OHF00082 Search Results

BPX osram

Abstract: GMOY6011 BPX61
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich TO-5) • Especially suitable for applications from 400 nm

Q65110A2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

850 nm LED

Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

Contextual Info: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

Contextual Info: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density

GEOY6422

Abstract: Q62702-P273
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter SFH 235 FA Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

GEOY6651

Abstract: Q62702-P102
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse

p945

Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns

BPW34S

Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Contextual Info: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing

GEO06861

Abstract: Q62702-P1605
Contextual Info: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

bpw 104

Abstract: C 34 f
Contextual Info: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS (R18R) BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (R18R)

Q65110A2626

Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

GEOY6075

Abstract: GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P1646 Q62702-P84
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte

Q62702-P129

Abstract: GEOY6647 S8050
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar Features

GEOY6861

Abstract: GPLY7049 Q65110A2626
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 SR BP 104 SR BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)

E9087

Abstract: GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1604 Q62702-P1826 Q62702-P929
Contextual Info: feo06075 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter

Q62702-P1602

Abstract: Q62702-P1790 Q62702-P73
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode; in SMT and as Reverse Gullwing BPW 34, BPW 34 S, BPW 34 S R18R BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

GEOY6861

Abstract: GPLY7049 OHFD1781 BP 104 FAS BP 104 FASR
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FASR BP 104 FAS BP 104 FASR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich

BPW 34 FAS

Contextual Info: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Version 1.1 BPW 34 FAS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 730 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns

OSRAM - Q62702-P2627

Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781 Q62702-P0084
Contextual Info: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm

SFH 225 FA

Contextual Info: 2007-04-02 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 SFH 225 FA Features: • • • • Besondere Merkmale: Especially suitable for applications of 880 nm Short-switching time typ. 20 ns

BPX61

Abstract: GMOY6011 OHLY0598
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 61 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) • Hermetisch dichte Metallbauform (ähnlich