PAH1001 Search Results

Module 231

Abstract: PAH10016
Contextual Info: THYRISTOR 222A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT K2 G2 PAT10012 PAT10016 PAH10012 PAH10016 PAH 1 3 3 1 K1 G1 K1 G1 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） φ φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter

PAH10016

Abstract: PAH10012 PAT10016 PAT10012 300A thyristor gate control circuit
Contextual Info: THYRISTOR MODULE 222A / 1200 to 1600V PAT10012 PAT10016 PAH10012 PAH10016 FEATURES * Isolated Base * Dual Thyristors or Thyristor and Diode Anti-Parallel Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 OUTLINE DRAWING φ TYPICAL APPLICATIONS

Contextual Info: THYRISTOR 222A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT10012 PAT10016 PAH10012 PAH10016 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） PAT K2 G2 3 1 K1 G1 PAH 3 1 K1 G1 ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter

Contextual Info: ＴＨＹＲＩＳＴＯＲ •回路図 PAT10016 PAH10016 222Ａ RMS 1600 Ｖolts CIRCUIT ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING Dimension:［mm］ ■最大定格 Ｍaximum Ratings 項 目 Parameter くり返しピークオフ電圧 Repetitive Peak Off-State Voltage

PAT10016

Abstract: PAH10012 PAH10016 PAT10012 Module 231
Contextual Info: THYRISTOR 222A RMS 1200~1600 Volts •回路図 CIRCUIT PAT K2 G2 PAT10012 PAT10016 PAH10012 PAH10016 PAH 1 3 3 1 K1 G1 K1 G1 ■外形寸法図 OUTLINE DRAWING （単位 Dimension：mm） φ φ ■最大定格 Maximum Ratings 項 目 Parameter

PAH10016

Abstract: pah1001 300A thyristor gate control circuit
Contextual Info: THYRISTOR MODULE 100A / 1200 to 1600V PAT10012 PAT10016 PAH10012 PAH10016 FEATURES * Isolated Base * Dual Thyristors or Thyristor and Diode Anti-Parallel Circuit * High Surge Capability * UL Recognized, File No. E187184 OUTLINE DRAWING φ TYPICAL APPLICATIONS

PT76S16

Abstract: d2n203le 10ERB20 508RP FCHS20A 300MCB
Contextual Info: Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ

508RP

Abstract: 10ERB20 d2n202le D2W220CD FCH10U15 FCU20A40
Contextual Info: NO. 42 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ

PDM5001

Abstract: PDT400N16 pah60n8cm PHMB50E6CL PHT250N16 PHT400N16 PD100KN16 PAH100N8CM PT76S16 PAT400N16
Contextual Info: Contents Page Rectifier Diode PH PC PD PE PF PB PT C2 C3 C4,C5 C5 C6 C6 C7,C8 Fast Recovery Diode PH-F, PC-F, PD-F P2H-F C9 C10 Schottky Barrier Diode PC-Q, PE-Q, PQ-Q P2H-Q C11 C12 Thyristor plus Diode PHT PDT PAT PFT PAH PCH PDH PKH PBH, PBH-A, PBF PGH

FCGS20A12

Abstract: FCHS10A12 EC10QS04 TE12L d2n203le 10ERA60 FCHS20A 20NFB60 FCU20A40 PAH100N8CM 10eda10
Contextual Info: NO. 43 Power Semiconductors Catalog Nihon Inter Electronics Corporation 安全設計に関するお願い ●当社は常に製品の品質信頼性の維持向上に努めておりますが、一般に半導体製品では故障がある確率で起こることは避けられ