SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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mch5837ena0781ss10015ma0781-6/6+3ss1001mosfet ybta72
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MCH6646
Abstract: MARKING WW
Contextual Info: MCH6646 Ordering number : ENA0112 N-Channel Silicon MOSFET MCH6646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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mch6646ena0112900mm2a0112-4/4+1marking ww
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MCH6646
Abstract: IT10338
Contextual Info: MCH6646 注文コード No. N A 0 1 1 2 MCH6646 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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mch6646900mm2it10334it10337+3a0112-3/4it10338a0112-4/4
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SS1001
Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Contextual Info: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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mch5837ena0781ass10015ma0781-6/6+1ss1001
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yb 27 BR MOSFET
Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781
Contextual Info: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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mch5837na0781ss10015m900mm2+741807petc-00000616a0781-1/6it07150yb 27 br mosfetss1001a0781
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