OHR01461 Search Results
OHR01461 Datasheets Context Search
| Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
|---|---|---|---|
GETY6090
Abstract: SFH400
|
Original |
||
opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
|
Original |
OHR01461 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800 | |
GPLY6724
Abstract: J-STD-020A
|
Original |
660nm J-STD-020A GPLY6724 J-STD-020A | |
GET06090Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse |
Original |
OHR01888 GET06090 GET06090 | |
|
Contextual Info: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung |
Original |
660nm J-STD-020A | |
E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
|
Original |
GET06625 fet06625 OHR01461 OHR01457 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641 | |
BPX osram
Abstract: E7800
|
Original |
||
GPLY6724Contextual Info: Rote Lumineszenzdiode Red Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4273 Wesentliche Merkmale Features • Schwarz eingefärbtes TOPLED-Gehäuse • Typische Emissionswellenlänge 660nm • Verbesserte Abbildungseigenschaften durch Absorption der Seitenstrahlung |
Original |
660nm J-STD-020C GPLY6724 | |
7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
|
Original |
||
|
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden |
Original |
E7800 Q62702Q1745 103ou | |
|
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse |
Original |
OHR01888 GETY6090 | |
E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
|
Original |
||
|
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger |
Original |
GETY6625 | |
|
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden |
Original |
E7800 Q62702Q1745 103ou | |
|
|
|||
GET06090Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data 2.7 ø4.8 ø4.6 5.3 5.0 7.4 6.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06090 fet06090 14.5 12.5 1.1 .9 0 Cathode Chip position 2.54mm spacing ø0.45 Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne |
Original |
GET06090 fet06090 OHR01869 OHR01870 OHR01462 OHR01871 OHR01888 GET06090 | |