IT06819 Search Results

ENN8175

Abstract: CPH3430 marking zf
Contextual Info: CPH3430 Ordering number : ENN8175 N-Channel Silicon MOSFET CPH3430 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

MCH6422

Abstract: A0162-2
Contextual Info: MCH6422 注文コード No. N A 0 1 6 2 三洋半導体データシート N MCH6422 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。

CPH3430

Contextual Info: CPH3430 注文コード No. N 8 1 7 5 三洋半導体データシート N CPH3430 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。

MCH6422

Contextual Info: MCH6422 Ordering number : ENA0162 N-Channel Silicon MOSFET MCH6422 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

A11612

Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
Contextual Info: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ

2a11612

Abstract: 2S200
Contextual Info: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

CPH6429

Contextual Info: CPH6429 Ordering number : ENN8081 CPH6429 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions

Contextual Info: CPH6429 CPH6429 Ordering number : ENN8081 N-Channel Silicon MOSFET Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage