OHF01924 Search Results

Contextual Info: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im  SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in  SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking

.3211

Abstract: FA4 MARKING
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei

phototransistor 650 nm

Abstract: Q62702-P1634 fototransistor led c 331 transistor transistor d 331 331 transistor
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten Features

Q65110A2510

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1150 nm SFH 320 , 750 nm . 1120 nm (SFH 320 FA)

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED® RG-Gehäuse Version 1.1 SFH 3211 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 750 . 1120 nm • Special: High linearity

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED® RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei

JEDEC J-STD-020d.01

Contextual Info: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED® RG-Gehäuse Version 1.0 SFH 3211 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 750 . 1120 nm • Special: High linearity • Available in groups

Q62702-P1610

Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01121
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei

transistor d 331

Abstract: D F 331 TRANSISTOR d 331 TRANSISTOR equivalent switching transistor 331 Q62702-P1634 phototransistor 650 nm phototransistor peak 550 nm transistor d 331 data c 331 transistor transistor C 331
Contextual Info: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten

Q62702-P3604

Abstract: Q62702-P1610 Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

SFH325FA

Contextual Info: 20013-01-16 Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED®-Gehäuse Version 1.0 SFH 325, SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1120 nm SFH 325 , 750 nm . 1120 nm

Q62702-P1610

Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01924
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei

phototransistor 650 nm

Contextual Info: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar

Q65110A2510

Abstract: Q65110A2475
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 320 und bei 880 nm (SFH 320 FA)

Q65110A2510

Contextual Info: 2007-05-10 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-Gehäuse Version 1.0 SFH 320, SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1150 nm SFH 320 , 750 nm . 1120 nm (SFH 320 FA)

P544

Abstract: Q62702-P5127 OHF01924 OHF01529
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor in SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED® RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei

Q62702-P1610

Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1615 Q62702-P1639 Q62702-P1724 Q62702-P3603 Q62702-P3604
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei

Q62702-P1610

Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639
Contextual Info: SFH 325 SFH 325 FA fpl06867 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package 0.7 2.8 2.4 4.2 3.8 2.4 (R1) fplf6867 (1.4) 3.8 3.4 (2.9) Cathode marking Anode (0.3) Cathode 2.54 spacing (2.85) 1.1

Q65110A2487

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich