P2002IVG Search Results

ELM34812AA

Contextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特点 ELM34812AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值

Contextual Info: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)

P70N02LDG

Abstract: p0603bdg P60N03LDG PA102FDG P2503NPG P45N02LDG P0603BD P1703BDG P0403BDG P3004ND5G
Contextual Info: PRODUCT SELECTION GUIDE NIKO-SEM Surface-Mount And Through-Hole Power MOSFET Part Number BVDSS V VGS@ 2.5V RDS(ON) Max (mΩ) VGS@ VGS@ 4.5V 10V Ciss(Typ.) (pF) Qg(Typ.) RθJC VGS(th) (nc) ℃/W Max (V) ID (A) PD (W) TO-263 /220 N-Channel P45N02LSG P45N03LTG

Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特長 ELM34812AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=20V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V)

Contextual Info: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)