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A11612 Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497 Contextual Info: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ	Original	cph5870 600mm2 51408pe tc-00001359 +8a1161-1/5 id00340 a1161-4/5 a11612 a1161-4 2a11612 a1161 it13497	PDF
2a11612 Abstract: 2S200 Contextual Info: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	cph5870 ena1161 a1161-5/5 2a11612 +12s200	PDF

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A11612

Abstract: A1161-4 2a11612 A1161 CPH5870 IT13497
Contextual Info: CPH5870 注文コード No. N A 1 1 6 1 三洋半導体データシート N CPH5870 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ

Original

cph5870 600mm2 51408pe tc-00001359 +8

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2a11612

Abstract: 2S200
Contextual Info: CPH5870 Ordering number : ENA1161 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5870 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Original

cph5870 ena1161 a1161-5/5 2a11612 +1

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