transistor

Contextual Info: SFH 9260 Reflexlichtschranke mit 660 nm - Emitter und Fototransistor - Detektor Reflective Interrupter with 660 nm - Emitter and Phototransistor - Detector 6.2 5.8 3.4 3.0 4.2 3.8 2.1 1.7 0.0.1 0.15 0.13 Vorläufige Daten/Preliminary Data 0.5 0.3 6 5 4 1

fototransistor

Abstract: phototransistor peak 550 nm phototransistor 600 nm GEOY6840 OHM02257 OHF00601 lichtschranken-anwendungen 9260 transistor phototransistor 650 nm TP 9260
Contextual Info: Reflexlichtschranke mit 660 nm - Emitter und Fototransistor - Detektor Reflective Interrupter with 660 nm - Emitter and Phototransistor - Detector SFH 9260 Wesentliche Merkmale • Roter Emitter 660 nm • Silizium Fototransistor • Geringe Sättigungsspannung

sfh9260

Contextual Info: SIEMENS SFH 9260 Reflexlichtschranke mit 660 nm - Emitter und Fototransistor - Detektor Reflective Interrupter with 660 nm - Emitter and Phototransistor - Detector Vorläufige Daten/Preliminary Data 1 Type SFH 9260 Anode 2 3 - 4 Emitter Collector 5 6 - O O

phototransistor 650 nm

Abstract: Q62702-P1634 fototransistor led c 331 transistor transistor d 331 331 transistor
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten Features

fototransistor

Abstract: phototransistor peak 550 nm fototransistor led
Contextual Info: 2009-03-05 SMT Multi TOPLED SMT Multi TOPLED Version 1.0 SFH 331 Features: Besondere Merkmale: • SMT package with red emitter 635 nm and Si-phototransistor • Suitable for SMT assembly • Available on tape and reel • Emitter and detector can be controlled separately

transistor h 331

Abstract: c 331 transistor 331 transistor switching transistor 331 phototransistor 650 nm transistor 331 d 331 Transistor Q62702-P1634 phototransistor 550 nm phototransistor peak 550 nm
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten Features

transistor d-331

Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

transistor d 331

Abstract: D F 331 TRANSISTOR d 331 TRANSISTOR equivalent switching transistor 331 Q62702-P1634 phototransistor 650 nm phototransistor peak 550 nm transistor d 331 data c 331 transistor transistor C 331
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten

phototransistor 650 nm

Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

phototransistor 650 nm

Abstract: phototransistor peak 550 nm
Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

L 3005 TRANSISTOR

Abstract: transistor 3005 2 transistor 3005 SI 3102 v NPN 200 VOLTS POWER TRANSISTOR photon coupled interrupter nte 3100 npn PHOTO GAP DETECTOR
Contextual Info: typical NTE Type Number Description Typical Peak Emission Wavelength nm Typical Response Time (ns) Diagram Number Total External Radiated Power (mW) Po VF Vr If Pd Xp ton, toff 550|iW 1.5 3 50 75 900 10 Maximum Forward Voltage (Volts) Reverse Voltage (Volts)

fototransistor ir

Abstract: phototransistor peak 550 nm
Contextual Info: 2012-08-17 Multi TOPLED with LED and Phototransistor-Detector Multi TOPLED mit LED und Fototransistor-Detektor Version 1.0 SFH 7225 Features: Besondere Merkmale: • Display function can be controlled by built-in phototransistor • Yellow LED • Dominant wavelength: 589 nm

