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MCH6423 Abstract: TA72 Contextual Info: MCH6423 注文コード No. N 8 9 4 4 三洋半導体データシート N MCH6423 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・4V 駆動。絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃	Original	MCH6423 1200mm2 IT07441 IT07440 1200mm2 IT10108 IT10109 MCH6423 TA72	PDF
SCH1410 Contextual Info: SCH1410 注文コード No. N 8 9 8 4 三洋半導体データシート N SCH1410 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・高速スイッチング。・2.5V 駆動。	Original	SCH1410 900mm2 IT02726 900mm2 IT10060 IT10061 SCH1410	PDF
SCH1410 Contextual Info: SCH1410 Ordering number : EN8984 N-Channel Silicon MOSFET SCH1410 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions	Original	SCH1410 EN8984 900mm2 SCH1410	PDF
CPH5847 Abstract: 86-89-2 Contextual Info: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ	Original	CPH5847 900mm2 82505PE TB-00001763 IT09559 IT09557 IT09556 ID00435 CPH5847 86-89-2	PDF
MCH6423 Contextual Info: MCH6423 Ordering number : EN8944 N-Channel Silicon MOSFET MCH6423 General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS	Original	MCH6423 EN8944 1200mm2 MCH6423	PDF
marking .xz Abstract: CPH5847 Contextual Info: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	CPH5847 EN8689 marking .xz CPH5847	PDF