CQYP19
Contextual Info: 7-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA * CQYP19 SWW 1156-6 Dioda elektroiuminescencyjna plänarna wykonana z ärsenku galu stanowi zrödlo promieniowania podczerwonego iO strumieniu ci^glym lub modulowanym. Stosuje si? w ukladach komutacji i lokacji optycznej, w ukiadach automatycznej regulacji oraz w technice pomiarowej.
|
OCR Scan
|
cqyp19 |
PDF
|
dioda
Abstract: DIODA S 14 CQYP18
Contextual Info: 6-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA CQYP18 SWW 1156-6 Dioda elektroluminescencyjna wykonana z arsenku galu stanowi zrodlo promieniowania podczerwonego o strumieniu ci^glym lub modulowanym. Stosuje siQ j$ w ukladach komutacji i lokacji optycznej, w ukiadach automatyki i kontroli oraz w technice pomiarowej.
|
OCR Scan
|
cqyp18diodadioda s 14 |
PDF
|
transoptor
Abstract: CQ11BP CQ11 MOC B
Contextual Info: TRANSOPTOR T CQ11BP 11-74/3 SWW 1156-6 Transoptor sklada siQ z dwöch elementöw pölprzewodnikowych: diody elektroluminescencyjnej wykonanej z arsenku galu i fototranzystora krzemowego, sprz^zonych ze sobq optycznie i umieszczonych w obudowie metalowej C 7 — B 1,2 TO-72 .
|
OCR Scan
|
cq11bptransoptorcq11moc b |
PDF
|
dioda
Abstract: k 4070 CQYP31 CEMI
Contextual Info: 8 -7 4 /3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA * CQYP31 SWW 1156-6 Dioda elektrolum inescencyjna ep itak sjaln a z fosforku galu em ituje sw iatlo czerwone. Stosuje siQ w ukladach w skaznik ptyczny. DANE TECHNICZNE w ykonana Dopuszczalne wartosci parametröw eksploatacyjnych
|
OCR Scan
|
cqyp31diodak 4070cemi |
PDF
|
BPYP21
Abstract: CQYP54
Contextual Info: OSWIETLACZ ELEKTROLUMINESCENCYJNY * CQYP54 1 0 - 74/3 SWW 1156-6 Oswietlacz elektrolum inescencyjny sklada sie z dziewi^ciu elektrolum inescencyjnych diod p lanarnych w ykonanych z arsenku galu i stanowiqcych zrödia prom ieniow ania podczerwonego. Jest on przeznaczony l^cznie z fototranzystorem BPYP21
|
OCR Scan
|
cqyp54bpyp21 |
PDF
|
B6V2
Abstract: C6V8 BZYP13-C6V2
Contextual Info: 29-74/2 STABILISTOR BZYP 13 SWW 1156-141 S tabilistory krzem ow e ep ip lan arn e przeznaczone do stosow ania w ukladach stabilizacyjnych. T em p eratu ra zi^cza Zakres tem p eratu ry przechow yw ania t} 423 K 150°C tstg 233.373 K ( —40. + 100°C)
|
OCR Scan
|
bzyp13-c6v2bzyp13-c6v8bzyp13-b6v2bzyp13-d6v2+2b6v2c6v8
|
PDF
|
dioda
Abstract: BPYP21 CQYP17
Contextual Info: 5-74/3 DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA CQYP17 SWW 1156-6 Dioda elektrolum inescencyjna w ykonana z arsen k u galu stanow i zrodio prom ieniow ania podczerwonego o stru m ieniu ciqglym lub m odulow anym . Z najduje ona zastosow anie p rzy w spölpracy z fo to tra n zystorem BPYP21 jako w skaznik konca tasm y w czytnikach tasm perforow anych oraz w u kladach lokacji optycznej, w ukladach au to m aty k i i k o n troli oraz w tech nice pom iarow ej.