D F 331 TRANSISTOR

Contextual Info: SIEM ENS SM T Multi TOPLED SFH 331 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Typ Type Bestellnummer Ordering Code S F H 331 Q 62702-P1634 Wesentliche Merkmale • Geeignet für V apor-Phase Löten und IR-Reflow Löten

c 331 transistor

Abstract: transistor d 331 331 transistor fototransistor led phototransistor 650 nm d 331 TRANSISTOR equivalent GPL06924 Q62702-P1634 switching transistor 331 transistor C 331
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 3.0 2.6 2.3 2.1 0.9 0.7 3 C C E 0.1 typ 1.1 0.5 3.4 3.0 A 3.7 3.3 2 2.4 0.8 0.6 2.1 1.7 1 4 0.18 0.12 Package marking Emission color : super-red 0.6 0.4 GPL06924 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Contextual Info: 0.8mm Height Flat Top Phototransistor PT19-21C/L41/TR8 Features ․Fast response time ․High photo sensitivity ․Small junction capacitance ․Pb free Descriptions ․PT19-21C/L41/TR8 is a phototransistor in miniature SMD package which is molded in a water clear with flat top view lens.

transistor h 331

Abstract: D F 331 TRANSISTOR C 331 Transistor transistor d 331 d 331 Transistor transistor 331 p 331 transistor y 331 Transistor transistor 331 VQE 22 led
Contextual Info: SIEMENS SMT Multi TOPLED SFH 331 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Typ Type Bestellnummer Ordering Code SFH 331 Q62702-P1634 W esentliche Merkmale • Geeignet für Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten

hamamatsu CDs photoconductive cells kk

Abstract: hamamatsu CDs photoconductive
Contextual Info: PRELIMINARY PHOTOTRANSISTOR Phototransistor S10084, S10115 Phototransistor having spectral response close to human eye sensitivity S10084 and S10115 are phototransistors with spectral response close to the visual sensitivity human eye sensitivity . S10084 is sealed in a

Contextual Info: Vishay Intertechnology, Inc. Automotive Body Electronics One of the World’s Largest Manufacturers of Discrete Semiconductors and Passive Components AUTOMOTIVE Automotive Body Electronics More information on the Engineer’s Toolbox, including product datasheet links, can be found at www.vishay.com/ref/et3.

fototransistor led

Abstract: fototransistor phototransistor 650 nm led fototransistor 7226 phototransistor 600 nm rote LED OHF01121
Contextual Info: Multi TOPLED mit LED und Fototransistor-Detektor Multi TOPLED with LED and Phototransistor-Detector SFH 7225 SFH 7226 Wesentliche Merkmale • Anzeigefunktion kann durch eingebauten Fototransistor überwacht werden • SFH 7225: gelbe LED • SFH 7226: super-rote LED

Contextual Info: SbE D • B O a O b O 1! 0 0 0 1 1 7 4 TIE « V C T V T T -C 4 0 .040" NPN Phototransistor Chip E G & G VACT EC DESCRIPTION ~ CHIP DIMENSIONS EG&G Vactec fabricates its silicon photosensor chips using state-of-the-art planar diffusion technology. All chips are

Vactec

Abstract: VTT-C40 phototransistor peak 550 nm Vactec 25
Contextual Info: S bE D • 3Q3ÜLÜT 0001174 T12 M V C T .040" NPN Phototransistor Chip .*“' ^ ‘7 VTT-C40 E G & G VACTEC DESCRIPTION CHIP DIMENSIONS inch mm EG&G Vactec fabricates its silicon photosensor chips using state-of-the-art planar diffusion technology. All chips are

Phototransistor L14G3 application

Abstract: L14F1 npn photo transistor L14G2 application note L14F1 phototransistor 2N5777 circuit using l14f1 H11A520 340 opto isolator L14F1 photo transistor 2n5777
Contextual Info: OPTOELECTRONICS GE TYPE PAGE NO. LED55C LED55B LED56 LED55CF LED55BF LED56F 134] 1341 1341 1341 1341 1341 MIN. PO@ lp=100mA 5.4mW 3.5mW 1.5mW 5.4mW 3.5 mW 1.5mW INFRARED EMITTERS FALL MAX. PEAK EMISSION RISE TIME Vp @ WAVELENGTH TIME lp= 100mA TYP. n. METERS TYP. n. SEC. TYP. n. SEC.