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VEC2811 Abstract: 82871 Contextual Info: VEC2811 Ordering number : ENN8287 VEC2811 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	VEC2811 ENN8287 VEC2811 82871	PDF
VEC2803 Contextual Info: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	VEC2803 ENN8202 VEC2803	PDF
VEC2815 Contextual Info: VEC2815 Ordering number : ENA0559 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	VEC2815 ENA0559 A0559-6/6 VEC2815	PDF
VEC2803 Contextual Info: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	VEC2803 900mm2 12505PE TB-00001017 IT08214 IT08216 IT07948 VEC2803	PDF
VEC2612 Abstract: mosfet pch 3a 60v Contextual Info: VEC2612 Ordering number : ENA0656 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2612 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2612 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,	Original	VEC2612 ENA0656 VEC2612 A0656-6/6 mosfet pch 3a 60v	PDF
A0559 Abstract: VEC2815 Contextual Info: VEC2815 注文コード No. N A 0 5 5 9 三洋半導体データシート N VEC2815 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	VEC2815 900mm2 N2906PE TC-00000344 A0559-1/6 IT09872 1000k IT10608 A0559 VEC2815	PDF
VEC2811 Abstract: 82871 Contextual Info: VEC2811 注文コード No. N 8 2 8 7 三洋半導体データシート N VEC2811 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	VEC2811 900mm2 70505PE TB-00001099 IT08571 IT08572 IT03090 VEC2811 82871	PDF
VEC2612 Contextual Info: VEC2612 注文コード No. N A 0 6 5 6 三洋半導体データシート N VEC2612 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した	Original	VEC2612 900mm2 IT11983 IT02950 IT02949 900mm2 IT11984 VEC2612	PDF
VEC2302 Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB INVERTER BOARD SANYO Contextual Info: VEC2302 Ordering number : ENN8026 P-Channel Silicon MOSFET VEC2302 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for inverter applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting. 4V drive.	Original	VEC2302 ENN8026 900mm2 VEC2302 INVERTER BOARD SANYO TB INVERTER BOARD SANYO	PDF
VEC2302 Contextual Info: VEC2302 注文コード No. N 8 0 2 6 三洋半導体データシート N VEC2302 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・インバータ用途に最適。・低オン抵抗。・複合タイプであり高密度実装可能。	Original	VEC2302 900mm2 IT07775 --12A 900mm2 IT07776 IT07777 VEC2302	PDF