|
OCR Scan
|
cqyp17bpyp21dioda |
PDF
|
Katalog CEMI
Abstract: OA81 diode byp 660-50r Philips BC147 p 181 transoptor Mullard oa81 Hitachi 12V MS 5A-181 OA81 BA102 diode telefunken hr 780 rds
Contextual Info: WSTIJP W ydaw nictw a Przem yslu M aszynowego WEMA przekazujq uzytkow nikom branzow y katalog pt. E l e m e n t y pólp rz e w o d n i k o w e , zaw ierajqcy dokladne inform acje techniczne dotycz^ce elem entów pólprzew odnikow ych produkow anych w Polsce n a skal^ przem yslow ^. W szystkie w yroby
|
OCR Scan
|
katalog cemioa81 diodebyp 660-50rphilips bc147+6p 181 transoptormullard oa81hitachi 12v ms 5a-181oa81ba102 diodetelefunken hr 780 rds
|
PDF
|
60Ghz
Abstract: CI 7412 BXYP44
Contextual Info: 20-74/2 WARAKTOR BXYP44 SWW 1156-185 W araktor wyfeonany z krzemu, ma dyfuzyjne zl^cze p-n, ktörego pojemnosö zanienia si? pod wplywem przyiozonego napiQcia. Jest on przeznaczony do pracy w mikrofalowych powielaczach cz^stotliwoSci w zakresie pasma S. Obudowa w araktora jest ceramiczno-raetalowa.
|
OCR Scan
|
bxyp445060u60ghzci 7412 |
PDF
|
5v ZENER DIODE
Contextual Info: 21-74/2 WARAKTOR BXYP5X SWW 1156-185 W araktor wykonany z krzemu m a dyfuzyjne zlqcze p-n, ktörego pojemno6<5 zmienia si? pod wplywem przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w mikrofalowych powielaczach cz^stotliwoSci w zakresie pasm a X. Obudowa w araktora jest ceramiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
gl-74/25v zener diode |
PDF
|
BXYP43
Contextual Info: WARAKTOR BXYP43 19-74/2 SWW 1156-185 W araktor wykonany z krzemu na dyfuzyjne zl^cze p-ri, którego pojemnosé zmienia si$ pod wplywem przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w m ikrofalowych powielaczach cz^stotliwosci w zakresie pasma L. Obudowa w araktora jest ceramiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
bxyp43 |
PDF
|
BXYP14
Contextual Info: 16-74/2 WARAKTOR BXYP14 SWW 1156-183 W araktor m a dyfuzyjne zl^cze p -n , ktör'ego pojemno£6 zm ienia si§ w zaleznoSci od przylozonego napi^cia. Jest on przeznaczony do pracy w m ikrofalow ych w zm acniaczach param etrycznych jako elem ent czynny. O budowa w -araktora je st ceraimiczno-metalowa.
|
OCR Scan
|
bxyp14 |
PDF
|
L0122
Abstract: diod xm BPYP21 CQYP52
Contextual Info: 9-74/3 OSWIETLACZ ELEKTROLUMINESCENCYJNY CQYP52 SWW 1156-6 Oswietlacz elektroluminescencyjny sklada si§ z dziewiQciu elektroluminescencyjnych diod dyfuzyjnych wykonanych z arsenku galu i stanowi^cych zrödla promieniowania podczerwonego. Jest on przeznaczony l^cznie z fototranzystorem BPYP21
|
OCR Scan
|
cqyp52bpyp21l0122diod xm |
PDF
|
tranzystor
Abstract: BSWP30 CE25 T072
Contextual Info: 28-74/2 TRANZYSTOR BSWP30 SWW 1156-21 Tranzystor krzemowy polowy MOS epiplanarny z kanalem typu p wzbogacanym, z izolowan^ bramkq. Jest przeznaczony do stosowania w ukladach przelqczaj^cych malej mocy oraz w ukladach o duzej impedancji wejáciowej. Zakres temperatury
|
OCR Scan
|
bswp30tranzystorce25t072 |
PDF
|
|
|
k 2674
Abstract: tranzystor BFWP21 CE25 T072
Contextual Info: TRANZYSTOR BFWP21 * -« « SWW 1156-21 T ranzystor krzem ow y polow y MOS epip lan arn y z k a n a lem typu n zubozanym , z izolowanq bram kq. Jest przeznaczony do stosow ania w e w zm acniaczach i ukladach przeJ^czajijcych m aiej mocy oraz w ukladach o duzej im pedancji wejSciowej.
