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    CPH5847

    Abstract: 86-89-2
    Contextual Info: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ


    Original     		cph5847900mm282505petb-00001763+5it09559it09557it09556id0043586-89-2 PDF

    SS1003M3

    Contextual Info: SS1003M3 Ordering number : EN8372A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=1.0A, VF max=0.43V).


    Original     		ss1003m3en8372a PDF

    VR 100K

    Abstract: SS1003M3 ID00435 VR100K
    Contextual Info: SS1003M3 注文コード No. N 8 3 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8372 をさしかえてください。 SS1003M3 ショットキバリアダイオード 30V1.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。


    Original     		ss1003m3n8372100ma72mm2+8500mm62797gitb-00001532it09557it09559vr 100kid00435vr100k PDF

    SS1003M3

    Contextual Info: SS1003M3 Ordering number : ENN8372 SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=0.35mA, VF max=0.43V).


    Original     		ss1003m3enn8372 PDF

    marking .xz

    Abstract: CPH5847
    Contextual Info: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package


    Original     		cph5847en8689marking .xz PDF