2SJ413
Abstract: tr1007 J413
Contextual Info: 2SJ413 Ordering number : EN5366B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 2SJ413 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. Micaless package facilitating mounting.
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Original
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2sj413en5366btr1007j413 |
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idp-200a d
Abstract: tr1007 2SJ413 J413
Contextual Info: 2SJ413 注文コード No. N 5 3 6 6 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N5366A をさしかえてください。 2SJ413 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。
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Original
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2sj413n5366ait11798it11799+5it11800it11801idp-200a dtr1007j413
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MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH IT1180
Contextual Info: MCH5834 注文コード No. N A 0 5 5 8 三洋半導体データシート N MCH5834 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3435 とショットキバリアダイオード(SS0503SH)を 1 パッケージに
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Original
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mch5834mch3435ss0503sh900mm2+5n0806petc-0000259a0558-1/6it11802it1180
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n2206
Abstract: it1181 it11811 VEC2408
Contextual Info: VEC2408 注文コード No. N A 0 5 6 7 三洋半導体データシート N VEC2408 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・低オン抵抗。
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Original
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vec2408900mm2it11811it11812+4it11813a0567-4/4n2206it1181
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n2206
Abstract: VEC2408 it11811
Contextual Info: VEC2408 Ordering number : ENA0567 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET VEC2408 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.
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Original
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vec2408ena0567900mm20a0567-4/4+2n2206it11811
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2SJ413
Abstract: en5366 J413
Contextual Info: 2SJ413 Ordering number : EN5366B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 2SJ413 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. Micaless package facilitating mounting.
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Original
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2sj413en5366ben5366j413 |
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MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH
Contextual Info: MCH5834 Ordering number : ENA0558 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5834 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3435 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
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Original
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mch5834ena0558mch3435ss0503sh+1a0558-6/6
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