|
OCR Scan
|
bfwp21k 2674tranzystorce25+1t072
|
PDF
|
CQYP 60
Abstract: BPYP21 7413 CQYP52
Contextual Info: FOTOTRANZYSTOR BPYP21 SWW 1156-242 F ototranzystor krzem ow y p lan arn y n-p-n bez w yprow adzenia bazy jest przeznaczony do pracy: w glowicach czytników tasm perforow anych w e w spólpracy z osw ietlaczem CQYP52, w p rzetw ornikach analogow o-cyfrowych, w ukladach optoelektronicznych zlqcz fonicznych
|
OCR Scan
|
bpyp21cqyp52cqyp 607413 |
PDF
|
373 ic
Abstract: BFYP99 tranzystor IC350 moc 233
Contextual Info: T R A N Z Y S T O R n-p-n * BFYP99 27-74/2 SWW 1156-223 Tranzystor krzemowy epiplanarny przeznaczony do stosowania we wzmacniaczach mocy i generatorach wielkiej cz^stotliwosci. Tranzystor w obudowie metalowej T039 CE23 . Kolektor jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
bfyp99373 ictranzystoric350+1moc 233
|
PDF
|
xxww
Contextual Info: ; 6 A +6 6 8 78 3 2 3 5 3 9 2 2 2 A - 2 3 3 2 23 8# '8# 18 8 $1 '> 1 '> ='$ & 1 '> 79 1 '> +( > (* 1 '> 2 6 7 + ! 33 . 2 ; 2 6 = . 7 + ! 33 -('>4" 23 5 5 7 + ! . . 3
|
Original
|
xxww |
PDF
|
fotodioda
Contextual Info: 4 - 74 /3 FOTODIODA FG2 SWW 1156-191 m in. Fotodioda germ anow a je s t stosow ana do przetw arzania sygnal6w Swietlnych na przebiegi elektryczne. Je s t ona przeznaczona do pracy w fotoelektrycznych uklad ach re gulacyjnych i przel^cznikow ych, w uklad ach kontrolnych
|
OCR Scan
|
czerwo-11320ddufotodioda |
PDF
|
BSXP87
Abstract: T018 p87 npn
Contextual Info: T R A N Z Y S T O R n-p-n BSXP87 31'74/2 SWW 1156-223 T ranzystor krzem ow y ep iplanarny przeznaczony do stosow ania w ukladach szybko przelsjczaj^cych m alej i sredniej mocy. K olektor tranzysto ra jest polqczony elektrycznie z obudow^. Napiqcie przebicia
|
OCR Scan
|
bsxp87bsxp92-94t018p87 npn |
PDF
|
tranzystor
Abstract: BSYP62 BSYP63 T018
Contextual Info: 3 3 - 7 4 /2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSYP62 i BSYP63 SWW 1156-223 Tranzystory krzemowe epiplaname przeznaczone do stosowania w ukladach przel^czaj^cych malej i Sredniej mocy. Kolektor tranzystora jest pol^czony elektrycznie z obudowq. Tranzystor w obudowie metalowej T018 CE22 . Ko
|
OCR Scan
|
bsyp62bsyp63tranzystort018 |
PDF
|
BSXP93
Abstract: BSXP92 233k BSXP94 T018 8SXP92-94 MAKS BSXP92-94 BSXP87
Contextual Info: 32- 74/2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP92, BSXP93 i BSXP94 SWW 1156-223 T ranzystory krzem ow e epiplanarne przeznaczone do stosow ania w ukladach szybko przel^czaj^cych m alej i §redniej mocy oraz we w zm acniaczach w ielkiej cz^stotliwosci. K olektor tran zy sto ra je st pol^czony elektrycznie
|
OCR Scan
|
bsxp92bsxp93bsxp94bsxp92-94+5233kt0188sxp92-94maksbsxp87
|
PDF
|
BSXP65
Abstract: BSXP66 BSXP67 ti21E Ucesat
Contextual Info: T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP65, BSXP66 i BSXP67 3°-74/2 SWW 1156-223 Tranzystory krzemowe epiplanarne przeznaczone do uklad6w szybko przel^czaj^cych iredniej mocy oraz do wzmacniaczy m alej i Sredniej cz^stotliwosci. Kolektor tranzystora jest polqczony elektrycznie z obudowq.
|
OCR Scan
|
bsxp65bsxp66bsxp67bsxp65-+3bsxp55-67ti21eucesat
|
PDF
|
BSXP59
Abstract: BSXP61 Ucesat BSXP60 BSXP59-61 WO30
Contextual Info: 29-T4/2 T R A N Z Y S T O R Y n-p-n BSXP59, BSXP60 i BSXP61 SWW 1156-223 Tranzystory krzem ow e epiplanarne przeznaczone do uk lad6w szybko przel^czajqcych sredniej mocy; w szczegolnosci do uk lad6w sterow ania pamiQci ferrytow ych. K olektor tranzystora jest pol^czony elektrycznie z obudow^.
|
OCR Scan
|
bsxp59bsxp60bsxp61bsxp59-61+2ucesatwo30
|
PDF
|