ELM34812AA Search Results
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Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
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ELM34812AAContextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特点 ELM34812AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET,内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值 |
Original |
ELM34812AA-N MAY-19-2005 P2002IVG ELM34812AA | |
Contextual Info: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) |
Original |
ELM34812AA-N ELM34812AA-N P2002IVG MAY-19-2005 | |
Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特長 ELM34812AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=20V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V) |
Original |
ELM34812AA-N P2002IVG MAY-19-2005 | |
Contextual Info: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) |
Original |
ELM34812AA-N ELM34812AA-N P2002IVG MAY-19-2005 |